华微电子:2019年年度报告.PDF
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1、2019 年年度报告 1 / 187 公司代码:600360 公司简称:华微电子 吉林华微电子股份有限公司吉林华微电子股份有限公司 20192019 年年度报告年年度报告 2019 年年度报告 2 / 187 重要提示重要提示 一、一、 本公司董事会、 监事会及董事、 监事、 高级管理人员保证年度报告内容的真实、 准确、 完整,本公司董事会、 监事会及董事、 监事、 高级管理人员保证年度报告内容的真实、 准确、 完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 二、二、 公司公司全体董事出席全体董事出席董
2、事会会议。董事会会议。 三、三、 众众华会计师事务所(特殊普通合伙)华会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了为本公司出具了标准无保留意见标准无保留意见的审计报告。的审计报告。 四、四、 公司负责人公司负责人夏增文夏增文、主管会计工作负责人、主管会计工作负责人王晓林王晓林及会计机构负责人(会计主管人员)及会计机构负责人(会计主管人员)朱晓丽朱晓丽声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、五、 经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2019年度的利润分配预案为:
3、以公司现有总股本963,971,304股为基数, 拟每10股派发现金股利0.25元(含税),总计派发现金股利24,099,282.60元,剩余40,897,112.81元转至以后年度分配。本年度不进行资本公积金转增股本方案。 六、六、 前瞻性陈述的风险声明前瞻性陈述的风险声明 适用 不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。 七、七、 是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 八、八、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况?是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情
4、况? 否 九、九、 重大风险提示重大风险提示 报告期内,不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在本报告中详细描述可能存在的风险因素,请查阅董事会报告中关于公司未来发展的讨论与分析中可能面对的风险因素及对策部分的内容。 十、十、 其他其他 适用 不适用 2019 年年度报告 3 / 187 目目 录录 第一节第一节 释义释义 . 4 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 . 4 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 . 7 第四节第四节 经营情况讨论与分析经营情况讨论与分析 . 9 第五节第五节 重要事项重要事项 . 21 第六节第六节 普通股股份变动及股东
5、情况普通股股份变动及股东情况 . 35 第七节第七节 优先股相关情况优先股相关情况 . 43 第八节第八节 董事、监事、高级管理人员和员工情况董事、监事、高级管理人员和员工情况 . 44 第九节第九节 公司治理公司治理 . 50 第十节第十节 公司债券相关情况公司债券相关情况 . 54 第十一节第十一节 财务报告财务报告 . 56 第十二节第十二节 备查文件目录备查文件目录 . 187 2019 年年度报告 4 / 187 第一节第一节 释义释义 一、一、 释义释义 在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义: 常用词语释义 华微电子、本公司、公司 指 吉林华微电子股份有限公司 麦吉
6、柯或吉林麦吉柯 指 吉林麦吉柯半导体有限公司 广州华微 指 广州华微电子有限公司 吉林斯帕克 指 吉林华微斯帕克电气有限公司 深圳斯帕克 指 深圳斯帕克电机有限公司 上海稳先 指 上海稳先微电子有限公司 吉华微特 指 深圳吉华微特电子有限公司 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易所 指 上海证券交易所 股东大会 指 吉林华微电子股份有限公司股东大会 董事会 指 吉林华微电子股份有限公司董事会 监事会 指 吉林华微电子股份有限公司监事会 公司章程 指 吉林华微电子股份有限公司章程 公司法 指 中华人民共和国公司法 证券法 指 中华人民共和国证券法 上市规则 指 上海证券交
7、易所股票上市规则 报告期、报告期内、本期 指 2019 年 1 月 1 日至 2019 年 12 月 31 日 MOSFET 指 金 属 氧 化 层 半 导 体 场 效 晶 体 管(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistor),是高输入阻抗、电压控制器件。 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管 (Insulated Gate Bipolar Transistor) , 是由 BJT 和 MOSFET 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 三极管(BJT) 指 也 称 双 极 型 晶 体 管 ( Bipolar Junction Tran
