集成电路可制造性设计工具学习教案.pptx

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1、集成电路(jchng-dinl)可制造性设计工具第一页，共38页。将重点介绍当今全球(qunqi)最为著名的IC设计软件开发商美国新思科技（Synopsys Inc.）最新发布的新一代TCAD系列设计工具中的新一代集成电路工艺级仿真工具Sentaurus Process，（注：TCAD系列工具还包括器件物理特性级模拟系统Sentaurus Device及虚拟化加工与制造系统Sentaurus Workbench。 第1页/共37页第二页，共38页。1 Sentaurus Process1 Sentaurus Process工艺(gngy)(gngy)级仿真工具Sentaurus Process

2、Sentaurus Process是Synopsys Inc.Synopsys Inc.最新推出的新一代TCADTCAD工艺级仿真工具，被业界誉为第五代集成电路制程级仿真软件，是当前最为先进的纳米级集成工艺仿真工具。Sentaurus ProcessSentaurus Process是迄今为止集成电路制程级仿真软体中最为全面、最为灵活的多维（一维、二维、三维）工艺级仿真工具。Sentaurus ProcessSentaurus Process面向当代(dngdi)(dngdi)纳米级集成电路工艺制程，全面支持小尺寸效应的仿真与模拟，用于实现甚大规模（ULSIULSI）集成电路的工艺级虚拟设计，

3、可显著地缩短集成电路制造工艺级设计、工艺级优化乃至晶圆芯片级产品的开发周期。第2页/共37页第三页，共38页。1-1 Sentaurus Process1-1 Sentaurus Process的安装(nzhung)(nzhung)及启动Sentaurus ProcessSentaurus Process为国际化的大型工程化计算机仿真系统，有UnixUnix版本及LinuxLinux版本供用户选用。对于中国内地用户，Sentaurus Sentaurus ProcessProcess的用户许可授权及安装均由Synopsys Inc.Synopsys Inc.中国分支机构（北京新思科技、上海新思

4、科技等）提供优质的技术支持和服务。Sentaurus ProcessSentaurus Process仿真系统设置有两种启动方式(fngsh)(fngsh)。一种是交互启动及运行模式；另一种是批处理启动及运行模式。根据用户的使用需要，若要在交互模式下启动Sentaurus ProcessSentaurus Process，可以在已安装有Sentaurus ProcessSentaurus Process并启动了该系统的licenselicense（软件使用许可程序）的PCPC计算机（若使用的是Sentaurus ProcessSentaurus Process的LinuxLinux版本）或计算

5、机工作站（若使用的是Sentaurus ProcessSentaurus Process的UnixUnix版本）命令行提示符下输入以下命令：sprocesssprocess第3页/共37页第四页，共38页。1-2 1-2 创建Sentaurus ProcessSentaurus Process批处理卡命令(mng lng)(mng lng)文件编辑Sentaurus Process批处理卡命令文件可使用(shyng)Unix或Linux操作系统环境下的各类文本编辑器、例如：gedit文本编辑器编辑完成。Sentaurus Process批处理卡命令文件的编撰必须遵循规定的语法规则。简述如下：（

6、1）系统默认对卡命令语句中的关键词及关键字母大、小写忽略。通常，人们习惯使用(shyng)小写字母来书写卡命令语句。（2）卡命令语句中定义：使用(shyng)作为卡命令行的首字母，则用来表示该卡行为注释卡行；而在变量之前使用(shyng)$，则表示提取该变量值。第4页/共37页第五页，共38页。（3）通常，卡命令行的长度不能超过一个屏幕编辑行。若命令行太长需要续行，则应在该行接近满行的位置处键入(jin r)反斜线，并回车，转入下一行继续书写命令。但是，如果自然断行发生在单位双花括号之间，即自然断行的位置前有一单面的花括号，此刻不会影响命令的执行，系统会运行到下一个单面花括号所在行时，该命令则

7、执行结束。（4）当卡参数为逻辑参量时，以逻辑参量或逻辑参数名称直接出现。若无任何附加标识时，该逻辑参量值为真；如在该逻辑参量或逻辑参数名称前加惊叹号!标识，则特指该逻辑参量值为假。第5页/共37页第六页，共38页。（5）卡行中使用字符串卡参数，要以双引号“”标识。例如(lr)：parameter=“string value”；（6）卡参数中的列表要出现在花括号或双引号中，例如(lr)：parameter= item1、item2 或parameter= “item1、item2”；需要注意的是，在等号与花括号或等号与双引号之间必须要输入一个空格。否则，系统会报语法错误。（7）Sentaurus

