集成电路期末考试知识点温习资料.docx

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1、集成电路期末考试知识点温习资料11、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？1947贝尔实验室肖克来波拉坦巴丁发明了晶体管1956获诺贝尔奖2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？德州仪器公司1958年发明2000获诺贝尔奖3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经到达多少？估计2021年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18225、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔1

2、8个月增加一倍7、什么是？英文全拼是什么？片上系统8、讲出、和的中文含义。代工无生产线无芯片9、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆10、什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进行11、什么是集成电路的一体化()实现形式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进行12、什么是集成电路的无生产线()设计形式？只设计电路而没有生产线13、一个工艺设计文件()包含哪些内容？器件的参数、版图设计用的层次定义、设计规则和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等基本构造版图，与设计工具关联的设计规则检查、参数提取、版图电路图对照用的文件。14、设计单位拿到文件后要做什么工作？

3、利用工具进行电路设计仿真等一系列操作最终生成以格式保存的版图文件，然后发给代工单位。15、什么叫“流片？像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片。16、给出几个国内集成电路代工或转向代工的厂家。上海中芯国际上海宏力半导体上海华虹上海贝岭无锡华润华晶杭州士兰常州柏玛微电子17、什么叫多项目晶圆()？英文全拼是什么？将多个使用一样工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，完成后每个设计能够得到数十片芯片样品18、集成电路设计需要哪些知识范围？系统知识，电路知识，工具知识，工艺知识19、对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？程控电话系统，无线通信系统，光纤通信系统等；信息学科：有各种信息处理系统。20

4、、和M3是何含义？射频电路微波单片集成电路毫米波单片集成电路21、著名的集成电路分析程序是什么？有哪些著名公司开发了集成电路设计工具？程序、和等公司22、从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要把握哪些工具？逻辑：把握或等硬件语言描绘及相应的分析和综合工具晶体管：把握或类似的电路分析工具。23、为了使得设计成功率高，设计者应该把握哪些主要工艺特征？从芯片外延和掩膜制作，光刻，材料淀积和刻蚀，杂质扩散或注入，到滑片封装的全经过。24、的中文含义是什么？英文全拼是什么？小规模集成电路；()中规模集成电路；大规模集成电路；甚大规模集成电路超大规模集成电路。21、电子系统十分是微电子系统应用的材料有哪

5、几类？导体半导体绝缘体2、集成电路制造常用的半导体材料有哪些？硅、砷化镓、磷化铟3、为何讲半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？集成电路通常制作在半导体衬底材料上，集成电路的基本元件是根据半导体特性构成。4.半导体材料得到广泛应用的原因是什么？参杂、温度、光照都能够改变半导体导电能力，以及多种由半导体构成构造中，注入电流会发射光发光二极管5、三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最低的是哪种？6、在过去40年中，基于硅材料的多种成熟工艺技术有哪些？双极性晶体管、结型场效应管、P型场效应管、N型场效应管、互补型金属-氧化物-半导体场效应管和双极性管等7、硅基最先进的工艺线晶圆直径已

6、到达多少？0.13工艺制成的运行速度已达多少？12英寸28、为何市场上90%的产品都是基于工艺的？原料丰富、技术成熟、价格低9、与材料相比，具有哪些优点？1中非平衡少子饱和漂移速率大约是的4倍，2.在中，电子和空穴可直接复合，而不行。3.中价带与导带之间的禁带为1.43，大于的1.1110、晶体管最高工作频率可达多少？而最快的晶体管能到达多少？150几十11、基于的集成电路中有哪几种有源器件？、和三种有源器件。12、为何讲合适做发光器件和？中电子与空穴的复合是直接进行的13、系统中常用的几种绝缘材料是什么？2、3N414、什么是欧姆接触和肖特基接触？在半导体外表制作金属层后，假如参杂浓度较高，

7、隧道效应抵消势垒的影响构成欧姆接触：假如参杂浓度较低，金属和半导体结合面就构成肖特基接触。15、多晶硅的特点？多晶硅是单质硅的一种形态、特性随结晶度与杂质原子而改变、应用广泛16、在及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？栅极、源极与漏极或双极器件的基区与发射区的欧姆接触、基本连线、薄结的扩散源、高值电阻等17、什么是材料系统？由一些基本材料，如在,或制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。18、半导体材料系统？是指不同质的几种半导体(与与等)组成的层构造19、异质半导体材料的主要应用有哪些？制作异质结双极性晶体管、高电子迁移率晶体管、高性能的及。20、什么是半导体/绝缘体材料系统？

8、半导体与绝缘体相结合的材料系统21、晶体和非晶体的区别？晶体具有一定几何外形如硅和锗，非晶体无固定形状如玻璃、橡胶22、什么是共价键构造？.最外层的价电子不仅遭到本身原子核的作用，还要遭到相邻原子核的作用，这样每个价电子就不局限于单个原子，能够转移到相邻的原子上去，这种价电子共有化的运动就构成了晶体中的共价键构造。23、什么是本征半导体和杂质半导体？征半导体是一种纯净的、构造完好的半导体晶体。在本征导体中参入微量的杂质，就构成了杂质半导体N、P24、本征半导体有何特点？电子浓度与空穴浓度一样，热力学零度没有自由电子，载流子少、导电性差、温度稳定性差25、杂质半导体中，多子和少子是怎样构成的？在

