集成电路工艺温习资料要点.docx

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1、集成电路工艺温习资料要点1.特征尺寸CriticalDimension,CD的概念特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。2.集成电路制造步骤：Waferpreparation(硅片准备)Waferfabrication(硅片制造)Wafertest/sort(硅片测试和拣选)Assemblyandpackaging(装配和封装)Finaltest(终测)3.单晶硅生长：直拉法CZ法和区熔法FZ法。区熔法FZ法的特点使用掺杂好的多晶硅棒；优点是

2、纯度高、含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。4.不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用100晶面或晶向；双极集成电路通常用111晶面或晶向。5.硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反响式。氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反响，并在硅片外表生长氧化硅的经过。氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片外表、器件隔离、屏蔽掺杂、构成电介质层等。氧化方式及其化学反响式：干氧氧化：SiO2SiO2湿氧氧化：SiH2OO2SiO2+H2水汽氧化：SiH2OSiO2H2硅的氧化温度：75011006.硅热氧化经过的分为两个阶段：第一阶段：反响速度决定氧化速度，主要由于氧分子、水分子充足，硅原子缺乏。第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要由于氧分子、水分子缺乏，硅原子充足此页面能否是列表页或首页？未找到适宜正文内容。