模拟电子电路第4章答案.docx

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1、模拟电子电路第4章答案4.1简述耗尽型和加强型MOS场效应管构造的区别；对于适当的电压偏置VDS0V，VGSVT，画出P沟道加强型MOS场效应管，扼要讲明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。解：耗尽型场效应管在制造经过中预先在衬底的顶部构成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是讲，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而加强型场效应管需要外加电压VGS产生沟道。随着VSG逐步增大，栅极下面的衬底外表会积聚越来越多的空穴，当空穴数量到达一定时，栅极下面的衬底外表空穴浓度会超过电子浓度，进而构成了一个“新的P型区，它连接源区和漏区。假如此时在源极和漏极之间加上一个负电压DSV，那么空穴就会沿

2、着新的P型区定向地从源区向漏区移动，进而构成电流，把该电流称为漏极电流，记为Di。当SGv一定，而SDv持续增大时，则相应的DGv减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DGtvV=，沟道预夹断，进入饱和区。电流Di不再随SDv的变化而变化，而是一个恒定值。4.2考虑一个N沟道MOSFET，其nk=50A/V2，Vt=1V，以及W/L=10。求下列情况下的漏极电流：1VGS=5V且VDS=1V；2VGS=2V且VDS=1.2V；3VGS=0.5V且VDS=0.2V；4VGS=VDS=5V。(1)根据条件GStvV，()DSGStvvV-，该场效应管工作在饱和区。()2DnGSt12WikvVL

3、=-=0.25mA(3)根据条件GStvV-，该场效应管工作在饱和区()2DnGSt12WikvVL=-=4mA4.3由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判定它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。图题4.1图aP沟道耗尽型图(b)P沟道加强型4.4一个NMOS晶体管有Vt=1V。当VGS=2V时，求得电阻rDS为1k。为了使rDS=500，则VGS为多少？当晶体管的W为原W的二分之一时，求其相应的电阻值。解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()DnGStDSWikvVvL-()nGSt1DSDSDvriWkvVL=-当1DSrk=时，代入上式可得2n1WkmAV

4、L=则1DSrk=时，()()GStGSGSt210.5231kvVVvVmAvVV=?-=?=-当晶体管的W为原W的二分之一时，当VGS=2V时，2DSrk=当晶体管的W为原W的二分之一时，当VGS=3V时，1DSrk=4.51画出P沟道结型场效应管的基本构造。2漏极和源极之间加上适当的偏置，画出VGS=0V时的耗尽区，并简述工作原理。解：1 (2)4.6用欧姆表的两测试棒分别连接JFET的漏极和源极，测得阻值为R1，然后将红棒接负电压同时与栅极相连，发现欧姆表上阻值仍近似为R1，再将黑棒接正电压同时与栅极相连，得欧姆表上阻值为R2，且R2R1，试确定该场效应管为N沟道还是P沟道。解：GS0v时，高阻抗，即GS0v可求得：1260,40DDIAIA=则有115203.8DVVIkV=-?=，225204.2DVVIkV=-?=13.8GDtVVV=-此页面能否是列表页或首页？未找到适宜正文内容。