8、 Process卡命令文件的撰写语法支持for循环、while循环、if/else结构、switch声明及函数定义等。第6页/共37页第七页，共38页。 Sentaurus Process Sentaurus Process具有强大的集成电路工艺制程仿真功能，具有强大的集成电路工艺制程仿真功能，很大程度上反映在它庞大的命令集合上。很大程度上反映在它庞大的命令集合上。Sentaurus Sentaurus ProcessProcess批处理卡命令文件批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)中的各命令语句是由命中的各命令语句是由命令关键词及与该语句相关联的参数列表构成。下面，仅就令关键词及与该

9、语句相关联的参数列表构成。下面，仅就Sentaurus ProcessSentaurus Process仿真系统的主要命令语句及其简要的命仿真系统的主要命令语句及其简要的命令功能分类介绍如下：令功能分类介绍如下：Sentaurus ProcessSentaurus Process的文件的文件(wnjin)(wnjin)说明语句及系统控制语句说明语句及系统控制语句2 Sentaurus Process2 Sentaurus Process的器件结构说明语句的器件结构说明语句Sentaurus ProcessSentaurus Process的工艺步骤说明语句的工艺步骤说明语句4 Sentauru

10、s Process4 Sentaurus Process的模型说明语句及参数说明语句的模型说明语句及参数说明语句5 5 关于关于Sentaurus ProcessSentaurus Process的输出命令语句的输出命令语句第7页/共37页第八页，共38页。Sentaurus ProcessSentaurus Process具有强大的集成电路工艺制程仿真功能，很大程度上反映在它庞大的命令(mng lng)(mng lng)集合上。Sentaurus ProcessSentaurus Process批处理卡命令(mng lng)(mng lng)文件中的各命令(mng lng)(mng lng)

11、语句是由命令(mng lng)(mng lng)关键词及与该语句相关联的参数列表构成。下面，仅就Sentaurus Sentaurus ProcessProcess仿真系统的主要命令(mng lng)(mng lng)语句及其简要的命令(mng lng)(mng lng)功能分类介绍如下：1.Sentaurus Process1.Sentaurus Process的文件说明的文件说明(shumng)(shumng)语句及语句及系统控制语句系统控制语句2.Sentaurus Process2.Sentaurus Process的器件结构说明的器件结构说明(shumng)(shumng)语语句句3

12、.Sentaurus Process3.Sentaurus Process的工艺步骤说明的工艺步骤说明(shumng)(shumng)语语句句4.Sentaurus Process4.Sentaurus Process的模型说明的模型说明(shumng)(shumng)语句及语句及参数说明参数说明(shumng)(shumng)语句语句5.5.关于关于Sentaurus ProcessSentaurus Process的输出命令语句的输出命令语句第8页/共37页第九页，共38页。1-4 Sentaurus Process1-4 Sentaurus Process所设置(shzh)(shzh)的

13、文件类型Sentaurus ProcessSentaurus Process使用的主要文件(wnjin)(wnjin)类型如下：（1 1）Sentaurus ProcessSentaurus Process批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)（* *.cmd.cmd）。批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)即是11-111-1节中第二部分创建Sentaurus ProcessSentaurus Process批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)一节中所讨论的批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)。批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)是实现Sentaurus

14、ProcessSentaurus Process用户与Sentaurus ProcessSentaurus Process仿真系统批处理运行模式交互的唯一途径。批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)的文件(wnjin)(wnjin)类型是Sentaurus ProcessSentaurus Process可以识别的可编辑输入文件(wnjin)(wnjin)。由以上第三小节内容中所介绍的主要批处理命令可知，批处理卡命令文件(wnjin)(wnjin)包含了用户实现批处理方式实施集成电路制程仿真的所有任务和内容。第9页/共37页第十页，共38页。（2）Sentaurus Processs日志

