模拟电子技术基础知识点总结.docx

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1、模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术温习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

2、*体电阻-通常把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点

3、总结2.三极管内各极电流的分配*共发射极电放逐大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高I、ICEO、IC以及均增加。三.低频小信号等效模型简化hie-输出端沟通短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端沟通短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析

4、法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由VCC=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.沟通通路与动态分析*概念-沟通电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的经过。*沟通负载线-连接Q点和VCC点VCC=UCEQ+ICQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管削

5、底。*消除方法-减小Rb，提高Q。2饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC。4.放大器的动态范围1Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。2范围*当UCEQUCESVCCUCEQ时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点总结当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点总结3.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。2-2场效应管及其基本放大电路一.结型场效

6、应管JFET1.构造示意图和电路符号2.输出特性曲线可变电阻区、放大区、截止区、击穿区转移特性曲线UP-截止电压二.绝缘栅型场效应管MOSFET分为加强型EMOS和耗尽型DMOS两种。构造示意图和电路符号当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点总结当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点总结当前位置：文档视界模拟电子技术基础知识点总结模拟电子技术基础知识点总结第三章多级放大电路第四章集成运算放大电路一.级间耦合方式1.阻容耦合-各级静态工作点相互独立；能有效地传输沟通信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.变压器耦合-各级静态工作

7、点相互独立，能够实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，相互有影响。存在“零点漂移现象。*零点漂移-当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点而作随机变动。二.长尾差放电路的原理与特点1.抑制零点漂移的经过-当TiC1、iC2iE1、iE2uEuBE1、uBE2iB1、iB2iC1、iC2。Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反应电阻。2静态分析1)计算差放电路IC设UB0，则UE=0.7V，得2)计算差放电路UCE?双端输出时?单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：对于VT2：3.动态分析1差模电压放大倍数?双端输出?单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：