薄膜和晶体硅太阳能电池板的区别.doc
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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流薄膜和晶体硅太阳能电池板的区别.精品文档.薄膜和晶体硅太阳能电池板的区别 作者:Mat Dirjish 太阳能电池由来已久,但很长一段时间内仍处于研发阶段。当阳光照射到太阳能电池上时,会产生电荷,出现光伏效应。电荷数量取决于多个因素:电池材料(硅、薄膜等)、电池面积(更大的电池面积意味着更多单个电池可转化为更多电压或电流)以及光源的质量。最高效和最有吸引力的光源就是容易获得且无需成本太阳。 太阳能简介 如果来源可靠的话,是法国物理学家贝克勒尔(Alexandre-Edmond Becquerel) 在1839年无意中在放置在光线下的导电液体中
2、操作电极,从而发现了光伏作用。美国发明家Charles Fritts在1883年左右首次制备了光伏太阳能电池。他的方法是在在硒表面镀上一层薄薄的金,制成的电池的最高效率只有不到1%。当然硒和金的成本很高,这让他的成就打了一些折扣。 故事继续。到了1888年,俄国物理学家Aleksandr Stoletov基于赫兹(Heinrich Hertz)在1887年发现的光电效应组装了光伏电池;1905年,艾尔伯特?爱因斯坦解释了光电效应;1946年,美国工程师Russell Shoemaker Ohl为结型太阳能电池注册了专利;研究最终还导致了晶体管的发明。 贝尔实验室在1954年因为开发首个有效太阳
3、能光伏电池而知名。贝尔实验室使用扩散半导体PN结为太阳能电池带来了效率的提升,但还不足以在具有成本效益的范围内生产。四年后,先锋1号(Vanguard I)卫星发射升空,外壳装配了太阳能电池以延长卫星执行任务的时间,通常任务时间由可用电池的寿命决定。结果证明太阳能电池是有效的,因此集成到了当时的卫星设计中,如贝尔实验室的Telstar卫星。 太阳能电池在此后的20年里发展很缓慢,直到埃克森石油公司的Eliot Berman在价格和效率方面取得突破。1969年左右,Berman首先注意到了太阳能电池可以通过半导体生产工艺进行制造。不用从头开始切割打磨半导体,也不用抗反射涂层,半导体晶圆废品的正面
4、就具有抗反射性,只需要切割到合适的尺寸,加上印刷电路,用于抗反射表面就可以了。 Berman的办法解决了两个成本巨大的制作过程,而且让硅片废品得以广泛回收利用。他意识到不需要完美的硅片,有少量瑕疵的废弃硅片对太阳能电池的性能影响不大。长话短说,1973年Berman和他的团队制成了成本为10美元/W的太阳能电池板,售价则达到了20美元/W。 晶体硅太阳能电池板 晶体硅(c-Si)太阳能电池是目前应用最广泛的太阳能电池,主要因为晶体硅具有稳定性,效率能够达到15%-25%。晶体硅有赖于基于大量数据的成熟的制程技术,而且总体上已经被证明是可靠的。不过晶体硅吸收光线能力差,这可能是其超小型结构的天生
5、缺陷,因此必须相当厚且坚固。 一个基本的晶体硅电池包括7层(图1),透明的粘着剂连着玻璃保护层,下面是抗反射涂层,确保所有的光线穿过硅晶体层。类似于半导体技术,N层夹着P层,有两个电接触点:上层带正电,下层带负电。 图1:晶体硅电池包含7层,其中两层是外部的电接触将整个结构连在一起通常晶体硅有两种类型:单晶硅和多晶硅。单晶硅来自高纯度的单晶体,切割自直径为150mm的晶圆,厚度为200mm。而多晶硅更受欢迎,制造量更大,例如将硅切割成条状再切成晶圆。无论哪一种,硅太阳能电池产生的电量都约为0.5V,多个电池可以串联依靠提高输出电压。 薄膜太阳能电池板 即使采用废弃硅片,考虑到其效率水平,硅晶圆
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