实验四 霍尔式传感器的静态位移特性—直流激励.doc

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1、【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流实验四 霍尔式传感器的静态位移特性直流激励.精品文档. 南昌大学实验报告学生姓名： 学 号： 专业班级： 实验类型： 验证 综合 设计 创新 实验日期： 实验成绩： 实验四 霍尔式传感器的静态位移特性直流激励实验目的：了解霍尔式传感器的原理与特性。 所需单元及部件：霍尔片、磁路系统、电桥、差动放大器、V/F表、直流稳压电源，测微头、振动平台。 有关旋钮的初始位置：差动放大器增益旋钮打到最小，电压表置2V档，直流稳压电源置2V档，主、副电源关闭。 实验步骤： （1）了解霍尔式传感器的结构及实验仪上的安装位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号，霍尔片安

2、装在实验仪的振动圃盘上，两个半圆永久磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组合成霍尔式传感器。 （2）开启主、副电源将差动放大器调零后，增益置接近最小，使得霍尔片在磁场中位移时V/F表读数明显变化，关闭主，副电源，根据图1接线，W1、r为电桥单元的直流电桥平衡网络。图1 接线图（3）装好测微头，调节测微头与振动台吸合并使霍尔片置于半圆磁钢上下正中位置。（4）开启主、副电源，调整W1使电压表指示为零。（5）上下旋动测微头，记下电压表读数，建议每隔0.2mm读一个数，将读数填入下表：X（mm）8.4008.6008.8009.0009.2009.4009.600V（v）-0.108-0.101-0.092

3、-0.081-0.067-0.050-0.0349.80010.00010.40010.60010.80011.00011.20011.400-0.0170.0200.0400.0570.0740.0880.1040.116做出VX曲线，指出线性范围，求出灵敏度，关闭主、副电源。 可见，本实验测出的实际上是磁场情况，它的线性越好，位移测量的线性度也越好，它的变化越陡，位移测量的灵敏度也越大。 （6）实验完毕，关闭主、副电源，各旋钮置初始位置。 注意事项： （1）由于磁路系统的气隙较大，应使霍尔片尽量靠近极靴，以提高灵敏度。 （2）一旦调整好后，测量过程中不能移动磁路系统。 （3）激励电压不能过大，以免损坏霍尔片。（4V就有可能损坏霍尔片）