15、文件（*.log）（3）器件结构文件（无扩展名）（4）TDR边界文件(*_bnd.tdr）（5）存储网格信息及掺杂(chn z)信息的TDR文件（*_fps.tdr）（6）DF-ISE掺杂(chn z)和网格的重定义文件(*_msh.cmd)（7）DF-ISE文件（*.plx）第10页/共37页第十一页，共38页。2 Sentaurus Process2 Sentaurus Process的仿真功能(gngnng)(gngnng)及交互工具Sentaurus ProcessSentaurus Process采纳了ISEISE的交互特征，与诸多交互工具结合，拓展了该工具的交互功能，并使其操作更为

16、简便(jinbin)(jinbin)直观。Sentaurus ProcessSentaurus Process是当今第一个提供全三维任选（可任意选择一维、二维或三维仿真）的工艺级仿真商用软件。Sentaurus Sentaurus ProcessProcess中嵌入的MGOALSMGOALS库可与Sentaurus Structure Sentaurus Structure EditorEditor（器件结构编辑器）联用，非常方便地实现三维器件结构的构造。 第11页/共37页第十二页，共38页。2-1 Sentaurus Process2-1 Sentaurus Process的仿真(fn z

17、hn)(fn zhn)领域使用Sentaurus Process可实现以下常规集成电路平面工艺制程的仿真：（1）Sentaurus Process用于各种类型的分立（包括高频、高压、大功率等特种器件）器件、混合集成（BiCMOS）电路及甚大规模（ULSI-小尺寸、纳米级）CMOS等所有硅基结构模式的器件或电路的工艺制程。也可以自定义其它基础结构的有源器件，仿真其工艺制程。（2）Sentaurus Process仿真系统涵盖标准的硅基集成电路平面工艺制程中所有标准工序的工艺建模，诸如：常规氧化(ynghu)（低温淀积及高温热氧化(ynghu)）、硅的外延生长、硅化物生长、高温及低温腐蚀、选择性刻

18、蚀、常规高温热扩散、常规高温热扩驱动、低温离子注入、化学汽相淀积、光刻胶性能的辅助分析等等。第12页/共37页第十三页，共38页。（3）Sentaurus Process可用于改进、评估新的工艺结构、制程的可制造性设计方案。例如：设计与实现新的局域氧化隔离（LOCOSLOCal Oxidation Separate）结构、侧墙掩蔽隔离（SWAMISideWAll Masked Isolation）结构、深沟槽隔离（DTIDeep Trench Isolation）和浅沟槽隔离（STIShallow Trench Isolation）等二维、三维结构的虚拟设计。（4）Sentaurus Proc

19、ess的离子注入模拟功能强大，可实现在注入过程中晶圆倾斜的状态下、晶圆旋转的状态下，以及(yj)屏蔽（shadowing）状态下等多种状态下的注入仿真，还可进行注入损伤程度的预测。可以评估无定型结晶靶、非晶注入靶（PAIPreAmorphization Implant）及氧化物靶注入后产生的沟道效应。第13页/共37页第十四页，共38页。2-2 Sentaurus Process2-2 Sentaurus Process数据库浏览器与Tsuprem-之前的IC制程仿真工具所不同的是，Sentaurus Process为仿真用户提供了数据库浏览器（PDB）。PDB实现(shxin)了数据库的可视

20、化界面描述。这样，使用Sentaurus Process设置和定义模型及确定相关参数可以通过PDB来完成。通常，使用Sentaurus Process进行工艺仿真时会首先使用系统提供的缺省模型，而缺省模型参数就保存在PDB的参数属性数据库中。用户使用数据库浏览器（PDB）可以交互式地设置和编辑模型参数，动态地在数据库浏览器（PDB）中确定仿真所使用的模型，还可以将暂时不使用的模型及参数保存起来以备随时使用。用户还可以使用卡命令语句（也称之为Alagator脚本语言）定义新的模型，以满足特殊的仿真需求。图11.1即为Sentaurus Process数据库浏览器（PDB）的工作界面。第14页/共

21、37页第十五页，共38页。图11.1 Sentaurus Process提供(tgng)的数据库浏览器第15页/共37页第十六页，共38页。2-3 Sentaurus Process2-3 Sentaurus Process图形(txng)(txng)结果调阅工具（1） 一维输出结果调阅工具InspectSentaurus Process内嵌图形输出结果编辑器Inspect。Inspect是用来调阅、查看和分析一维图形输出结果（曲线）的交互工具。Inspect具有灵活、方便的图形用户界面，便于用户对曲线进行新的、修饰(xish)性的设置和编辑。Sentaurus Process提供了通过卡命令