9、本征半导体中掺入少量的3价元素，如硼、铝或铟，有3个价电子，构成共价键时，缺少1个电子，产生1个空位。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。在本征半导体中掺入少量的5价元素，如磷、砷或锑，有5个价电子，构成共价键时，多余1个电子。电子为多数载流子，空穴为少数载流子。26、什么是扩散运动？什么是漂移运动？扩散运动：由于结交界面两边的载流子浓度有很大的差异，载流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散。漂移运动：进入空间电荷区的空穴在内建电场作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。27、结的主要特点是什么？单向导电性28、双极型三极管三个区有什么不同？发射区的掺杂浓度远远高于基区和集电区，基区做的很薄，

10、集电结的面积大于发射结的面积。29、双极型三极管有几种工作状态？每个状态结偏置情况怎样？发射结正偏集电结反偏时为放大工作状态、发射结正偏集电结也正偏时为饱和工作状态、发射结反偏集电结也反偏时截止工作状态、发射结反偏集电结正偏为反向工作状态。30、在放大状态下，三极管内部载流子传输经过是如何进行的？发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的采集31、为何晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？由于晶体管的实际构造不对称，十分是在集成电路中，发射区嵌套在基区内，基区嵌套在集电区内，发射结比集电结小很多反向电放逐大倍数R比F小很多32、管的核心构造是什么？导体、绝缘体与衬底的掺杂半

11、导体这三层材料叠在一起构成33、根据构成导电沟道载流子类型的不同，管有几种类型？和34、简述管的详细构造。半导体部分的构造包含由两个P型硅的扩散区隔开的N型硅区域，这层型硅区域之上覆盖了由一个绝缘层和一个栅极的导电电极构成的夹层构造，两个P型硅的扩散区分别通过与金属导体的欧姆接触，构成源极和漏极。35、简述管的导电沟道是怎样构成的？N反型层与源漏两端的N型扩散层连通36、什么叫阈值电压？阈值电压能否可变？阈值电压为负时称为何电压？引起沟道区产生强外表反型的最小栅电压，称为阈值电压VT。往往用离子注入技术改变沟道区的掺杂浓度，进而改变阈值电压。夹断电压。37、对晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加

12、或降低？P型杂质增加、N型杂质降低。38、根据阈值电压不同，常把器件分为几种？加强型和耗尽型39、在电路里，管一般采用何种类型？加强型40、为何讲晶体管是一种电压控制器件？当栅源电压等于开启电压时，器件开场导通，当源漏间加电压且时，由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水安然平静垂直分量的作用，沿着沟道就出现了导电。源漏电压0所产生的电场水平分量起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源漏电压的增大，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。41、管的大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率42、一个

13、管的正常导电特性可分为几个区域？夹断、线性、饱和43、讲明管“线性区沟道及漏极电流特点。弱反型区漏极电流随栅压的增大而线性增大44、讲明管“饱和区沟道及漏极电流特点。沟道强反型，漏极电流与漏极电压无关45、用什么参数衡量器件的增益？用衡量器件的增益31、外延生长的目的是什么？外延生长的方法有哪几种？用同质材料构成具有不同的掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。液态生长、气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。2、什么是卤素传递生长法？它属于4种生长方法中的哪一种？把至少一种外延层组成元素以卤化物形式通过衬底并发生卤素析出反响进而构成外延层的经过，它属于气相外延生长法。3、液态生长

14、有什么优缺点？最简单最廉价但其外延层的质量不高4、金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了5、分子束外延生长有什么特点？只能在超真空中进行且量产较低、在基片上生长无限多外延层、能够控制参杂的深度和精度到纳米级6.什么是掩模？掩模与集成电路制造有什么关系？制做掩模的数据从哪儿来？掩膜是涂有特定图案的铬薄层6080的均匀平坦的石英玻璃薄片、一层掩膜对应一块的一层材料的加工、版图。7、掩模制作方法有哪些？图案发生器方法、X射线制版、电子束扫描法8、什么是整版接触式曝光？掩模尺寸和晶圆尺寸一样，并直接与光刻胶胶层接触进行曝光。9、什么

15、是光刻？光刻的作用是什么？光刻的主要流程有哪些？光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件构造。流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。10、负性和正性光刻胶有什么区别和特点？特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案一样。11、光刻的曝光方式有几种？各有何特点？接触和非接触两种，非接触分为接近式和投影式接触式：准确度高，但掩膜易磨损，消耗大非接触式：接近式：解决了磨损问题，但分辨率下降。投影式：分辨率高，不存在掩膜磨损问题，但生产量不高12、接触曝光方式的关键技术有哪些？它的主要优缺点是什么？需要一股很粗的光束、一个很大的透镜，以及一套良好的光学系统；准确度较高但非理想接触导致芯片合格率不高，掩膜和晶圆每次接触都会产生磨损，掩膜消耗大.13、什么是非接触曝光方式？掩膜与晶圆不接触的光刻方式，分为接近式和投影式两种14、氧化的目的是什么？利用硅独有的特性制造薄到几十埃只要几个原子层的栅氧化层15、为何讲栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？氧化层的厚度决定了晶体管的电流驱动能力和可靠性，其精度必须控制在几个百分点以内。16、淀积的主要作用是什么？生成器件制造所需的材料