调幅发射机的设计概要.docx

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1、调幅发射机的设计概要小功率调幅发射机的设计、安装和调测一设计目的训练学生对高频电子元器件及电路的应用能力、高频电路的设计与调测能力，高频电子小系统的设计与调测能力，提高综合应用高频知识的能力、分析解决问题的能力。二设计任务设计一个小功率调幅发射机，指标为：中心频率6MHz;频率稳定度10-4;输出AM波峰包功率200mW；调制系数ma50%；包络基本不失真，用短波调幅收音机收听到的声音明晰且不失真。限定条件：天线阻抗50，话筒为驻极体话筒XD-18。三方案确实定与电路图系统方案确实定根据设计任务要求，可选用图k1.1所示的典型小功率调幅发射机的方案。图中，晶体振荡器的作用是产生频率稳定度10-

2、5的基本不失真的6MHz的正弦波。由于晶体振荡器频率稳定度通常可达10-6以上，因而一般知足频率稳定度10-5的要求。缓冲放大器用于减小高电平调幅电路对振荡器工作的影响，并对振荡器输出信号进行放大，其增益应该适宜而且可调，以便知足高电平调幅电路，不难到达发射机的功率和失真要求。调制系数能够通过uB(t)和u(t)的大小来知足，uB(t)的大小通过缓冲放大器的增益来调节，u(t)的大小通过音频放大器的增益来调节。音频放大器的作用是不失真地放大音频信号，其增益应该适宜而且可调。综上可见，高电平调幅电路是知足系统要求的关键，应首先设计该电路，然后根据该电路对信号uB(t)和u(t)的要求确定其它电路

3、。图k1.1小功率调幅发射机系统框图二单元电路的设计1.高电平调幅电路的设计1电路及工作状态的选择。高电平调幅电路主要有基极调幅、集电极调幅和集电极-基极双重调幅电路。由于输出功率较小，故可选用效率虽较低但调制线性好、电路较简单的基极调幅电路。导通角通常选择70o左右，采用自给偏置，电路如图k1.2所示。为了提高调制线性度，应使电路工作在欠压区。uBU2基本原件的选择。图中，CB1、CB2、CC为隔直耦合电容，C1、C2为高频滤波电容。由于载波频率fc=10MHZ,音频信号频率F20Hz20KHZ,故取CB1=CB2=CC=0.033f,C1=C2=1f。C3为电源去耦电容，C3=10f。扼流

4、圈LC在该电路中主要起隔离高频信号、耦合电源的作用，通常取10mH。LB2=51Mh。LB1为高频扼流圈，其作用是隔离高频载波信号，耦合低频的音频信号，因而取LB1=470H。RE为负反应电阻，用以改善波形及测试工作状态，通常取10。3滤波匹配网络的设计。L、C4和C5构成型滤波匹配网络,为确定它们的值,需要先确定集电极谐振电阻Re。电路的最大输出功率在临界状态时到达，考虑到匹配网络的实际传输效率，应选择临界状态时的最大输出功率POmax2.5倍输出峰包功率=2.5220mW=550mW故选择POmax=1.2W。设集电极饱和压降UCES=1V，电源电压VCC=12V,则临界状态时的高频信号幅

5、度为Ucmmax=11V，可得集电极谐振电阻为Re=U2cmmax/(2Pomax)50考虑到功放匹配电路中Qe1、Qe2不宜太大，否则谐振曲线太尖锐，不易调整，而且传输效率降低，故取Qe1=2。由于Qe1=wcReC4,因而得C4=2/(61062100)=530PF实际可取560PF，然后根据实验调整。由于Re/1+Q2e1=RA/1+Q2e2故可得Qe20.61C5=Qe2/(wcRA)=325PFC5可取350PF，然后根据实验调整。L=L1+L2=(Qe1/wc)(Re/(1+Q2e1)+(Qe2/wc)(Re/(1+Q2e1)=0.86H故L取为1.0H.4三极管的选择。设导通角7

6、0o,根据三极管临界工作状态时的高频信号振幅Ucmmax=11V，可求得临界状态时集电极电流为icmax=Icmmax/1()=Ucmmax/Re1(70o)=11/(1000.44)=0.25A临界状态时的管耗为PC=PD-Pomax=icmax0()Vcc-Pomax=0.250.2512-0.6=150Mw由于失谐管子的管耗大大增加，因而PCM的选择应有足够余量。三极管的最大集电极电压为uCEmax2VCC=24V查手册知：NPN高频中功率管9013的参数为fT300MHz，PCM=700Mw,ICM=300Ma,UBRCEO=30V,所以知足上述要求。9013的管角如图k1.3b所示。

7、5载波电压幅值Ubm与调制电压幅值Um的选择。由于采用自给偏置，因而Ubm应大于0.5V。为便于调整、提高调幅性能，应使Ubm在0.53V内可调，Um在0.11v内可调，然后通过实验确定它们的合理取值。综上所述，确定高电平调幅电路如图k1.3(a)所示9013ebc (b)图k1.3高平调幅电路a电路b9013管脚排列2.电源的选择除高电平调幅以外的电路，信号的大小和功率都比拟小，且对电源无特殊要求，故可根据高电平调幅电路的电源要求将各电路的电源选为VCC=12V。3.音频放大电路的设计音频放大电路的输入信号由驻极体话筒提供，其值较大，可达100mV，为使Um能在0.11V内可调且有一定的调节

