半导体制冷ppt课件.pptx
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1、张昆1概述概述2原原理理3特特点点4系统系统5应用应用12:13:4412:13:442 2概述概述 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4512:13:453 3 半导体制冷半导体制冷( (亦名热电制冷、温差电制冷亦名热电制冷、温差电制冷或电子制冷或电子制冷) )是以温差电现象为基础的制冷是以温差电现象为基础的制冷方法,它是利方法,它是利用用“珀珀尔尔帖帖”效效应的原理达到应的原理达到制冷目的。制冷目的。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4512:13:454 4半半导导体及其特性体及其特性为什么选择半导体为什么选择半导体 ?热电效应热电效应背景知识背景知
2、识 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4612:13:465 51、什么是半导体?、什么是半导体? 物体按导电能力分类绝缘体导电能力很差的物体(如橡胶、塑料、陶瓷等)导体具有良好的导电能力的物体(如铜、银、铝)半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物体(如锗、硅、砷化镓及 许多金属氧化物)半导体的特性:光敏特性、热敏特性和掺杂特性 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4612:13:466 62、典型半导体、典型半导体 典型的半导体是典型的半导体是硅硅Si和和锗锗Ge,都是都是4价元素价元素。sisi硅原子硅原子Ge锗原子锗原子Ge+4+4硅和锗最外层轨硅和锗最
3、外层轨道上的四个电子道上的四个电子称为称为价电子价电子。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4612:13:467 73、半、半导导体的种类体的种类 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4612:13:468 8本征半导体本征半导体IP P型半导体型半导体N N型半导体型半导体 这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发,也称也称热激发热激发。 当温度升高或受到当温度升高或受到光的照射时,束缚电光的照射时,束缚电子能量增高,有的电子能量增高,有的电子可以挣脱原子核的子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,束缚,而参与导电,成为成为自由电子自由电子。+4+4+4+4+
4、4+4+4+4+4 自由电子产生的自由电子产生的同时,在其原来的共价同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位键中就出现了一个空位,称为,称为空穴空穴。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4712:13:479 9 可见本征激发同时产可见本征激发同时产生电子空穴对。生电子空穴对。 与本征激发相反与本征激发相反的现象的现象复合复合在一定温度下,本征激在一定温度下,本征激发和复合同时进行,达发和复合同时进行,达到动态平衡。电子空穴到动态平衡。电子空穴对的浓度一对的浓度一定。定。自由电子自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空空穴穴电子空穴对电子空穴对 概述概述原理原理特点特点
5、系统系统应用应用12:13:4812:13:481010导电机制导电机制 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4812:13:481111N型半导体型半导体多余电子多余电子磷原子磷原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多数载流子多数载流子自由电子自由电子少数载流子少数载流子 空穴空穴+N型半导体施主离子施主离子自由电子自由电子电子空穴对电子空穴对 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4812:13:481212空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多数载流子多数载流子 空穴空穴少数载流子少数载流子自由电子自由电子P型半
6、导体受主离子受主离子空穴空穴电子空穴对电子空穴对P型半导体型半导体 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4912:13:491313杂质半导体的示意图杂质半导体的示意图+N型半导体多子多子电子电子少子少子空穴空穴P型半导体多子多子空穴空穴少子少子电子电子少子浓度少子浓度与温度有关与温度有关多子浓度多子浓度与温度无关与温度无关 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:4912:13:4914144 4、PN结的形成及其单向导电性结的形成及其单向导电性扩散运动扩散运动P区空穴区空穴浓度远高浓度远高于于N区区。N区自由区自由电子浓度电子浓度远高于远高于P区区。 概述概述原
7、理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5012:13:5015154.1 PN结的形成结的形成漂移运动漂移运动 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5012:13:501616NP结PN 随着扩散运动的进行,在界面随着扩散运动的进行,在界面N区的一侧,随着电区的一侧,随着电子向子向P区的扩散,杂质变成正离子;在界面区的扩散,杂质变成正离子;在界面P区的一侧,区的一侧,随着空穴向随着空穴向N区的扩散,杂质变成负离子。所以在区的扩散,杂质变成负离子。所以在N型型和和P型半导体界面的型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层;在型区一侧会形成正离子薄层;在P型区一侧会形成负离子薄层
