晶体二极管和二极管整流电路.doc
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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流晶体二极管和二极管整流电路1.1晶体二极管课型新课授课班级授课时数1教学目标1熟识二极管的外形和符号2掌握二极管的单向导电性3理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数4会检测二极管教学重点二极管的单向导电性教学难点二极管的反向特性学情分析教学效果教后记新课引入1观察二极管的外形 2得出共性特征:具有两个电极,将其拉入电路中会出现何种特性呢?3演示实验(1)实验电路 (2)现象灯亮或不亮,说明电路导通或不通。结论:有一类器件能单方向导电,这类器件是晶体二极管。1.1.1晶体二极管的单向导电性1结构:一个是正极,一个是负极2符号:3文字:V4结
2、论:a外加电压为正极高电位,负极低电位时二极管导通,正偏。 b外加电压为负极高电位,正极低电位时,二极管截止,反偏。单向导电性:晶体二极管加一定正向电压时导通,加反向电压时截止。随堂练习判断二极管是否导通 1.1.2PN结1本征半导体:不加杂质的纯净半导体,如硅、锗。2载流子:半导体中存在的两种导电的带电物体。 (1)自由电子:带负电。(2)空穴:带正电。特性:在外电场的作用下具有定向移动的效应,能形成电流。3P型半导体:在本征半导体中掺三价元素。空穴数大于自由电子数。即:多数载流子为空穴,少数载流子为电子。4N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素。 即:多数载流子为电子,少数载流子为空穴。注
3、意:无论是P型、N型半导体,其正、负电荷总是相等的,整个半导体保持电中性。5PN结 采用掺杂工艺,使硅或锗的一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体区域,在P区和N区的交界面形成一个具有特殊电性能的薄层,称为PN结。 将PN结加封装成二极管,从P区引出为正极,N区引出为负极。结论:(1)PN结正向偏置时,电阻很小,导通。(2)PN结反向偏置时,电阻很大,截止。(展示各种二极管)(观察灯的发光情况)(引导)(讨论、回答、评析)(讲解)(讲解)(图形模拟)(引导)练习1画一个可使灯发光的二极管电路。2将以下器件串联,使二极管导通。 (学生完成)3画出图中的电流通路。小结半导体材料:硅、锗P型、N型
4、PN结单向导电性二极管布置作业习题一1-1、1-2、1-3、1-4;判断下图中二极管是否导通。课题1.1.31.1.5二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数课型新课授课班级授课时数1教学目标1熟悉二极管的伏安特性2会简单测试二极管3理解二极管的分类、型号及参数教学重点伏安特性、测试方法教学难点二极管的反向特性学情分析教学效果教后记新课A复习1二极管的特性是 ,具体体现为加 电压导通,加 电压截止。 2判断下列电路中二极管导通情况。 B引入从以上第1题来看,V是否能导通,需进一步研究二极管的伏安特性。 C新授课1.1.3伏安特性实验:二极管伏安特性测试 目的:得出二极管电流随二极管电压的变化关系
5、实验电路:调节触头,使加于二极管两端的电压变化,观察毫安表的变化情况有以下结论: (1)当正向电压较小时,正向电流极小,称为死区,死区电压:硅0.5 V,锗0.2 V。(2)当正向电压大于死区电压时,电流随电压增大而急剧增大,二极管导通。(3)二极管导通后,两端电压基本稳定,一般硅为0.7 V,锗为0.3 V。反向特性:(1)当加反向电压时,二极管反向电阻很大,电流极小,此时电流为反向饱和电流。(2)当反向电压不超过反向击穿电压时,反向饱和电流几乎与反向电压无关。(3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大,此时反向电压为反向击穿电压。 击穿:电击穿可恢复; 热击穿不可恢复。注意:二极管正向
