（微电子制造工艺）课程教学大纲.docx

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1、（微电子制造工艺）课程教学大纲（微电子制造工艺）课程教学大纲一、课程讲明一课程名称、所属专业、课程性质、学分；课程名称：微电子制造工艺所属专业：微电子科学与工程课程性质：专业必修课学分：4二课程简介、目的与任务；本课程作为微电子科学与工程专业的专业必修课，是半导体制造工艺的基础。主要介绍半导体制造相关的全部基础技术信息，以及制造厂中的每一道制造工艺，包括硅片氧化，淀积，金属化，光刻，刻蚀，离子注入和化学机械平坦化等内容。该课程的目的使学生了解产业变化历史中的所有工艺和设备，以及每道详细工艺的技术发展的现状及发展趋势。三先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接；上本课程之前或

2、者同时应了解半导体物理的相关知识，以便为本课程打下基础；同时本课程又是集成电路分析与设计，以及微电子制造工艺专业实验及实习的基础。四教材与主要参考书。本课程所使用的教材是（半导体制造技术），MichaelQuirk,JulianSerda著，韩郑生等译，电子工业出版社。主要参考书：（半导体器件物理与工艺）施敏苏州大学出版社（硅集成电路工艺基础）陈力俊复旦大学出版社（芯片制造半导体工艺制程实用教程）电子工业出版社（集成电路制造技术-原理与实践）电子工业出版社（超大规模集成电路技术基础）电子工业出版社（半导体器件基础）电子工业出版社（硅集成电路工艺基础）北京大学出版社二、课程内容与安排第一章半导体

3、产业介绍3学时第二章半导体材料特性3学时第三章器件技术3学时第四章硅和硅片制备5学时第五章半导体制造中的化学品3学时第六章硅片制造中的玷污控制3学时第七章测量学和缺陷检查3学时第八章工艺腔内的气体控制3学时第九章集成电路制造工艺大概情况5学时第十章氧化6学时第十一章淀积5学时第十二章金属化5学时第十三章光刻：气相成底膜到软烘4学时第十四章光刻：对准和曝光4学时第十五章光刻：光刻胶显影和先进的光科技术4学时第十六章刻蚀5学时第十七章离子注入4学时第十八章化学机械平坦化4学时一教学方法与学时分配采用多媒体课件与板书相结合的课堂教学方法，基于学生便于理解接受的原则，对不同讲授内容给予不同方式的侧重。学时分配详见课程内容与安排。二内容及基本要求主要内容：本章属于引言章节，主要介绍半导体产业的历史，现状及发展趋势。要求把握和了解集成电路制造以及半导体发展的趋势。【重点把握】：硅和硅片制备，氧化，淀积，光刻技术【把握】：芯片制备经过中的清洗，金属化，刻蚀，离子注入，化学机械平坦化【了解】：器件技术，半导体制造中的化学品及玷污【一般了解】：测量学和缺陷检查，工艺腔内的气体控制【难点】：光刻经过及离子注入重点把握、把握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的详细要求适当减少，但不得少于两个层次制定人：陶春兰审定人：批准人：日期：