8、余量，可确定音频放大电路增益为0.120，带宽20Hz20kHz。音频放大电路的Ri应远大于Rs,由于驻极体话筒XD-18的Rs较高约几K，因而可取RI=20K。拟采用图k1.4所示的单电源放大电路。图中12V电源通过68k电阻为话筒提供直流偏置电压，这是话筒XD-18工作所要求的。隔直耦合电容C6和旁路电容C7根据下列式子确定C6310/2fLR1C7310/2fLR2/R3由于Aumax=20,fmax=20kHz,而集成运放LM741的单位增益带宽为BWG=1MHzAumaxfmax=4105Hz,故集成运放可选用LM741，其管脚排列如图k1.5所示。oA610uin2-fduu6ou

9、o+12V3LM741图k1.4调零端1IN-IN+VSS图k1.5LM741管脚排列4晶体振荡器的指标要求：fosc=6MHz,频率稳定度优于10-5波形大小稳定，失真小，故可按频率指标设计，然后通过实验确定幅度。(1)电路形式的选择。采用应用较广的并联型晶体振荡电路。由于频率不高，故用共发射极组态就能够了。为便于调节fosc，采用类似于改良型电容三点式的构造，如图k1.6所示。2工作状态的选择。甲类工作状态波形好、稳定度高，但效率低；乙类、丙类则反之。由于本方案中所需的输出功率不大，可选择甲类。3元器件的选择1直流通路原件确实定。通常取VBQ=(510)UBEQ。由于本电路为甲类工作状态且

10、uo大些好当uo足够大时可省去缓冲放大器，故信号动态范围要大些，VBQ应取大，现取VBQ=8.8v。偏置电阻RB1、RB2一般取几十k，现取RB2=30k，则根据VBQRB2/(RB1+RB2)XVCC即8.8V30k/(RB1+30K)X12V可得RB1=11KRE1主要用作沟通电流负反应电阻改善波形，其取值一般比拟小，现取RE1=510，采用1k电位器实现之。通常小功率振荡器的ICQ=15mA，现取ICQ=3mA，故可得直流电流负反应电阻RE2为RE2=(VBQ-VBEQ)/ICQ-RE1=(8.8V-0.7V)/3mA-5102.2kLC为通直流阻沟通的扼流圈，可取10mH。2CE、C5

11、确实定。CE为旁路电容，其值太小则旁路作用不佳，太大则易产生见习振荡，通常按下式选取CE1020/2foscRE2故可选CE=0.01F。C5为隔直耦合电容，可按下式选取C51020/2foscRL设RL=1K，则可选C5=0.01F。3)回路原件选择。由于fosc=6MHz,故选用6MHz晶体。C3取20PF即可。C1、C2是回路电容，应取大些以减小回路参数及分布参数的影响。由于反应系数为Fu-C1/C2所以C1、C2的比例影响振幅条件及输出大小。C2/C1太小时易饱和，波形变差；太大时可能不起振。通常取C2/C1110。现取c1=c2=200PF,实验中视需要可作调整。4选管。由于管子甲类

12、工作，为保证管子安全工作，应选择PCMICQUCEQ=3mA(12v-8.1v)=11.7mWICM2ICQ=6MaU(BR)CEQ2VCC=24V应选择特征频率fT310fosc=(310)MHz。根据前面所诉的9013参数可知可选用9013。综上所诉，可得集体振荡器电路及其电路参数如图k1.6所示。Fuo晶体振荡电路5.缓冲电路的设计缓冲放大器需将振荡器输出电压放大为0.53V的电压，以提高电平调幅电路所需的载波输入信号，所以要有适宜且可调的增益。由于信号频率高，故不采用普通运放实现放大，应采用集成宽带放大器或采用三极管分立元件电路。实践表明，采用前述高电平调幅电路时，只要Ubm到达1.2

13、V就够用，该晶体振荡器能知足Ubm=1.2v的要求，因而可省去缓冲放大器三总电路图四、列出元器件清单及所需仪器清单电阻电容电感101个200PF2个1.8H1个501个560PF1个470H1个2.2k1个680PF1个10mH2个11k1个0.01F2个51mH1个20k1个0.033F2个30k3个1F2个10F2个其它器件电位器三极管集成运放晶振1k1个90132个LM7411个6MHz1个430k1个面包板直流稳压电源示波器高频信号发生器万用表1块1台1台1台1台五、改良意见和收获体会改良意见：电源线应该接到同一个地方，方便连线。同一个模块的电路应该尽量连接到同一个地方。收获体会：通过一个星期的实验和课程设计，我学会了基本的电路连接，提高了我对高频电子元器件及电路的应用能力，提高了对高频电路的设计与调试能力，提高了对高频电子小系统的设计与调测能力，提高了综合应用高频知识的能力和分析问题的能力。通过实验提高了我对高频电子元器件的应用能力，设计和调试能力，提高了综合应用高频电子器件的能力。课程设计师直接提高我们应用能力的重要的手段，我们应该全面应用每一次的实验和课程设计的时机去提高我们的能力。