实验二静态随机存储器实验(1).doc

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1、【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流实验二静态随机存储器实验(1).精品文档.南京理工大学计算机科学与工程学院实验报告姓 名学 号专业班级9121065502课程名称计算机组成原理实验设计实验日期成 绩指导教师批改日期实验名称3.2 静态随机存储器实验一、实验目的掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。二、实验设备 PC机一台，TD-CMA实验系统一套。三、实验原理 实验所用的静态存储器由一片 6116（2K8bit）构成（位于 MEM 单元），如图 2-1 所示。6116 有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如表 2-1 所示。当片选

2、有效（CS=0）时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作，本实验将 CS 常接地。图 2-1 SRAM6116引脚图由于存储器（MEM）最终是挂接到 CPU 上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得 CPU 能控制 MEM 的读写，实验中的读写控制逻辑如图 2-2 所示，由于T3的参与，可以保证 MEM的写脉宽与T3一致，T3 由时序单元的TS3给出。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。表 2-1 SRAM6116功能表CSWEOE功 能1000100010不选择读 写 写图 2-2 读写控制逻辑实验原理图如图 2-3 所示，存储器数据线接

3、至数据总线，数据总线上接有8个 LED 灯显示 D7D0 的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有 8 个 LED 灯显示 A7A0 的内容，地址由地址锁存器（74LS273，位于PC&AR单元）给出。数据开关（位于IN单元）经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址 A7A0，6116 的高三位地址 A10A8 接地，所以其实际容量为 256 字节。图 2-3 存储器实验原理图实验箱中所有单元的时序都连接至时序与操作台单元，CLR都连接至 CON单元的CLR按 钮。实验时 T3 由时序单元给出，其余信号由 CON 单元的二进制开关模

4、拟给出，其中 IOM 应为 低（即 MEM 操作），RD、WR 高有效，MR 和 MW 低有效，LDAR 高有效。 四、实验步骤 (1)关闭实验系统电源，按图 2-4 连接实验电路，并检查.图 2-4 实验接线图 (2)将时序与操作台单元的开关 KK1、KK3 置为运行档、开关 KK2 置为单步档。 (3)将 CON 单元的 IOR 开关置为 1,打开电源开关，如果听到有嘀 报警声，说明有总线竞争现象，立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。 (4)给存储器的 00H、01H、02H、03H、04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、13H、14H、15H。由前面的存储器实验原理图2-

5、3可以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤如下图2-5.图 2-5 写存储器流程图 再写数据，具体操作步骤如下图2-6。 图 2-6 读存储器流程图 实验箱和PC联机操作，可通过软件中的数据通路图来观测实验结果，,方法是：打开软件，选择联机软件的“【实验】【存储器实验】”，打开存储器实验的数据通路图。 进行上面的手动操作，每按动一次ST按钮，数据通路图会有数据的流动，反映当前存储器所做的操作,借助于数据通路图，仔细分析 SRAM 的读写过程。 实验结果： 单元地址写入数据读出数据第一部分地址00H11H11H01H12H12H02H13H1

6、3H03H14H14H04H15H15H第二部分地址15H11H11H56H21H21HA2H22H22HD4H32H32HE1H41H41H五、实验总结 1,在读出数据完成时,应先关闭RD按钮然后再关闭IOR按钮，否则就会产生“滴”的声音。2，在插线的过程中注意不要把两头的线插错位或插反了，否则会影响试验结果。3，可以不依次输出存储单元的内容，如在依次输入第 00、01、02、03、04 号存储单元内容后，可以不按顺序随机输出存储单元的内容，如，先输出00号存储单元，然后输出04号存储单元。4，数据通路图会有数据的流动，反映当前存储器所做的操作，即使是对存储器进行读，也应按动一次ST按钮，数据通路图才会有数据流动。5，将 CON 单元的 IOR 开关置为 1后，再打开电源开关，如果听到有嘀 报警声，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除。