模电总结温习资料.docx

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1、模电总结温习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体本身的电

2、阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳2)等效电路法?直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正

3、偏)，二极管导通(短路);若V阳2.三极管内各极电流的分配*共发射极电放逐大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及均增加。三.低频小信号等效模型简化hie-输出端沟通短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端沟通短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则-能放大、不失真

4、、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由VCC=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.沟通通路与动态分析*概念-沟通电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的经过。*沟通负载线-连接Q点和VCC点VCC=UCEQ+ICQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因-Q点设置过低*失

5、真现象-NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。2饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC。4.放大器的动态范围1Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。2范围*当UCEQUCESVCCUCEQ时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。*输出电阻3.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一.结型场效应管JFET1.构造示意图和电路符号2.输出特性曲线可变电阻区、放大区、截止区、击穿区二.绝缘栅型

6、场效应管MOSFET分为加强型EMOS和耗尽型DMOS两种。构造示意图和电路符号三.场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3.开启电压UT4.直流输入电阻RGS5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)第四章多级放大电路一.级间耦合方式1.阻容耦合-各级静态工作点相互独立；能有效地传输沟通信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.变压器耦合-各级静态工作点相互独立，能够实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，相互有影响。存在“零点漂移现象。*零点漂移-当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应1中频段(fLffH)