集成电路工艺原理教学大纲 精品.docx

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1、集成电路工艺原理教学大纲精品（集成电路工艺原理）教学大纲一、课程基本信息1、课程代码：ES3082、课程名称：集成电路工艺原理PrincipleofICTechnology3、学时/学分：36学时/2学分4、先修课程：普通物理，普通化学，半导体物理学，半导体器件基础5、面向对象：电子科学与技术、微电子学、电子信息与计算机科学、固体电子学、应用物理、半导体材料等专业本科生。6、开课院系、教研室：电子信息与电气工程学院电子工程系7、教材、教学参考书：（半导体制造技术），美MichaelQuirk等著，韩郑生等译，电子工业出版社，2004年1月（TheScienceandEngineeringofM

2、icroelectronicFabrication）(SecondEdition)，美StephenA.Campbell著，电子工业出版社，2003年4月二、课程的性质和任务本课程是电子科学与技术、微电子学和其它相关专业的理论基础课。本课程选择硅基超大规模集成电路SiliconVLSI作为讨论分析对象，由于它是当今世界急速发展、成为电子工业心脏的最主要的VLSI。学习和把握硅VLSI的主要工艺构造与原理及其有关工艺设备的特点，对于将来从事当代VLSI与系统设计和制造的本科生和研究生来讲是必不可少的。通过本门课程的学习，期望学生能深入理解硅VLSI工艺技术与工艺设备的基本知识，为集成电路与系统的

3、设计和制造打好最必要的IC技术的理论基础。本课程综合应用学生已学过的半导体物理、半导体器件基础等课程知识，去解决当代VLSI制造中的实际工艺问题。它是培养VLSI与系统设计和制造的工程技术人材必不可少的一门课程。三、教学内容和要求课程的基本要求：系统学习硅VLSI平面工艺主要内容，包括硅片制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、扩散和离子注入、金属化、化学机械平坦化、装配与封装等各工艺的基本原理和方法，并学习半导体IC产业中的沾污控制、化学品、气体控制等方面的基本知识。在把握上述各项原理的基础上，再进一步全面学习作为当前国际上VLSI主流工艺技术的CMOS工艺流程和制作步骤，全面系统了解硅VLSI的整个

4、制造技术经过、各步骤的工艺构造及其关键问题。课程教学内容和学时分配括号内的数字表示供参考的学时数：第一章微电子制造引论21、微电子制造技术发展大概情况2、微电子技术和产业的特点3、IC工艺流程举例第二章硅和硅片制备21、半导体级硅2、单晶硅生长和单晶炉3、硅片制造4、外延层5、质量检测第三章氧化21、氧化膜2、热氧化生长与设备3、氧化工艺4、氧化质量检测第四章淀积21、膜淀积2、化学气相淀积3、CVD淀积系统4、介质及其性能5、外延6、CVD质量检测第五章金属化21、属类型2、金属淀积系统3、金属化方案4、金属化质量检测第六章光刻131、光刻工艺2、光刻胶3、旋涂胶工艺4、对准和曝光5、光学光刻和光刻机6、光刻胶显影7、先进的光刻技术8、光刻质量检测第七章刻蚀31、刻蚀参数2、干法刻蚀3、等离子刻蚀反响器4、湿法腐蚀5、刻蚀技术发展历程6、去除光刻胶7、刻蚀质量检测第八章离子注入21、扩散2、离子注入3、离子注入机4、离子注入的发展趋势5、离子注入质量检测第九章化学机械平坦化CMP21、传统的平坦化技术