模电知识要点总结-期末温习用-较全面[合适考前时间充分的全面温习].docx

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1、模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结_期末温习用_较全面【合适考前时间充分的全面温习】第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体构造的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6

2、.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体能够改型为另外一种杂质半导体。7.PN结*PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短

3、路);若V阳当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的构造、类型及特点1.类型-分为NPN和PNP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电放逐大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区-发射结

4、正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及均增加。三.低频小信号等效模型简化hie-输出端沟通短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端沟通短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由VCC=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1改变Rb：Q点将沿直

5、流负载线上下移动。2改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.沟通通路与动态分析*概念-沟通电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的经过。*沟通负载线-连接Q点和VCC点VCC=UCEQ+ICQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。2饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC。当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习

6、用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习当前位置：文档视界模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习模电知识要点总结-期末温习用-较全面合适考前时间充分的全面温习