电子电路中复习试卷.doc
《电子电路中复习试卷.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子电路中复习试卷.doc(16页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、. .第10章 电子电路中常用的元件 习题参考答案一、填空题:1. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性。2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为0.7V和0.3V。3. 晶体三极管有两个PN结,分别是发射结和集电结,分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,那么此三极管处于饱和状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于截止状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为放大状态。5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。6. 本征半导体
2、掺入微量的三价元素形成的是P型半导体,其多子为空穴。7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是:V12V,V21.7V,V32.5V,可判断该三极管管脚“1为发射极,管脚“2为基极,管脚“3为集电极,且属于锗材料PNP型三极管。8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管,工作在特性曲线的反向击穿区。二、判断题:1.在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。对2. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。错3. 用万用表测试晶体管好坏时,应选择欧姆档中比拟大的量程。错4. PNP管放大电路中,UCC的极性为负,说明发射结反偏,集电结正偏。 错 5. 晶体管可以把小电流放大成大电流。对6.
3、 晶体管可以把小电压放大成大电压。错7. 晶体管可用较小电流控制较大电流。对8. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM,那么该管被击穿。错9. 二极管假设工作在反向击穿区,一定会被击穿。错三、选择题:1.处于截止状态的三极管,其工作状态为B。A、发射结正偏,集电结反偏; B、发射结反偏,集电结反偏;C、发射结正偏,集电结正偏; D、发射结反偏,集电结正偏。2. P型半导体是在本征半导体中参加微量的 A 元素构成的。A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。3. 稳压二极管的正常工作状态是 C 。A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。4. 用万用表直流
4、电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V12V,V26V,V32.7V,由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为 B 。A、PNP管,CBE; B、NPN管,ECB; C、NPN管,CBE; D、PNP管,EBC。5. 用万用表R1K的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K,这说明该二极管是属于 D 。A、短路状态; B、完好状态; C、极性搞错; D、断路状态。6. 测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE3V,VB3.7V,VC3.3V,那么该管工作在B。A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、击穿区。7. PN结加正向电压时,其正向电流是A。A、多
5、子扩散而成; B、少子扩散而成; C、少子漂移而成; D、多子漂移而成。8. 三极管组成的放大电路在工作时,测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE2.1V,VB2.8V,VC4.4V,那么此三极管已处于A。A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、击穿区。四、计算题1. 计算图7.1所示电路的电位UY设D为理想二极管。1UAUB0时;2UAE,UB0时;3UAUBE时。解:此题所考察的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A、B两点电位的相对上下影响了DA和DB两个二极管的导通与关断。当A、B两点的电位同时为0时,DA和DB两个二极管的阳极和阴极UY两端电位同时为0,因此均
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子电路 复习 试卷
限制150内