模拟电子技术基础_知识点总结.docx

《模拟电子技术基础_知识点总结.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术基础_知识点总结.docx（3页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

模拟电子技术基础_知识点总结模拟电子技术温习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳此页面能否是列表页或首页？未找到适宜正文内容。