电力电子复习资料.doc
《电力电子复习资料.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电力电子复习资料.doc(17页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流电力电子复习资料.精品文档.第一章 电力电子器件1、电力电子器件一般工作在( 开关状态 ) 。2、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度,分为以下三类: ( 半控型器件)、(全控型器件)、(不可控器件)。3、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的( 导通 ),而不能控制器件的( 关断 )4、电力二极管的主要类型有( 普通二极管 ),( 快恢复二极管 )和(肖特基二极管)5、晶闸管的三极为( 阳极 )、 ( 阴极 )、( 门极 )。6、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有( 螺栓型 )与( 平板型 )。7、晶闸管一般工作在( 开关 )状态。
2、晶闸管由( 四 )层半导体构成;有( 3 )个PN结。8、晶闸管的电气符号是 。9、晶闸管导通的条件是在 ( 阳 )极加正向电压,在 ( 门 )极加正向触发电压。10、给晶闸管阳极加上一定的( 正向 )电压;在门极加上( 正向门极 )电压,并形成足够的( 门极触发 )电流,晶闸管才能导通。11、晶闸管的非正常导通方式有 ( 硬导通 ) 和 ( 误导通 ) 两种。12、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于( 擎住 )电流之前,如去掉( 触发 )脉冲,晶闸管又会关断。13、要使晶闸管重新关断,必须将( 阳极 )电流减小到低于( 维持 )电流。14、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流IL在数值大小
3、上有IL( 大于 )IH。15、晶闸管的额定电流是指( 平均 )值;。16、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于( 1.57 )倍IT(AV),如果IT(AV)=100安培,则它允许的有效电流为( 157 )安培。通常在选择晶闸管时还要留出(1.52 )倍的裕量。17、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为 ( 800 ) 伏额定有效电流为( 100 ) 安。18、绝缘栅双极型晶体管是以( 电力场效应管的栅极 )作为栅极,19、GTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过在门极( 负脉冲电流 )使其关断。20、GTO的关断是靠门极加( 负脉冲 )出现门极( 反向电流
4、)来实现的。21、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管(GTR );可关断晶闸管(GTO );功率场效应晶体管( MOSFET );绝缘栅双极型晶体管(IGBT )。22、以( 电力晶体管的发射极、集电极 )作为发射极与集电极复合而成。23、电力器件的换流方式有( 器件换流 )、( 电网换流 )、( 负载换流 )和 ( 脉冲换流) 。24、晶闸管串联使用须采取(均压 )措施25、晶闸管( 串联 )可以均压,( 并联 )可以均流。26、多个晶闸管相并联时必须考虑( 均流 )的问题27、抑制过电压的方法之一是用( 电容 )吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。28、具有自关断能力的电力半
5、导体器件称为( A )A、全控型器件B、半控型器件 C、不控型器件 D、触发型器件29、不属于全控型器件的是( B )A、 GTR B、SCR C、GTO D、IGBT30、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( A )A、GTR B、 MOSFET C、IGBT。31、不属于GTR区域的是( A )。A、非饱和区 B、截止区 C、放大区 D、准饱和区32、晶闸管有(C ) 电极。A: 1个 B: 2个 C: 3个 D: 433、晶闸管稳定导通的条件( C )A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D.晶闸管阳极电
6、流小于晶闸管的维持电流34、当温度降低时,晶闸管的触发电流会( C ) A:降低 B:不变 C:增大35、晶闸管的伏安特性是指( C )A、阳极电压与门极电流的关系B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系36、不属于晶闸管主要参数的是( C )。A、额定电压 B、维持电流 C、阈值电压 D、额定电流37、一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的( C )倍。A12 B13 C23 D1.52.538、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个,并规化为标准电压等级后,定为该晶闸管的( D )A、转折电压B、反向击穿电压 C、阈值电压D、
7、额定电压39、普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( C )来表示的。A 有效值 B 最大值 C 平均值40、在型号KP1012G中,数字10表示( B )A、额定电压10V B、额定电流10A C、额定电压1000V D、额定电流100A41、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为 ( B )A、157A B、100A C、80A D、246.5A42、对同一晶闸管来说,通常IL比IH( B )。A、小 B、大 C、一样 D、可大可小43、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的( B )。A、控制角 B、导通角 C、逆变角44、不属于换流方式的是( A )。A、电路换流 B、电网换流
8、 C、负载换流 D、脉冲换流45、在主电路和控制电路之间,需要( B )对控制电路的信号进行放大。A、触发电路 B、驱动电路 C、缓冲电路 D、整流电路46、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来(C )。A 分流, B 降压, C 过电压保护, D 过电流保护。47、晶闸管的额定电流是有效值。( )48、只要给门极加上触发电压,晶闸管就导通。 ()49、晶闸管的门极可以控制它的导通,但不能控制它的关断。( )50、加在晶闸管门极上的触发电压,最高不得超过100V。()51、对同一晶闸管来说,掣住电流比维持电流大。( )52、断态电压临界上升率太大会使元件误触发导通。( )53、晶闸管在实用中一
