模拟电路考试题及答案_3.docx
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1、模拟电路考试题及答案自测题一一、判定题1由于P型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。F2在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。T3处于放大状态的三极管,集电极电流是多数载流子漂移所构成的。F二、单项选择题1半导体中的少数载流子产生的原因是D。A外电场B内电场C掺杂D热激发2用万用表测二极管的正、反向电阻来判定二极管的好坏,好的管子应为C。A正、反向电阻相等B正向电阻大,反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍D正、反向电阻都等于无穷大3二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将B。(X轴为电压)A右移B左移C上移D下移4当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二
2、极管的正向导通电流将A。A增大B减小C不变D不确定5三极管值是反映B能力的参数。三极管可改为电流控制电流源A电压控制电压B电流控制电流C电压控制电流D电流控制电压6温度升高时,三极管的值将A。A增大B减少C不变D不能确定7下列选项中,不属三极管的参数是B。A电放逐大系数B最大整流电流C集电极最大允许电流D集电极最大允许耗散功率8某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为VU61=,VU4.52=,VU123=,则对应该管的管脚排列依次是B。Ae,b,cBb,e,cCb,c,eDc,b,e9晶体三极管的反向电流是由B运动构成的。A多数载流子B少数载流子C扩散D少数载流子和多数载流子共同10三极管工
3、作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是D。发正偏集反偏APNP型硅管BPNP型锗管CNPN型锗管DNPN型硅管11场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的B。A非饱和区B饱和区C截止区D击穿区12加强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时B。A能够构成导电沟道B不能构成导电沟道C漏极电流不为零D漏极电压为零三、填空题1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。2少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。3PN结正偏导通,反偏截止,称为PN结的单向导电性性能。4PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。5PN结正向偏置时,PN结的内电场被削弱。6
4、三极管最重要的特性是电放逐大作用。7温度升高时,晶体管的反向饱和电流将增大。8场效应晶体管属于电压控制器件。10GS时,不能工作在恒流区的场效应管有加强型MOS管。11开启电压0)(thUGS的是N沟道加强型场效应管。12开启电压0)(自测题二一、判定题1晶体管的输入电阻ber是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。F2放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。T3只要电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。F4在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。F5直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大沟通信号。F二、单项选择题1在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将C。A
5、增大B减少C不变D不能确定2在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将C。A增大B减少C不变D不能确定3在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是C。A共射放大电路B共基放大电路C共集放大电路D不能确定4在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是B。A共射放大电路B共基放大电路C共集放大电路D不能确定5在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时无电流,则该管工作状态为B。A饱和B截止C放大D不能确定6晶体管能够放大的外部条件是B。A发射结正偏,集电结正偏B发射结正偏,集电结反偏C发射结反偏,集电结正偏D发射结反偏,集电结反偏7组合放大
6、电路的输出级采用射极输出共集方式是为了使D。A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强8放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是A。A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不适宜9当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后,级联放大器的带宽A。A小于BWB等于BWC大于BWD不能确定10射极输出器的特点是A。A输入电阻高、输出电阻低B输入电阻高、输出电阻高C输入电阻低、输出电阻低D输入电阻低、输出电阻高11下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电放逐大作用,应选A。A共射组态B共基组态C共集组态D共漏组态
7、12在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是B。A截止失真B饱和失真C交越失真D频率失真13当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时,放大倍数的数值将下降到中频时的B。(P55A0.5倍B0.7倍C0.9倍D1.2倍14在单级放大电路的三种接法中,它们互相比拟起来正确的讲法是B。A共发射极电路的uA最大、ir最小、or最小B共集电极电路的uA最小、ir最大、or最小C共基极电路的uA最小、ir最小、or最大D共发射极电路的uA最小、ir最大、or最大15已知某基本共射放大电路的mAICQ1=,VUCEQ6=,管子的饱和压降VUCES1=,=kRRLC4,则
8、该放大电路的最大不失真输出电压幅值为B。A1VB2VC5VD6V三、填空题1要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的静态工作点。2在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生饱和失真。3若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生截止失真。4基本共射放大电路,当温度升高时,Q点将向上移。5若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于饱和状态。L越大,则其电压放大倍数越大。9某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K的负载电阻后输出电压降为3V,这讲明放大电路的输出电阻为1K。10放大器的下限角频率L,上限角频率H,则带宽为2HL-Hz。自测题三一、判定题1100,将它们连成两级放大电路,其电压
9、放大倍数应为10000。F2只要直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。F3阻容耦合放大电路只能放大沟通信号,不能放大直流信号。T4直接耦合放大电路只能放大直流括号,不能放大沟通信号。F二、单项选择题1直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是C。A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响2组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强3多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带D。A电压增益减小,通频带变宽B电压增益减小,通频带变窄C电压增益提高,通频带变宽D电压增益提高,通频带变窄4有
10、两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入一样的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则讲明甲比乙的D。A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小三、填空题1在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载。2在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的信号源内阻。3为了放大从热电偶获得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用直接耦合方式。4集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路,因而低频性能好。5多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。6放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;放大器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。自测题四一、判定题1运
11、放的共模抑制比cdCMRAAK=T2当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。T3互补输出级应采用共集或共漏接法。T4对于长尾式差动放大电路,不管是单端输入还是双端输入,在差模沟通通路中,射极电阻ER一概可视为短路。T二、单项选择题1放大电路产生零点漂移的主要原因是D。A放大倍数太大B采用了直接耦合方式C晶体管的噪声太大D环境温度变化引起参数变化2为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用C。A直接耦合电路B阻容耦合电路C差动放大电路D反应放大电路3差动放大电路的主要特点是A。A有效放大差模信号,有力抑制共模信号B既放大差模信号,又放大共模信号C有效放大共模信号,有力抑制差模
12、信号D既抑制差模信号,又抑制共模信号4差分放大电路的长尾电阻的主要功能是A,而提高共模抑制比。A抑制共模信号B抑制差模信号C放大共模信号D既抑制共模信号又抑制差模信号5差动放大电路用恒流源代替ER是为了C。A提高差模电压放大倍数B提高共模电压放大倍数C提高共模抑制比D提高差模输出电阻6集成运放电路采用直接耦合方式是由于C。A可获得较高增益B可使温漂变小C在集成工艺中难于制造大电容D能够增大输入电阻7集成电路中所使用的电容都是由什么来实现的B。A电解电容BPN结电容C寄生电容D杂散电容8输入失调电压是D。A两个输入端电压之差B两个输入端电压之和C输入端都为零时的输出电压D输出端为零时输入端的等效
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