22、文件与Inspect图形输出结果交互工具的接口方式，用户可以在输入卡命令文件的任意位置处使用SetPlxList和WritePlx命令将所需要的掺杂信息保存到一个扩展名为.plx的DF-ISE格式的文件中。随后，用户即可通过Inspect工具界面，调用该文件输出杂质浓度分布曲线。图11.2即为Inspect工具的工作界面。第16页/共37页第十七页，共38页。图11.2 输出结果调阅工具(gngj)Inspect编辑界面 第17页/共37页第十八页，共38页。（2） 二维结构及数据输出结果调阅工具Tecplot SV84 Sentaurus Process工艺仿真生成的结构信息结果及二维或三维

23、数据信息结果是通过(tnggu)Tecplot SV工具来调阅、查看的。用户可以将结构信息结果及数据信息结果通过(tnggu)struct命令的相应选项（tdr、dfise或ise.mdraw）保存到TDR格式或DF-ISE格式的文件中，然后在Tecplot SV工具环境下通过(tnggu)调用该文件得到相应的结构信息结果和数据信息结果，并对输出的结果读取、分析和编辑。图11.1.3即为Tecplot SV输出结果调阅工具的工作界面。第18页/共37页第十九页，共38页。图11.3 二维输出(shch)结果调阅工具Tecplot_SV界面示意第19页/共37页第二十页，共38页。3 Senta

24、urus Process3 Sentaurus Process所收入的近代(jndi)(jndi)模型Sentaurus ProcessSentaurus Process全面(qunmin)(qunmin)覆盖分立器件、大规模集成电路及超大规模集成电路常规平面工艺制程的工艺级仿真和工艺级可制造性设计，也可以为用户提供具有更小特征尺寸的、纳米尺度的器件工艺级可制造性设计解决方案。事实上，Sentaurus ProcessSentaurus Process在经典的常规工艺模型的基础上，对很多模型进行了扩充。例如：在离子注入解析模型及蒙特卡罗（MCMC）注入模型、高温热掺杂模型中的杂质激活和杂质迁移

25、以及掺杂对内部电场的影响、局部微机械应力变化的建模以及氧化过程中对氧化剂迁移行为的建模等诸多方面进行了完善。第20页/共37页第二十一页，共38页。3-1 3-1 离子注入模型(mxng)(mxng)在Sentaurus Process中，完成离子注入掺杂工序的仿真可以使用解析注入模型或蒙特卡罗（MC）注入模型来计算注入离子的分布情况及模拟所造成的注入损伤程度。所谓解析注入模型，是使用经典的高斯分布、泊松分布以及较为近代的双泊松分布建模，来模拟离子注入掺杂的行为及过程。注入后形成的损伤程度则根据Hobler模型进行估算。蒙特卡罗注入（MC）模型则是使用统计方法来计算体内注入离子的分布，注入损伤

26、则通过计算点缺陷浓度进行分析。蒙特卡罗注入（MC）模型可以处理(chl)解析注入模型无法涵盖的情况，例如：窄沟槽侧墙掺杂。蒙特卡罗注入（MC）模型还能够模拟分子注入和超浅结注入工艺，可充分地满足现代小尺寸器件工艺制程的设计需求。第21页/共37页第二十二页，共38页。3-2 3-2 小尺寸(ch cun)(ch cun)扩散模型集成电路制造工艺过程中，将掺杂剂掺入到半导体材料中的方式有多种，除了上一节讲到的离子注入方法之外，还采取高温热扩散方式来实现。Sentaurus Process仿真高温热扩散掺杂所依据的主要模型：杂质激活模型；缺陷对杂质迁移的影响；表面与体硅材料的反应性作用模型；表面介

27、质的移动；掺杂对内部电场的影响等等。Sentaurus Process通过diffuse命令来执行高温热扩散掺杂的仿真，可模拟杂质的热扩散、热驱动、热退火及高温条件下材料的结构(jigu)层变化（如：氧化介质的生长、硅材料的硅化、硅的外延结构(jigu)生长等）及工艺过程的热加工诱发的应力场和热应力变化等等。第22页/共37页第二十三页，共38页。3-3 3-3 局部(jb)(jb)微应力变化模型器件制程中的热驱动过程及高温热加工过程所潜在的器件结构内部应力的变化是器件工艺(gngy)热加工过程模拟所必须要考虑的。事实上，这一因素在器件热制造过程中起着异常重要的作用，它决定着器件结构热在热加工

