集成电路温习资料.docx

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1、集成电路温习资料集成电路温习资料大国际二班出品一、名词解释：微电子学：微电子学Microelectronics是电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。摩尔定律：摩尔定律是由英特尔Intel创始人之一戈登摩尔GordonMoore提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可包容的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。特征尺寸：在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅的宽度，也即MOS器件的沟道长度。N型半导体：也称为电子型

2、半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。ICIntegratedCircuit：集成电路，缩写为IC；顾名思义，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。BJTBipolarJunctionTransistorBJT：双极结型晶体管的缩写，又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合构造。MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称

3、金氧半场效晶体管，是一种能够广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。MorethanMoore：超越摩尔定律也称超摩尔，在无线通信等应用的拉动下，微电子技术不仅推拿尔定律指引的按比例缩小方向发展，逐步构成了“超摩尔定律的发展趋势。特点一：采用非CMOS的等比例缩小方法，将集成电感、电容等占据大量PCB空间的无源元件集成在封装内，甚至芯片上，使电子系统进一步小型化，以到达提高性能的目的。特点二：按需要向电子系统集成“多样化的非数字

4、功能，构成具有感悟、通信、处理、制动等功能的微系统。MoreMoore：更摩尔，摩尔定律的进一步发展。DRAMDynamicRandomAccessMemory：动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新refresh一次，假如存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。关机就会丢失数据SRAMStaticRAM：静态随机存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.。MPU：MPU有两种意思，微处理器和内存保护单元。1微处理器(MicroprocessorUnit)微机中的

5、中央处理器CPU称为微处理器MPU，是构成微机的核心部件，可以以讲是微机的心脏。它起到控制整个微型计算机工作的作用，产生控制信号对相应的部件进行控制，并执行相应的操作。2内存保护单元(ARM体系方面(MPU,MemoryProtectionUnit)，MPU中一个域就是一些属性值及其对应的一片内存。这些属性包括：起始地址、长度、读写权限以及缓存等。ARM940具有不同的域来控制指令内存和数据内存。内核能够定义8对区域，分别控制8个指令和数据内存区域。SOISilicon-On-Insulator：绝缘衬底上的硅，是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOCSystemonChip：简称So

6、c，也即片上系统。将微处理器、模拟IP核、数字IP核和存储器(或片外存储控制接口)集成在单一芯片上,它通常是客户定制的,或是面向特定用处的标准产品。ESDElectro-Staticdischarge：静电释放，ESD是20世纪中期以来构成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因而，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。LOCOSLocalOxidationofSilicon：即“硅的局部氧化技术。以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了构成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。STIshallowt

7、renchisolation：浅沟道隔离，能实现高密度的隔离，合适于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。EPROMErasableProgrammableReadOnlyMemory：可擦除可编程只读寄存器，一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片即非易失性的非挥发性。EPROM只能用强紫外线照射来擦除。E2PROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)：带电可擦可编程只读存储器-一种掉电后数据不丢失的存储芯片。可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程重写。VLSI(VeryLargeScaleIntegration)：超大规模集成电

8、路，指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米下面的集成电路。ULSIUltraLargeScaleIntegration：甚大规模集成电路，超深亚微米级工艺的集成电路。ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit：专用集成电路，针对整机或系统的需要,专门为之设计制造的集成电路,。FPGAFieldProgrammableGateArray：现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路ASIC领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的缺乏，又克制了原有可编程器件门电路数有限的缺

9、点。MEMSMEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem：微机电系统是指可批量制作的，集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统。1.世界上第一块晶体管是谁发明的？在哪一年发明的？1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。2.世界上第一块集成电路是谁发明的？在哪一年发明的？杰克基尔比JackKilby在1958年发明了锗集成电路。3.世界上第一块硅基集成电路是谁发明的？在哪一年发明的？罗伯特诺伊斯RobertNoyce在1959年发明了硅集成电路。VG

10、S0时,在栅极下面的二氧化硅中将产生一个指向P型衬底、且垂直衬底外表的电场。电场排挤空穴，吸引电子到半导体外表。VGS越大吸引到半导体外表的电子就越多，当VGSVT时，吸引到栅极附近P型硅外表的电子积累构成N型反型薄层。器件外表的导电类型从原来的P型反型到如今的N型，导电沟道构成。继续增大VGS可使构成的反型层增宽(N型导电沟道)，将源区和漏区连接起来。VGS越大,反型层越宽,源漏间的导电能力越强。将开场构成反型层所需的VGS值称为开启电压VT,也称为阈值电压。开启电压VT是加强型MOSFET的重要参数，其大小主要取决于SiO2层的厚度以及衬底掺杂浓度。饱和：VGSVT且VDSVGSVT开启：VGSVT3、输入输出特性曲线图(画图、标注)饱和：VGSVT且VDSVGSVT开启：VGSVT此页面能否是列表页或首页？未找到适宜正文内容。