模拟静电场.docx
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1、模拟静电场用电流场模拟静电场模拟法本质上使用一种易于实现、便于测量的物理状态或经过模拟不易实现、不便测量的状态和经过,它在工程设计中有着广泛的应用。预习要点1、什么是模拟法?模拟条件是什么?2、电场线与等势面的关系是什么?一、实验目的1、学惯用模拟方法来测绘具有一样数学形式的物理场。2、加深对静电场概念的理解。二、实验仪器GVZ-3型导电微晶静电场描绘仪包括导电微晶,双层固定支架,同步探针等三、实验原理本实验用稳衡电流场模拟长同轴圆形电缆的静电场。稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场,但是它们两者在一定条件下具有类似的空间分布,即两种遵守规律在形式上类似,都能够引入电势U,电场强度E,都遵守高
2、斯定理。如图1(a)所示,在真空中有一半径为ra的长圆柱体A和一内半径为rb的长圆筒形导体B,它们同轴放置,分别带等量异号电荷。由高斯定理知,在垂直于轴线的任一截面S内,都有均匀分布的辐射状电场线,这是一个与坐标Z无关的二维场。在二维场中,电场强度E平行于XY平面,其等势面为一簇同轴圆柱面。因而只要研究S面上的电场分布即可。1.同轴电缆及其静电场分布由静电场中的高斯定理可知,距轴线的距离为r处见图1b的各点电场强度为rE02=式中为柱面单位长度的电荷量,r处的电势为aararrrUrrdEUualn20-=?-=?1设r=rb时,Ub=0,由上式得abarrUln20=图1同轴电缆代入1式,得
3、abbarrrrrUulnln=(2)上式变形可写为abarbrrUurrlnlnln-=(3)即lnr与ur成线性关系。那么rrrUdrduEabarr1ln?=-=即rE与r成反比。2.同柱圆柱面电极间的电流分布若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间充满了电导率为的不良导体绝缘体,A、B与电源电流正负极相连接见图2,A、B间将构成径向电流由A流向B,AB间建立稳恒电流场Er,能够证实不良导体中的电场强度Er与原真空中的静电场Er的分布是相等的。取厚度为t的圆轴形同轴不良导体片为研究对象,设材料电阻率为()1=,则任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是rdrtrtdrsdrdR?=?=?=22则
4、半径为r到rb之间的圆柱片的电阻为rrtrrdrtRbrrbln22=?总电阻为(半径ra到rb之间圆柱片的电阻)ababrrtRln2=设Ub=0,则两圆柱面间所加电压为Ua,径向电流为abaabarrtURUIln2=图2同轴电距轴线r处的电势为abbarrrrrrUIRulnln=则rrrUdrudEabarr1ln?=-=即rE与r成反比。以上分析可见,ru与ru,rE与rE的分布函数完全一样。为何这两种场的分布一样呢?能够从电荷产生场的观点加以分析。在导电质中没有电流通过的,其中任一体积元宏观小,微观大,其内仍包含大量原子内正负电荷数量相等,没有净电荷,呈电中性。当有电流通过时,单位
5、时间内流入和流出该体积元内的正或负电荷。这就是讲,真空中的静电场和有稳衡电流通过时导电质中的场都是由电极上的电荷产生的。不同的是,真空中电极上的电荷是不动的,在有电流通过的导电质中,电极上的电荷一边流失,一边由电源补充,在动态平衡下保持电荷的数量不变。所以这两种情况下电场分布是一样的。3、模拟条件模拟方法的使用有一定的条件和范围,不能随意推广,否则将会得到荒唐的结论。用稳恒电流场模拟静电场的条件能够归纳为下例三点:(1)稳恒电流场中的电极形状应与被模拟的静电场中的带电体几何形状一样;(2)稳恒电流场中的导电介质是不良导体且电导率分布均匀,并知足导电质电源?才能保证电流场中的电极良导体的外表也近
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