28、过程中是否能保持完整性、热加工工艺(gngy)过程的效益、热加工过程引发的载流子迁移率变化及扩散率变化等。随着器件尺寸的进一步缩小，器件热加工所造成的内部应力变化还会使材料禁带宽度的变化使得杂质扩散速率以及氧化速率等参数也相应地变化，这样的局部变化会改变局部区域热生长氧化层的结构平衡和形状变异。可见，对器件热制造过程所造成的体内应力变化进行精确地模拟和计算是非常重要的。第23页/共37页第二十四页，共38页。3-4 3-4 基于(jy)(jy)原子动力学的蒙特卡罗扩散模型Sentaurus ProcessSentaurus Process描述杂质扩散过程中的活化行为，采用了基于原子动力学理论的

29、蒙特卡罗（KMCKMC）扩散方程。在经典的工艺制程仿真工具中，连续性的扩散方程用于描述杂质的传输及体内杂质剂量的守恒。对于大尺寸半导体器件的可制造性设计描述是有意义的，而对于特征尺寸低于100nm100nm的小尺寸器件工艺制程中，则很难保持器件可制造性设计的准确预言。对于小尺寸器件工艺制程，应考虑(kol)(kol)杂质的活化行为，包括各类杂质、缺陷之间的作用。器件尺寸的等比缩小，导致极小区域内载流子的行为会影响一只晶体管的阈值特性，说明大范围的连续性描述将不能够准确地描述局部区域内的离散分布和离散行为。第24页/共37页第二十五页，共38页。3-5 3-5 氧化(ynghu)(ynghu)模

30、型Sentaurus ProcessSentaurus Process完成硅的热氧化模拟，严格 地 基 于 硅 的 分 步 骤 氧 化 模 型 ， 这 就 是(jish)(jish)经典的三步骤氧化过程：步骤1. 1. 氧化剂粒子由汽相环境迁移到汽相初始氧化物界面位置处；步骤2. 2. 氧化剂（H2OH2O或O2O2）粒子质量转移通过汽相初始氧化物界面，抵达初始氧化物硅界面位置处；步骤3. 3. 氧化剂与硅反应形成新的氧化物使初始氧化层增厚，体积膨胀引起氧化硅硅界面向硅一侧移动。第25页/共37页第二十六页，共38页。4 Sentaurus Process4 Sentaurus Process

31、工艺仿真(fn zhn)(fn zhn)实例本节将结合(jih)典型的纳米级N M O S 工 艺 制 程 仿 真 实 例 介 绍Sentaurus Process的基本应用。该仿真命题为完成一款90nm栅长NMOS集成化管芯工艺制程的工艺级可制造性设计。仿真命题中所涉及到的诸多Sentaurus Process工具应用技术细节，均经Synopsys Inc.授权。第26页/共37页第二十七页，共38页。4-1 4-1 工艺(gngy)(gngy)制程设计方案实现集成电路制造工艺制程的工艺级可制造性设计，首先需要基于(jy)工艺制程的流程设计方案。这里，以典型的90nm集成化NMOS管芯工艺的

32、流程为例，结合Sentaurus Process的仿真流程进行简单地介绍。要设计的NMOS管芯整体结构如图11.4所示：图11.4 NMOS管芯的二维剖面(pumin)结构第27页/共37页第二十八页，共38页。下面将结合上一节给出的纳米级NMOS仿真实例编撰其Sentaurus Process工艺级仿真的卡命令文件。通过卡命令文件的编撰进一步熟悉Sentaurus Process卡命令文件的编撰规则及常用语句、命令。该仿真实例为90nm栅长NMOS工艺制程，仿真所涉及到的Sentaurus Process工具的相关技术细节(xji)，均经Synopsys Inc.授权。该纳米级集成化NMOS

33、管芯基于CMOS架构中，使用Sentaurus Process对MOSFET结构进行二维仿真，但没有考虑其外围的隔离结构及隔离性能。本文将结合相对独立的卡命令段进行必要的说明，工艺级仿真卡命令文件的编撰细节(xji)如下：1.定义二维网格2.定义仿真区域并对仿真区域初始化3.定义网格细化规则4.保存一维掺杂信息4-2 工艺仿真(fn zhn)卡文件的编撰第28页/共37页第二十九页，共38页。4-3 4-3 仿真实例卡文件(wnjin)(wnjin)范本基于我们在11-4-2节所进行的教学实例仿真卡命令文件编撰过程的详解，本节给出纳米级NMOS仿真实例Sentaurus Process工艺级仿