6、电流不能过大,为限制电流,应在二极管电路中加串联电阻起限流作用。1.1.4二极管的简单测试一、测试基本原理(1)二极管的伏安特性:正向时,电阻小,导通;反向时,电阻大,截止。 (2)万用表电阻挡用万用表内部电源。注意:表内电池的正极与黑表笔相连,不能与万用表面板的“”、“”相混。二、测试方法1选用万用表R100、R1k挡问题:为什么不选用R1挡(电流较大)R10k挡(电压较高,二极管损坏) 2接线3结论 (1)一次电阻较大(大于几百千欧),一次电阻较小(几百欧、几千欧),说明二极管正常。(2)阻值小的,与黑笔相接的为二极管的正极。1.1.5二极管的分类、型号和参数1分类(1)材料:硅二极管、锗
7、二极管(2)结面积:点接触型、面接触型(3)用途:整流、稳压、发光、光电、变容2主要参数(1)最大整流电流IFM:二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。(2)最高反向工作电压VRM:二极管允许承受的反向工作电压峰值,反向击穿电压。(3)反向漏电流IR:规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小,二极管的单向导电性能越好。(填空)(练习)(讨论)(引导)(演示实验、观察变化)(讲解)(引导分析伏安特性)(引导)(提问,引起思考)(实操)练习小结1伏安特性2测试3分类布置作业习题一1-5,1-6,1-7课题1.2晶体二极管整流电路课型新课授课班级授课时数2教学目标1能理解整流的概念2
8、掌握单相半波、全波整流电路的工作原理,会计算负载的整流二极管上的电压和电流教学重点整流电路中二极管的电压教学难点整流电路的工作原理和波形分析学情分析教学效果教后记新课A复习1硅二极管的门坎电压为 V,导通电压为 V。锗二极管的门坎电压为 V,导通电压为 V。2比较硅二极管和锗二极管的反向漏电流。 3说出以下电路中硅二极管能否导通及二极管上的电压。导通Vv = 0.7 V 截止Vv = 3 V(反向)B引入利用二极管的单向导电性,可将交流电转成直流电,电路如何构成,工作原理怎样?C新授课整流:将交流电转换成直流电的过程。整流电路:利用晶体二极管的单相导电性,将单相交流时间性转换成直流电的电路。1
9、.2.1单相半波整流电路一、工作原理 1电路构成2工作分析(1)单相交流电压v1经变压器降压后输出为v2;(2)当v2正半周时,A为正,B为负。 二极管承受正向电压导通,电路有电流。问题:a标出电流方向。b若二极管电压为0,vL与v2的关系如何?(3)当v2负半周时,B为正,A为负。二极管随反向电压截止,电路中几乎无电流。 结论:负载RL上只有自上而下的单方向电流,即RL的电流为直流电流。3波形分析av2与v1是变压关系,波形为正弦波。 b正向导通时,vL与v2几乎相等,即vL随v2同步变化。c负载上的电流与电压波形类似,因为是阻性负载。d反向截止时,v2的电压加于二极管,二极管反向电压与v2
10、负半周相同。(引导学生作出波形。)二、负载和整流二极管上的电流1负载两端电压以平均值表示VL = 0.45 V2V2为变压器二次电压有效值,用欧姆定律计算2负载电流平均值3二极管的正向电流IV与流过负载RL的电流IL相等(提示二极管与负载的串联关系)4二极管反向电压截止时承受反射峰值电压5选择二极管额定电压反向峰值电压二极管额定整流电流实际流过电流(回答)(引导观察电路)(引导分析)(讨论、回答、评析)(解释“几乎”二字)(点明波形分析关键几点)练习提供参数,进行计算V2 = 18V,RL = 24,求VL,IL小结1组成2原理3输出电压4二极管参数布置作业补充1画单相半波整流电路,并分析其工
11、作原理。2画出负载上电压、电流波形。课题1.2.2全波整流电路课型新课授课班级授课时数1教学目标1能理解单相全波整流电路的工作原理,波形分析2会计算负载和整流二极管上的电压和电流3会分析桥式单相全波整流电路,会计算教学重点桥式整流电路教学难点负载上和整流二极管上的电压和电流学情分析教学效果教后记新课A复习半波整流电路和相关公式 (1)VL = 0.45V2(2)(3),Iv = ILB引入从半波整流波形中可知,单相半波整流电路电源利用一半将电路改变,可以提高电源利用率。 C新授课1.2.2单相全波整流电路一、变压器中心抽头式单相全波整流电路1电路 变压器二次若为正半电压,则A端为正,B端为负,
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