IGCT在大功率电压源逆变器中的应用.docx
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1、IGCT在大功率电压源逆变器中的应用lijuan导语:介绍了IGCT使用中应留意的事项及IGCT在两电平逆变器及中点箝位三电平逆变器应用中箝位电路的参数设计方法。摘要:介绍了IGCT使用中应留意的事项及IGCT在两电平逆变器及中点箝位三电平逆变器应用中箝位电路的参数设计方法,分析了IGCT在中点箝位三电平逆变器应用中需要施加外触发的原因,给出了IGCT在6kV高压变频调速及50MVASTATCOM中的应用情况,并给出了大功率逆变器额定运行工况试验方法及试验结果。关键词:高压变频器,STATCOM,集成门极换向型晶闸管采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率开关器件,它相对于采用晶体管技术的IGBT
2、在截止电压上有更高的性能,但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断经过,需要高本钱的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的门极驱动单元,因此造成可靠性下降和价格较高的缺点。此外,也不利于串联以便用于更大容量的装置。硬驱动概念的出现极大地改良了GTO的关断性能。IGCT在GTO技术的根底上,采用硬驱动技术,并将门极驱动电路、GTO芯片和反并联二极管集成于一体,结合了晶闸管的低通态损耗和晶体管均匀的关断才能两种优点,具有开关频率高、损耗小、无需关断吸收电路、串联轻易实现等优点,已逐步取代GTO广泛应用于中等电压大容量变流器中。本文介绍了IGCT使用中应留意的事项及IGCT在两电平逆
3、变器及中点箝位三电平逆变器应用中箝位电路的参数设计方法,分析了IGCT在中点箝位三电平逆变器应用中需要施加外触发的原因,给出了IGCT在6kV高压变频调速及50MVASTATCOM中的应用情况,并给出了大功率逆变器额定运行工况试验方法及试验结果。1IGCT过电压箝位电路参数设计链节的设计主要围绕IGCT的平安运行进展,包括驱动电源、控制与保护电路的设计及箝位电路参数设计。IGCT控制与保护电路的设计应留意如下要求:1链节直流电容电压必须在IGCT驱动电源完全建立之后建立;相反,IGCT驱动电源必须在链节直流电容完全放电之后关闭,否那么,由于IGCT驱动电路的特殊机理,会导致IGCT误导通进而导
4、致桥臂直通,损坏IGCT。2控制电源上电经过中应防止产生异常高频驱动脉冲信号,这会导致驱动功率放大局部功率器件损坏。3驱动脉冲处理电路要保证最小开通和最小关断时间都大于10微秒。4当应用于二极管箝位三点平逆变器时,必须给内部6只IGCT施加正确的外触发脉冲。当不采用关断吸收电路时,IGCT关断过电压箝位电路的布置必须仔细设计,确保其回路杂散电感小于IGCT参数表中推荐的值。LA为阳极电抗,起到抑制IGCT开通电流上升率di/dt的作用,DA、CCL、RA起到IGCT关断过电压箝位的作用。IGCT箝位电路参数按如下方法设计:1阳极电抗di/dtmax是IGCT和反并联二极管允许的最大值。即在电压
5、型逆变器中,每个IGCT的导通都伴随着一个二极管的关断,因此必须考虑二极管关断时允许的最大di/dt。2阳极电路与桥臂间的杂散电抗越小越好。越大导致IGTC关断损耗和第一个关断过电压越大,平安工作区越小。3箝位电路当直流侧电容远大于箝位电容且杂散电感可忽略时,阳极箝位电路可看成一个阻尼并联谐振的RLC电路。一般的应用中,直流侧电容远大于箝位电容是成立的,但杂散电感一般不可忽略。有时回路CD-CCL-RA中的杂散电感LS对关断时IGCT阳阴极间的第二个过电压峰值VDM的影响不能忽略。然而,不只要考虑VDM,还要考虑阳极电路到预备好下一次换流前所需的时间。当IGCT导通时,箝位二极管被强迫从导通状
6、态或者低电压阻断状态变成高电压阻断状态。假如二极管正在导通,它此时关断的di/dt只被LCL限制。在重复的工况下,这种应力可能会超过二极管允许的di/dt才能。因此,IGCT在关断后必须保持一个最小的关断时间,以保证箝位二极管承受的关断di/dt在允许范围内。知道箝位电抗值后,其他箝位电路元件参数可通过求解二阶微分方程得到。设定阻尼系数D为0.8,那么假如RA-CCL-CD回路的杂散电感很小,就可得到一个可接收的关断暂态经过。最后,IGCT的最小关断时间可设为即是阻尼振荡的周期TD。对5SHX08D4502型IGCT,选LA=12微亨,di/dt最大为230A/uS直流电压为2800V,知足要
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- IGCT 大功率 电压 逆变器 中的 应用
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