34、真卡命令文件的完整范本，以飨读者。便于专攻此学科领域(ln y)的学者专家们研读。本卡命令文件范本经Sentaurus Process for Linux 2006.6、Inspect、Tecplot SV环境下调试通过。第29页/共37页第三十页，共38页。4-4 4-4 工艺(gngy)(gngy)制程仿真结果图11.5 90nm NMOS管芯的三维结构 图11.6 管芯的三维浓度(nngd)等位分布第30页/共37页第三十一页，共38页。4-5 4-5 工艺(gngy)(gngy)仿真结果的分析5 Sentaurus Structure Editor5 Sentaurus Structu

35、re Editor器器件件(qjin)(qjin)结构生成器结构生成器5-1 5-1 器件(qjin)(qjin)结构生成器概述第31页/共37页第三十二页，共38页。Sentaurus Structure EditorSentaurus Structure Editor（或称之为：Sentaurus Device EditorSentaurus Device Editor；简称为：SDESDE；运行命令的指令即为sdesde）是Synopsys Inc.TCAD SentaurusSynopsys Inc.TCAD Sentaurus系列工具中新增加的具有器件结构(jigu)(jigu)编辑

36、功能的集成化TCADTCAD器件结构(jigu)(jigu)生成器。针对没有器件结构(jigu)(jigu)编辑功能的、非集成化的TCADTCAD工艺仿真器（例如ProcessProcess工艺仿真系统），可与Sentaurus Sentaurus Structure EditorStructure Editor联动使用，从而弥补了ProcessProcess与Sentaurus Structure EditorSentaurus Structure Editor各自的不足。若使用Sentaurus Structure EditorSentaurus Structure Editor，则提高了

37、Sentaurus Sentaurus TCADTCAD仿真系统的集成化程度，是Sentaurus TCADSentaurus TCAD系列工具最为突出的技术性升级。第32页/共37页第三十三页，共38页。图11.7 Sentaurus Structure Editor主界面(jimin)示意图第33页/共37页第三十四页，共38页。5-2 5-2 使用(shyng)SDE(shyng)SDE由ProcessProcess到DeviceDevice的接口Sentaurus TCADSentaurus TCAD系列仿真工具组中，Sentaurus Sentaurus Structure Edit

38、orStructure Editor工具是不可或缺的。这是因为在使用Sentaurus ProcessSentaurus Process执行完工艺级仿真之后(zhhu)(zhhu)，所生成的含有器件结构信息和网格、掺杂数据信息的文件并不能直接被器件物理特性模拟工具Sentaurus Sentaurus DeviceDevice调用。在使用Sentaurus DeviceSentaurus Device执行器件物理特性模拟之前，必须使用Sentaurus Structure Sentaurus Structure EditorEditor将ProcessProcess工艺仿真阶段所生成的电极激活

39、，并调入ProcessProcess仿真过渡过来的掺杂信息，进行网格细化处理，方可执行器件物理特性模拟。第34页/共37页第三十五页，共38页。5-3 5-3 使用SDESDE创建(chungjin)(chungjin)新的器件结构下面，以创建如图11.31所示的三维的MOSFET结构为例，简要的介绍如何在Sentaurus Structure Editor环境下创建新的器件结构。1 Sentaurus Structure Editor环境的初始化在Sentaurus Structure Editor工艺仿真器环境下创建一个新项目（如：完成某器件的三维工艺级仿真）的设计，首先要进行Sentaurus Structure Editor环境的初始化。Sentaurus Structure Editor环境的初始化就是要清除(qngch)已经定义过的所有设计内容。第35页/共37页第三十六页，共38页。2 设置精确的坐标模式(msh)3 如何采用自动命名器件结构区域模式(msh)4 如何选择构成器件结构的材料5 如何选择默认的boolean区域重合方案6 如何创建立方体形式的器件结构区域第36页/共37页第三十七页，共38页。感谢您的观看(gunkn)！第37页/共37页第三十八页，共38页。