模拟电子技术习题答案.doc
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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流模拟电子技术习题答案.精品文档.习 题 答 案题1.1 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。题1.2 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压 。设二极管的导通压降为。 解:(a)UO=UAUD=5V0.7V=5.7V(b)UO=UB=UC=5V(c)UO=UA=0.7V(d)UO=UA=9.3V 题1.3 二极管电路如图T
2、1.3 (a) 所示,已知 ,电容C和直流电源E对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。 解: 题1.4 设图T1.4中的二极管D为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。解:(a) , 二极管导通;(b) , 二极管截止。题1.5 在图T1.5所示电路中,已知,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。分别画出它们的输出波形和传输特性曲线。解:题1.6 有两只硅稳压管、,它们的正向导通电压,稳压值分别为,。试问:(1) 将它们串联相接时可以得到几种稳压值,各为多少?(2) 将它们并联相接时又可以得到几种稳压值,各为多少?解:(1)6.7V
3、,9.7V,15V;(2)0.7V,6V。题1.7 已知稳压管的稳压值,最小稳定电流,,求图T1.7所示电路中和的值。 解:(a)假设稳压管能够稳压则:,假设成立,所以UO1=6V ; (b)若稳压管能够稳压则:,假设不成立,稳压管不导通,所以。 题1.8 电路如图T1.8所示,已知,。稳压管的稳定电压,稳定电流,最大稳定电流求流过稳压管的电流如果断开,将会出现什么问题?的最大值为多少?解:假设稳压管能够稳压,则:假设成立,且,如果R2断开,稳压管中电流过大将被烧坏; ,R2的最大值为2k。题1.9测得放大电路中的两个晶体管的两个电极电流如图T1.9所示。 (1) 另一个电极的电流,并在图中标
4、出实际方向;(2) 判断它们的管型,并标出e、b、c极; (3) 估算它们的值和值。解:图(a):(1)2mA,流入电极,(2)NPN型管,上e左c右b ,(3)=100,=0.99;图(b):(1)0.3mA,从电极流出,(2)PNP型管,上c左b右e ,(3)=40,=0.975。题1.10 有两只晶体管,A管的,;B管的,其它参数大致相同,用作放大时最好选用哪只管?解:B管。(选用BJT时,一般希望极间反向饱和电流尽量小些,以减小温度对BJT性能的影响)。题1.11 在放大电路中,测得三只晶体管各个电极的电位如下, A管:2V,2.7V,6VB管:2.2V,5.3V,6VC管:4V,1.
5、2V,1.4V试判断晶体管的类型、材料、电极。解:A管:NPN型,硅,e,b,c;B管:PNP型,硅,c,b,e;C管:PNP型,锗,c,e,b。题1.12 用万用表直流电压档测得某电路中三只晶体管各电极的电位如下,A管:, ;B管:,;C管:,。试判断晶体管的工作状态。解:A管:放大状态,B管:放大状态,C管:临界饱和状态。题1.13工作在饱和状态的PNP型晶体管,三个电极电位的关系哪一组正确?(1),; (2),;(3),; 解:(1)组正确题1.14 电路如图T1.14所示,已知晶体管,导通时,试分析为0、1V、2V三种情况下晶体管T的工作状态即输出端电压的值。解:VBB=0时,T截止,
6、uO=12V;VBB=1V时,T放大,uO=9V;VBB=2V时,T饱和,uO0.7V。题1.15 电路如图T1.15所示,晶体管的,饱和管压降;稳压管的稳定电压,正向导通电压。试问:当和时的值各为多少?解:ui=0V时uO=UZ=5V;ui=5V时uO=0.1V。题1.16 某晶体管的极限参数PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V。试问:(1)若它的工作电压,则工作电流不得超过多少?(2)若工作电流,则工作电压不得超过多少? 解:(1) IC不得超过5mA(2) UCE不得超过30V题1.17电路如图T1.17(a)所示,场效应管T的输出特性曲线如图(b)所示。(1
7、)画出T在恒流区的转移特性曲线;(2)分析当uI为4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域?解:(1) 略(2) uI=4V时,T工作在夹断区;uI=8V时,T工作在恒流区;uI=12V时,T工作在可变电阻区。题1.18 已知某场效应管的,求时的低频跨导。解:gm=3.5mS题1.19 已知场效应管的输出特性曲线如图T1.19所示,求管子的下列参数:(1) 夹断电压或开启电压;(2) 时的漏源击穿电压;(3) 、时的跨导。 解:(1) 开启电压UGS(th)=3V;(2) 当UGS=4V时,U(BR)DS=18V;(3) gm=2.83mS题1.20 试说明图T1.20所示的器件
