化学《物质结构与性质》小练习.docx

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1、 ?物质结构与性质?小练习 1、?原子结构与性质?2022全国I硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的根底。答复以下问题：(1)基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为_，该能层具有的原子轨道数为_、电子数为_。(2)硅主要以硅酸盐、_等化合物的形式存在于地壳中。(3)单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以_相结合，其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置奉献_个原子。(4)单质硅可通过甲硅烷(SiH4)分解反响来制备。工业上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介质中反响制得SiH4，该反响的化学方程式为_。(5)碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释以下有关事实：化学键C

2、CCHCOSiSiSiHSiO356413336226318452硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是_。SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是_。(6)在硅酸盐中，SiO四面体(如以下图(a)通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层状、骨架网状四大类结构型式。图(b)为一种无限长单链结构的多硅酸根：其中Si原子的杂化形式为_，Si与O的原子数之比为_，化学式为_。 2、?分子结构与性质?2022全国II晋?华阳国志南中志?卷四中已有关于白铜的记载，云南镍白铜(铜镍合金)闻名中外，曾主要用于造币，亦可用于制作仿银饰品。答复以下问题：(1)镍元素基态原

3、子的电子排布式为_，3d能级上的未成对电子数为_。(2)硫酸镍溶于氨水形成Ni(NH3)6SO4蓝色溶液。Ni(NH3)6SO4中阴离子的立体构型是_。在Ni(NH3)62中Ni2与NH3之间形成的化学键称为_，提供孤电子对的成键原子是_。氨的沸点_(填“高于或“低于)膦(PH3)，原因是_；氨是_分子(填“极性或“非极性)，中心原子的轨道杂化类型为_。(3)单质铜及镍都是由_键形成的晶体；元素铜与镍的第二电离能分别为：ICu1958 kJmol1、INi1753 kJmol1，ICuINi的原因是_。(4)某镍白铜合金的立方晶胞结构如下图。晶胞中铜原子与镍原子的数量比为_。假设合金的密度为d

4、 gcm3，晶胞参数a_nm。2022全国II周期表前四周期的元素a、b、c、d、e，原子序数依次增大。a的核外电子总数与其周期数相同，b的价电子层中的未成对电子有3个，c的最外层电子数为其内层电子数的3倍，d与c同族；e的最外层只有1个电子，但次外层有18个电子。答复以下问题：(1)b、c、d中第一电离能最大的是_(填元素符号)，e的价层电子轨道示意图为_。(2)a和其他元素形成的二元共价化合物中，分子呈三角锥形，该分子的中心原子的杂化方式为_；分子中既含有极性共价键、又含有非极性共价键的化合物是_(填化学式，写出两种)。(3)这些元素形成的含氧酸中，分子的中心原子的价层电子对数为3的酸是_

5、；酸根呈三角锥结构的酸是_(填化学式)。(4)e和c形成的一种离子化合物的晶体结构如图1，那么e离子的电荷为_。(5)这5种元素形成的一种11型离子化合物中，阴离子呈四面体结构；阳离子呈轴向狭长的八面体结构(如图2所示)。该化合物中，阴离子为_，阳离子中存在的化学键类型有_；该化合物加热时首先失去的组分是_，判断理由是_。 3、?晶体结构与性质? (2022新课标全国，37，15分)锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。答复以下问题：(1)基态Ge原子的核外电子排布式为Ar_，有_个未成对电子。(2)Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Ge原子之间难以形成双

6、键或叁键。从原子结构角度分析，原因是_。(3)比拟以下锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_。GeCl4GeBr4GeI4熔点/49.526146沸点/83.1186约400(4)光催化复原CO2制备CH4反响中，带状纳米Zn2GeO4是该反响的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是_。(5)Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为_，微粒之间存在的作用力是_。(6)晶胞有两个根本要素：原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，以下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(，0，)；C为(，0)。那么D原子的坐标参数为_。晶胞参数，描述晶胞的大小

7、和形状，Ge单晶的晶胞参数a565.76 pm，其密度为_gcm3(列出计算式即可)。(2022课标全国，37，15分)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。答复以下问题：(1)写出基态As原子的核外电子排布式_。(2)根据元素周期律，原子半径Ga_As，第一电离能Ga_As。(填“大于或“小于)(3)AsCl3分子的立体构型为_，其中As的杂化轨道类型为_。(4)GaF3的熔点高于1 000 ，GaCl3的熔点为77.9 ，其原因是_。(5)GaAs的熔点为1 238 ，密度为 gcm3，其晶胞结构如下图。该晶体的类型为_，Ga与As以_键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa gmol1和MAs gmol1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，那么GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_。