8、sistor),是一种具有三个终端的电子器件,是低输入阻抗、电流控制器件。 肖特基势垒二极管 指 肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)是以其发明人肖特基博士命名的一种金属半导体二极管,以下简称肖特基。 第二节第二节 公司简介和主要财务指标公司简介和主要财务指标 一、一、 公司信息公司信息 公司的中文名称 吉林华微电子股份有限公司 公司的中文简称 华微电子 公司的外文名称 JiLin Sino-Microelectronics Co.,Ltd. 公司的外文名称缩写 JSMC 公司的法定代表人 夏增文 2019 年年度报告 5 / 187 二、二、 联系人和联系方式联系
9、人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 夏增文(代) 李铁岩 联系地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 吉林省吉林市高新区深圳街99号 电话 0432-64684562 0432-64684562 传真 0432-64665812 0432-64665812 电子信箱 三、三、 基本情况基本情况简介简介 公司注册地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司注册地址的邮政编码 132013 公司办公地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司办公地址的邮政编码 132013 公司网址 http:/ 电子信箱 IR 四、四、 信息披露及备置地点信息披露及备置地点 公司选定的信息披露媒体名称 中国
10、证券报上海证券报证券时报证券日报 登载年度报告的中国证监会指定网站的网址 http:/ 公司年度报告备置地点 吉林华微电子股份有限公司董事会秘书处 五、五、 公司股票简况公司股票简况 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 华微电子 600360 六、六、 其他其他相相关资料关资料 公司聘请的会计师事务所(境内) 名称 众华会计师事务所(特殊普通合伙) 办公地址 上海市中山南路 100 号金外滩国际广场 6 楼 签字会计师姓名 莫旭巍、奚晓茵 报告期内履行持续督导职责的保荐机构 名称 中信证券股份有限公司 办公地址 深圳市福田区中心三路
11、 8 号中信证券大厦 19层 签字的保荐代表人姓名 马军立、王玥 持续督导的期间 2019 年 4 月 11 日至 2020 年 12 月 31 日 2019 年年度报告 6 / 187 七、七、 近三年主要会计数据和财务指标近三年主要会计数据和财务指标 (一一) 主要会计数据主要会计数据 单位:元 币种:人民币 主要会计数据 2019年 2018年 本期比上年同期增减(%) 2017年 营业收入 1,656,485,627.44 1,709,262,283.67 -3.09 1,634,890,299.33 归属于上市公司股东的净利润 64,996,395.41 106,006,552.17
12、 -38.69 94,853,828.23 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 57,086,538.89 96,391,923.04 -40.78 82,991,840.98 经营活动产生的现金流量净额 160,928,274.45 423,439,353.42 -61.99 101,678,870.33 2019年末 2018年末 本期末比上年同期末增减(%) 2017年末 归属于上市公司股东的净资产 3,107,831,715.78 2,248,472,236.76 38.22 2,121,113,583.59 总资产 5,751,631,052.89 4,385,065,06
13、2.59 31.16 4,079,124,656.24 期末总股本 963,971,304.00 751,588,000.00 28.26 751,588,000.00 ( (二二) ) 主要财务指标主要财务指标 主要财务指标 2019年 2018年 本期比上年同期增减(%) 2017年 基本每股收益(元股) 0.07 0.14 -50.00 0.13 稀释每股收益(元股) 0.07 0.14 -50.00 0.13 扣除非经常性损益后的基本每股收益(元股) 0.06 0.13 -53.85 0.11 加权平均净资产收益率(%) 2.30 4.85 减少2.55个百分点 4.59 扣除非经常性
14、损益后的加权平均净资产收益率(%) 2.02 4.41 减少2.39个百分点 4.02 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 适用 不适用 八、八、 境内外会计准则下会计数据差异境内外会计准则下会计数据差异 (一一) 同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况的净资产差异情况 适用 不适用 (二二) 同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归归属于上市公司股东的属于上市公司股东
15、的净资产差异情况净资产差异情况 适用 不适用 (三三) 境内外会计准则差异的说明:境内外会计准则差异的说明: 适用 不适用 2019 年年度报告 7 / 187 九、九、 2019 年分季度主要财务数据年分季度主要财务数据 单位:元 币种:人民币 第一季度 (1-3 月份) 第二季度 (4-6 月份) 第三季度 (7-9 月份) 第四季度 (10-12 月份) 营业收入 366,321,906.44 358,760,552.12 484,975,363.27 446,427,805.61 归属于上市公司股东的净利润 15,712,106.18 20,361,180.68 19,387,123.