8、各工作在什么区域?已知:T1管,管,管。解:T1管工作在放大区,T2管工作在恒流区,T3管工作在可变电阻区。题2.1试分析图T2.1所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。解:(a) 不能。因为输入信号被基极电源短路。(b) 可能。(c) 不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。(d) 不能。晶体管因发射结电压过大而损坏。(e) 不能。因为输入信号被电容交流短路。(f) 不能。因为输出信号被电源交流短路。(g) 可能。(h) 可能。(i) 不能。因为场效应管T截止。题2.2填空:要求先填文字表达式后填得数。在图T2.2
9、所示电路中,已知,晶体管的,。(1)当时,测得,若要基极电流,则和之和= ;而若测得,则= 。(2)若测得输入电压有效值时,输出电压有效值,则电压放大倍数 。若负载电阻值与相等,则带上负载后输出电压有效值 = V。解:(1),(2),题2.3已知图T2.2所示电路中,静态管压降;并在输出端加负载电阻。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值(A); A.2V B.3V C.6V (2)当时,若在不失真的条件下,减小,则输出电压将(C); A.减小 B.不变 C.增大 (3)在时,将调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将(B); A.顶部失
10、真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将(B)。 A.减小 B.减小 C.减小题2.4现有基本放大电路如下:选择正确答案填入空内 A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 (1)输入电阻最小的电路是 ,最大的是 ; (2)输出电阻最小的电路是 ; (3)有电压放大作用的电路是 ; (4)有电流放大作用的电路是 ; (5)高频特性最好的电路是 ;(6)输入电压与输出电压同相的电路是 ;反相的电路是 。解:(1)C,BDE(2)B (3)ACD(4)ABDE(5)C(6)BCE,AD 题2.5画出图T2.5所示各电路的直流通路和交
11、流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。解:题2.6电路如图T2.6(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压(有效值)。解:空载时:,;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。带载时:,;最大不失真输出电压峰值约为2.3V,有效值约为1.63V。解如图所示。题2.7在图T2.7所示电路中,已知晶体管的,;静态时,。判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“”,否则打“”。(1)( ) (2)( ) (3)( ) (4)( ) (5)( ) (6)( ) (7)( ) (8)( )(9)( ) (10)( )(11)
12、( ) (12)( )解:(1) (2) (3) (4) (5) (6)(7) (8) (9) (10) (11) (12) 题2.8已知固定偏置放大电路中晶体管的, (1)现已测得静态管压降,估算为多少千欧;(2)若测得和的有效值分别为1mV和100mV,则负载电阻为多少千欧?解:(1)求解:,(2)求解:,解得,其中。 题2.9电路如图T2.9所示,晶体管的,。 (1)求电路的Q点、和;(2)若电容开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?解:(1)静态分析: 动态分析: (2)增大,;减小,1.92。题2.10试求出图T2.5(a)所示电路Q点、和的表达式。解:Q点为、和的表达
13、式分别为题2.11试求出图T2.5(b)所示电路Q点、和的表达式。设静态时中的电流远大于T的基极电流。解:Q点:、和的表达式分别为题2.12设图T2.12所示电路所加输入电压为正弦波。试问:(1) (2)画出输入电压和输出电压、的波形;解:(1)因为通常,所以电压放大倍数分别应为:(2)两个电压放大倍数说明,。波形如图所示。题2.13电路如图T2.13所示,晶体管的,。(1)求出Q点;(2)分别求出和时电路的;(3)求出和。解:(1)求解Q点: (2)求解输入电阻和电压放大倍数: 时时 (3)求解输出电阻: 题2.14已知图T2.14(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)(