8、型区一侧会形成负离子薄层。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5112:13:511717扩散电流漂移电流NP结PN在半导体中还存在少子,内电场的电场力会对少子产生作用,在半导体中还存在少子,内电场的电场力会对少子产生作用,促使少数载流子产生漂移运动。促使少数载流子产生漂移运动。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5112:13:5118184.2PN结的单向导电性结的单向导电性PN结加正向电压导通:结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,形成扩散电流,PNPN结处于导通状态。
9、结处于导通状态。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5112:13:511919PN结加反向电压截止:结加反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。止。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5212:13:522020 普通金属导体的珀尔帖效应微弱,制冷效果不佳。例如当时曾用金属材料中导热和导电性能最好的锑-铋(Sb-Bi)热电偶做成制冷器,但其制冷效率还不到1 % ,根本没有实用价值。 随着人们对半导体材料内部
10、结构特点的了解,发现了它产生的温差电现象比其他金属要显著得多。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5212:13:522121热电热电效效应应 1.1.塞贝尔塞贝尔(seebeck)(seebeck)效应效应 2.2.珀尔帖珀尔帖(peltier)(peltier)效应效应3.3.汤姆逊汤姆逊(thomson)(thomson)效应效应半导体制半导体制冷的最基冷的最基本依据本依据 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5212:13:522222塞贝尔(塞贝尔(seebeck)效应)效应 E= .T (1821年,年,seebeck) 概述概述原理原理特点特点系
11、统系统应用应用12:13:5312:13:532323珀尔帖珀尔帖(poltier)效应)效应其本质是塞贝尔效应的逆效应(1834, poltier)。)。 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5312:13:532424IQcT汤姆逊(汤姆逊(thomson)效应)效应 若电流流过有温度梯度的导体,则在导体和周围环境之间将进行能量交换。(1855,Thomson) QT=T 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5312:13:53252519世纪30年代 20世纪50年代20世纪80年代 至今国外(分为三个阶段)国外(分为三个阶段)使用的金属材料的热电性能较差
12、,能量转换的效率很低,无实用价值,热电效应没有得到实质应用半导体材料的广泛应用,热电效应的效率大大提高,热电发电和热电制冷进入工程实践。.提高半导体的热电制冷的性能 开发热电制冷的应用领域20世纪50年代 20世纪80年代 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5312:13:53262620世纪5060年代20世纪90年代国内国内开始对半导体制冷进行了研究研究半导体制冷材料的高优值系数,拓宽其应用领域,产品以车用小型冷热箱为主开发出具有广泛实用价值的民用便携式冷热箱、化妆品专用冷藏箱、高低温测试设备以及半导体去湿系列产品20世纪60年代末至80年代初至2009年 半导体制冷组件
13、的主要性能指标已达到国外20世纪90年代水平 概述概述原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5412:13:542727 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用结构及材料结构及材料1工作原理工作原理2制冷特性制冷特性3制冷性能最佳分析制冷性能最佳分析4半导体制冷原理、结构及特性分析半导体制冷原理、结构及特性分析12:13:5412:13:542828 热电偶热电偶 由2个金属电桥(1、2)和一对电偶臂(由一块P型半导体和一块N型半导体构成) 组成 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5412:13:542929半导体制冷片半导体制冷片 (热电制冷片),是由上百对热电
14、偶联成的热电堆。 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5412:13:543030 一一对电偶的制冷量是很小的,如对电偶的制冷量是很小的,如6xL76xL7的电偶对的电偶对, ,其制冷其制冷量仅为量仅为3.33.34.2kJ/h4.2kJ/h(0.92w0.92w 1.2w1.2w) 为了获得较大的冷量可将很多对电偶对串联成热电堆,称单为了获得较大的冷量可将很多对电偶对串联成热电堆,称单级热电堆级热电堆 单级热电堆在通常情况下只能得到大约单级热电堆在通常情况下只能得到大约5050的温差。为了得的温差。为了得到更低的冷端温度,可用串联、并联及串并联的方法组出多级到更低的冷端温度
15、,可用串联、并联及串并联的方法组出多级热电堆,图热电堆,图2-12-1示示出多级热电堆的结构型式。出多级热电堆的结构型式。 多级热电堆多级热电堆 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5412:13:543131电 绝 缘 导 热 层 电绝缘导 热 层 I2 I I I1 图图2-12-1 多级热电堆的结构型式多级热电堆的结构型式 a) a) 串联二级热电堆串联二级热电堆 b) b) 并联二级热电堆并联二级热电堆 c c) ) 串并联三级热电堆串并联三级热电堆 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5412:13:5432321 1 半导体制冷片的结构及材料半导
16、体制冷片的结构及材料基板基板 一般是陶瓷片,主要成分是95氧化铝。起电绝缘、导热和支撑作用。在其表面烧结有金属化图形。导流条导流条 其成分多是无氧铜,起导电和导热作用。通过锡焊接在陶瓷片的金属化图形上。半导体致冷元件半导体致冷元件 在上下导流条之间,其主要成分是碲化鉍。它是制冷片的主功能部件,分N型元件和P型元件,通过锡焊接在导流条上。 概述概述 原理原理特点特点系统系统应用应用12:13:5512:13:553333 半导体不仅需要N型和P型半导体特性还要根据掺入的杂质改变半导体的温差电动势率导电率和导热率使这种特殊半导体能满足制冷的材料。 目前国内常用材料是以碲化铋为基体的三元固溶体合金其
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