16、19 9,535,985.36 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 14,001,199.74 17,631,204.00 18,192,520.06 7,261,615.09 经营活动产生的现金流量净额 65,824,765.06 69,701,529.85 77,399,002.66 -51,997,023.12 季度数据与已披露定期报告数据差异说明 适用 不适用 十、十、 非经常性损益项目和金额非经常性损益项目和金额 适用 不适用 单位:元 币种:人民币 非经常性损益项目 2019 年金额 附注(如适用) 2018 年金额 2017 年金额 非流动资产处置损益 -178,85
17、4.84 16,500.13 226,633.92 计入当期损益的政府补助,但与公司正常经营业务密切相关,符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 8,431,670.05 9,209,210.84 9,771,051.24 债务重组损益 850,000.00 2,983,918.43 1,457,170.81 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 19,054.61 52,135.39 249.64 少数股东权益影响额 -250,388.59 -1,547,328.96 -542,363.01 所得税影响额 -961,624.71 -1,099,806.70 949,2
18、44.65 合计 7,909,856.52 9,614,629.13 11,861,987.25 十一、十一、 采用公允价值计量的项目采用公允价值计量的项目 适用 不适用 十二、十二、 其他其他 适用 不适用 第三节第三节 公司业务概要公司业务概要 一、一、 报告期内公司所从事的主要业务、经营模式及行业情况说明报告期内公司所从事的主要业务、经营模式及行业情况说明 公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司坚持生产、研发、储备相结合的技术开发战略,不断向功率半导体器件的中高端技术及应用领域拓展。公司发挥自身产品设计、工艺设计等综合技术优势,已建立从高端二极管、单双
19、向可控硅、MOS系列产品到第六代 IGBT 国内最齐全、 最具竞争力的功率半导体器件产品体系, 正逐步由单一器件2019 年年度报告 8 / 187 供应商向整体解决方案供应商转变;同时公司积极向新能源汽车、变频家电、工业和光伏新兴领域快速拓展,并已取得良好效果,为公司持续发展奠定了坚实的基础。 目前,中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,伴随着国内功率器件行业技术水平的不断提升,以及新能源汽车行业的发展、高端制造的崛起,国家军民融合战略的实施与深化,使功率半导体的“中国制造”在中高端市场及国家安全领域的拓展速度在不断加快,中国的功率半导体企业迎来了难得的发展机遇。 二、二、 报告期内公司主
20、要资产发生重大变化情况的说明报告期内公司主要资产发生重大变化情况的说明 适用 不适用 三、三、 报告期内核心竞争力分析报告期内核心竞争力分析 适用 不适用 公司经过五十多年的不断积累、完善提升,已成为国内技术领先、产品种类最为齐全的功率半导体器件 IDM 公司,拥有多项功率器件领域的核心专利,涵盖产品设计、工艺制造、封装和 IPM模块,被评为国家、省级技术创新型企业。先进、成熟的工艺技术平台、高品质的产品、迅捷专业的服务,为企业赢得了良好的市场口碑。 1、公司坚持产品创新与技术创新,在功率半导体器件中深耕细作,持续推出新产品、加强技术创新工作,推动公司向功率半导体器件中高端领域不断拓展;目前公