14、c)所示。(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解、和。解:(1)在转移特性中作直线,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出,。如图所示。题2.15电路如图T2.15所示,已知场效应管的低频跨导为,试写出、和的表达式。解:、Ri和Ro的表达式分别为题2.16 解:(1)A (2)B,A (3)B A (4)C C题2.17解:(1) 。;。 (2) ;,。题2.18已知某电路的波特图如图T2.18所示,试写出的表达式。解:设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。题3.1 (1)集成工艺不易制作大容量电容 (2)减小温漂 (3)共射放大电路(4)克服温漂 (5)差,平均值 (6
15、)抑制共模信号能力增强 (7)带负载能力强 (8)恒定,小,大题 3.2OCL功率放大电路如图T3.2所示,其中的偏置电路未画出。若输入为正弦电压,互补管、的饱和管压降可以忽略,试选择正确答案填空。(1) 和的工作方式为(甲乙类)。(2)理想情况下,电路的最大输出功率为。(3)电路中的作是充当T1的集电极负载,和的作用是消除交越失真。题3.3已知一个集成运放的开环差模增益为100dB,最大输出电压峰-峰值,分别计算差模输入电压(即)为10V、100V、1mV、1V和10V、100V、1mV、1V时的输出电压。解:uI为10V、100V、1mV、1V和10V、100V、1mV、1V时,分别为1V
16、、10V、14V、14V、1V、10V、14V、14V。题3.4图T3.4所示电路参数理想对称,。(1)写出的滑动端在中点时的表达式;(2)写出的滑动端在最右端时的表达式,比较两个结果有什么不同。解:(1) (2),比较结果可知,两种情况下的完全相等;但第二种情况下的。题3.5图T3.5所示电路参数理想对称,晶体管的均为50,。试计算滑动端在中点时管和管的发射极静态电流,以及动态参数和。题3.6图T3.6是一个单端输出的差分放大电路,试指出1、2两端中哪个是同相输入端,哪个是反相输入端,并求出该电路的共模抑制比。设, ,三极管的,。解:1为反相端、2为同相端, 题3.7电路如图T3.7所示,管
17、和管的均为40,均为。试问:若输入直流信号,则电路的共模输入电压=?差模输入电压=?输出动态电压=?()解:题3.8电路如图T3.8所示,晶体管的,。(1)计算静态时管和管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得,=?若,则=?解:(1), (2),题3.9场效应管具有输入阻抗(达以上)的特点。图T3.9是高输入阻抗型场效应管差动放大电路,作为高阻型集成运放的输入级。已知,求:(1)差模电压增益,共模电压增益以及共模抑制比;(2)当时,输出电压=?解:(1),;(2)。题3.10在题3.9中,若由改为,其他参数保持不变,单端输出时的共模抑制比将为多少?解:。题3.11电路如图T3.11所示
18、,已知:晶体管的,;的,;,。试求: (1)开关、均置于位置“1”时的;(2)开关、均置于位置“2”时的。解:(1) (2) 题3.12试判断图T3.12所示各种复合管的连接是否正确。如正确,指出它们各自等效于什么类型的管子,管脚1、2、3分别对应于什么电极。解:(a)正确,NPN型管,1端为c极、2端为b极、3端为e极; (b)错误 ;(c)错误 ; (d)正确,增强型N沟道MOS管,1端为d极、2端为g极、3端为s极;(e)错误;(f)错误(g)正确,NPN型管,1端为e极、2端为b极、3端为c极。题3.13工作在乙类的OCL电路如图T3.13所示,已知,为正弦电压,求在的时候,电路的最大
19、输出功率、效率和管耗。解:,。题3.14某电路如图T3.14所示,试分析:(1)若、三个元件中有一个出现开路,会出现什么问题?(2),时,最大不失真输出功率为多大?解:(1)导致、过大;、工作电流很大,会使、管烧坏 (2)题3.15在图T3.15所示电路中,已知,和管的饱和管压降,输入电压足够大。试问:(1)最大输出功率和效率各为多少?(2)晶体管的最大功耗为多少?(3)为了使输出功率达到,输入电压的有效值约为多少?解:(1) , (2) (3)题3.16在图T3.16所示电路中,已知二极管的导通电压,晶体管导通时的,和管发射极静态电位。试问:(1) 、和管基极的静态电位各为多少? (2) 设
20、,。若和管基极的静态电流可忽略不计,则管集电极静态电流为多少?静态时?(3)若静态时,则应调节哪个参数可使?如何调节?(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗?你认为哪个最合适?为什么?解:(1) (2),(3)若静态时,则应增大。(4)采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适,也可只用三只二极管。题3.17在图T3.17所示电路中,已知,和管的饱和管压降 ,集成运放的最大输出电压幅值为13V,二极管的导通电压为0.7V。若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少?解:题3.18由对称三极、组成的镜像电流源如图T3.18所示,若,(1)试证明当,;(2)若要求,电阻R应为多大?解
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