9、般只承受换相过电压,没有关断过电压。( )54、采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异。( )55、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。( )56、过快的晶闸管阳极du/dt会使其误导通。()57、使用电力晶体管时,必须要注意“二次击穿”问题。 ( )58、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。 ( )59、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。 ()60、晶闸管有几个引出电极,分别是什么名称答:三个电极、分别是阳极、阴极、门极61、晶闸管导通的条件是什么?导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:须加阳极为正,阴极为负的正向阳极电压;门极为正的正向门极电压。导
10、通后流过晶闸管的电流由负载和电源决定,负载上的电压电源电压决定。62、维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。63、晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:须加阳极为正,阴极为负的正向阳极电压;门极为正的正向门极电压。导通后流过晶闸管的电流由负载和电源决定,负载上的电压电源电压决定。64、简述晶闸管导通的
11、条件与关断条件。答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK0且uGK0。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管65、什么是晶闸管的额定电流?答:在环境温度为400和规定的冷却条件下,晶闸管在电阻性负载导通角不小于1700的单相工频正弦半波电路中,当结温稳定且不超过额定结温时,所允许的最大通态平均电流,称为额定通态平均电流,用IT(AV)表示,将此电流按晶闸管标准电流系列取相应的电流等级,称为元件的额定电流。66、晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:
12、硬导通和误导通两种67、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。普通二极管;普通晶闸管;可关断晶闸管;功率晶体管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极晶体管。答:AK 二极管 晶闸管GTO GTR MOSFET IGBT68、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。答:AK 二极管 晶闸管 GTO 69、某一晶闸管,额定电压为300V,额定电流为100A,维持电流为4mA,使用在下图所示的各电路中是否合理?说明其理由。(不考虑电压、电流裕量)答:(a)因为,所以不合理。(b) 因为, KP100的电流额定值为100,裕量达倍,太大了。(c)因为,大于额定值,所以不合理。70、如图所示,试画出负载Rd
13、上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。解:其波形如下图所示:71、选用可关断晶闸管应注意哪几个问题?答:(1)用门极正脉冲可使GTO导通,门极负脉冲可使GTO关断,但要使GTO关断的门极反向电流比较大,约为阳极电流的1/31/5。需要采用专门的触发驱动电路。(2)GTO的通态管压降比较大,一般为2-3V。(3)GTO有能承受反压和不能承受分压两种类型,使用时要注意不要搞错。72、什么叫GTR的一次击穿?什么叫GTR的二次击穿?答:GTR的一次击穿略。GTR的二次击穿:处于工作状态的GTR,当其集电极反偏电压UCE逐渐增大到最大电压定额BUCEO时,集电极电流急剧增大(雪崩击穿),但此时集电结的
14、电压基本保持不变,这叫做一次击穿。发生一次击穿时,如果有外接电阻限制电流Ic的增大,一般不会引起GTR的特性变坏。如果继续增大UCE,又不限制Ic的增长,当Ic上升到A点(临界值)时,UCE突然下降,而Ic继续增大(负阻效应),这个现象称为二次击穿。73、过电压与过电流产生的原因是什么?答:过电压产生的原因有外因过电压和内因过电压两种,其中外因过电压主要有:操作过电压和雷击过电压,内因过电压主要有:换相过电压和关断过电压。74、过电流产生的原因主要是什么?有哪些保护措施?答:过载和短路。保护措施有:快速熔断器,直流快速熔断器,过电流继电器,电子电路等。75、晶闸管的过电流保护常用哪几种保护方式
15、?其中哪一种保护通常是用来作为“最后一道保护”用?答:晶闸管的过电流保护常用快速熔断器保护;过电流继电器保护;限流与脉冲移相保护和直流快速开关过电流保护等措施进行。其中快速熔断器过电流保护通常是用来作为“最后一道保护”用的。第二章 相控整流电路1、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为( 控制 )角,用( )表示。2、单相桥式相控整流电路中,电阻性负载,晶闸管承受的最大反向电压为 (电源相电压为U2)( ) 晶闸管承受的最大正向电压为( )。3、三相半波可控整流电路的自然换相点是( 的起点 )。4、 三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为( )。(电源电压为U2)5
16、、三相半波相控整流电路,在交流电源一个周期里,输出电压脉动( 3 )次。6、电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压为( ),最大反向电压为(),控制角的移相范围是( 0150 ),使负载电流连续的条件为(30 )。7、变流器是可作( 整流 )电路又可作 ( 逆变 )的电路。8、整流是把 ( 交流 )电变换为( 直流 )电的过程;9、有源逆变产生的条件是触发角a要满足 ( 大于900 )。10、 逆变角与控制角之间的关系为( = )。11、晶闸管可控整流电路中的控制角减小,则输出的电压平均值会( B )。A 不变 B 增大 C 减小。 12、单相全波导电回路只含( A )个
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电力 电子 复习资料
限制150内