21、司已掌握众多高端功率半导体器件的核心设计技术、终端设计、工艺控制技术等,如 VLD 终端、1700V 以上高压产品技术、深槽刻蚀技术、薄片技术等等,并积极布局以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体器件技术,逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。 2、依托优秀的技术平台,深化技术营销模式,在新能源汽车、工业领域、高可靠性市场等战略性、新兴市场领域取得明显进展。公司技术营销模式已推行多年,随着公司在研发、应用技术上的不断加大投入,技术营销效果突出,并在战略性、新兴产业中发力明显,这将成为公司未来成长非常重要的核心能力。 3、公司具备国内领先的制造能力。公司拥有 4 英寸、5 英寸与 6 英寸
22、等多条功率半导体晶圆生产线,报告期内,各尺寸晶圆生产能力为 400 万片/年,封装资源为 24 亿只/年,处于国内同行业的领先地位;同时,2017 年开始建设 8 英寸生产线,规划产能为 96 万片/年,项目第一期预计在 2020 年 6 月份通线, 将进一步提升公司制造能力。 公司地处“中国最适宜建厂的城市”吉林市,稳定的人力资源以及充沛的水力、电力保障,使公司拥有功率半导体制造最为宝贵的“资源优势”。 4、公司坚持通过管理创新,提升公司的经营质量与运营效果,通过持续的工艺技术改进、设备改造优化,不断提升生产效率,缩短交付周期,提升公司市场竞争能力。 2019 年年度报告 9 / 187 第
23、四节第四节 经营情况讨论与分析经营情况讨论与分析 一、一、经营情况经营情况讨论与分析讨论与分析 报告期内,面对国内经济结构转型升级的趋势,公司充分发挥自身技术优势,以产业政策为指导,紧紧抓住国家产业结构转型的契机,积极实施产品研发和结构调整,加大向国家战略性新兴领域的拓展推广力度,加快半导体产品的国产替代步伐,充分发挥公司集功率半导体器件设计研发、芯片制造、封装测试为一体的技术体系和竞争优势,实现公司中高端技术产品在市场规模化应用,以新产品、新领域重点项目指标的达成带动公司整体业绩持续稳步增长。 报告期内,公司实现营业收入 165,648.56 万元,同比下降 3.09%;实现归属于上市公司股
24、东的净利润 6,499.64 万元,同比下降 38.69%。报告期内,公司主要开展了以下工作: 1、持续加大研发力度,实现技术创新。报告期内,公司持续加大研发力度,推进科学化的技术研发管理,加快各级工艺技术平台的技术创新和迭代,形成以公司级、部门级和系列化产品研发的管理平台,突出重点研发项目。全力推进 IGBT、Trench MOS、超结 MOS、Trench SBD、超高压 FRD 等产品系列平台建设,产品性能水平持续提升。360V-1350V 的 Trench-FS IGBT 平台,已经完成全系列产品开发,在新能源汽车、变频家电、工业领域拓展进程加速;Trench SBD 完成了45V、6
25、0V 和 100V 产品的工艺平台建设和产品系列化工作,在光伏和电源领域得到充分认可。公司稳步夯实技术平台建设,在推进“三个结构调整”工作方针的指导下,针对重点领域组建专项技术服务团队,提高产品开发和技术服务保障能力及响应速度,在核心客户推进过程中发挥了显著作用。 2、强化购销体系,提升运营质量。公司在采购生产所需物料时对供应商的资质和能力进行了严格的筛选,并对采购产品不定期抽样检验,对供应商品质体系进行评估与定期稽核以保证公司产品质量的稳定性。公司利用信息技术和互联网技术实现了对客户的整合营销,基于对客户的价值管理原则,通过一对一营销方式,满足不同客户的需求,达到了客户结构调整和产品结构调整
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