《模拟电子技术基础》复习题-精品文档整理.pdf

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1、模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 1 模拟电子技术复习模拟电子技术复习题题 一、填空题 1 半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 其电阻率分别受 杂质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。 2 用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。 3 当外界温度、光照等变化时，半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。 4 纯净的、不含杂质的半导体，称为 本征半导体 。 5 在 N 型半导体中如果掺入足够量的 三 价元素，可将其改型为 P 型半导体。 6 本征半导体中掺入 III 族元素，例如 B、Al ，得到 P 型半导体。 7

2、杂质半导体分 N 和 P 两大类。 8 N 型半导体多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P 型半导体多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。 9 杂质半导体中， 多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ， 而少数载流子则与 温度有很大关系。 10 PN 结的主要特性是 单向导电性 。 11 PN 结正偏时导通，反偏时截止，所以 PN 结具有 单向 导电性。 12 PN 结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称为 空间电荷区 或耗尽区 。 13 PN 结加正向电压时，空间电荷区变 窄 ；PN 结加反向电压时，空间电荷区变 宽 。 14 PN

3、 结在无光照、无外加电压时，结电流为 零 。 15 PN 结两端电压变化时，会引起 PN 结内电荷的变化，这说明 PN 结存在 电容效应 。 16 二极管是由 一 个 PN 结构成，因而它同样具有 PN 结的 单向导电 特性。 17 二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述， 其数学式是 I=IS(eU/UT-1) ， 其曲线又可分三部分： 正向特性 、 反向特性 、 击穿特性 。 18 晶体二极管的正向电阻比其反向电阻 小 ，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的 低 ，击穿区的交流电阻又比正向区的 小 。 19 有两个晶体三极管 A 管的=200，ICEO=200A；B 管的=50，IC

4、EO=10A，其他参数大致相同，相比之下 B 管的性能较好。 20 点接触二极管的主要优点是 结电容 小，多用于 高频检波、小电流整流、小功率开关 21 稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在 击穿 ，所以当 反向电压 大于稳定电压UZ时，它才能产生稳压作用。 22 双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电；场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。 23 三极管具有放大作的用外部电压条件是发射结正向偏置，集电结 反向 偏置。 24 三极管有两个 PN 结，即 发射 结和 集电结，在放大电路中 反射 结必须正偏， 集电 结必须反偏。 25 三极管三个电极电流的分配关系是 IE= IB+IC 。

5、 26 三极管有 NPN 型和 PNP 型，前者在电路中使用的符号是，后者在电路中使用的符号是。 27 晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需 高浓度 掺杂，基区宽度要 窄 ；外部条件是：发射结要 正向 偏置，集电结要 反向 偏置。 28 处于放大状态的三极管 IC与 IB的关系是IC= IB ；处于饱和状态的三极管 IC不受 IB的控制， 没有 了放大作用；处在截止状态的三极管 IC 0 。 29 当 NPN 锗管工作在放大区时，在 E、B、C 三个电极中，以 c 电位最高， e 的电位最低；UBEQ约等于 0.2 。 30 当 PNP 型硅三极管处于放大状态时，在 E、B、C 三

6、个电极中，以 e 极电位最高， c 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 2 极的电位最低。 31 三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而 升高 ， 穿透电流ICEO随温度升高而 升高，UBE随温度的升高而 降低 ，值随温度的升高而 增加 。 32 三极管的三个主要极限参数是集电极最大功耗(PCM)；最大集电极电流(ICM)；反向击穿电压 UCE(BR) 33 三极管有三个电极，分别是 e 、 b 和 c 。 34 用直流电压表测得某放大器中 NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为 VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V，则该管工作在 饱和 区。 3

7、5 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V，则从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且 A 为 e 极，B 为 b 极，C 为 c 极。 36 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V，则从材料看为 硅 管，从结构上看为PNP 型管，且 A 为 e 极，B 为 c 极，C 为 b 极。 37 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为 VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V，则从材料看为 硅 管，从结构上看为

8、NPN 型管，且 A 为 c 极，B 为 e 极，C 为 b 极。 38 在放大状态下，三极管的 1，2，3 三个电极的电流分别为 I1=1.5mA，I2=30A，I3=1.53mA，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。= 50 ，= 0.98 。 39 场效应管是 电压 控制器件，分为两大类,一类是结型场效应管,另一类是 绝缘栅型 场效应管。 40 基本放大电路有共发射极、共集电极和 共基极 三种组态，其中 共集电极 组态只有电流放大作用而没有电压放大作用。 41 从输出特性上分析单级 PNP 管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致饱和 失真，

9、从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致 截止 失真。 42 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的交流 量，而放大电路设置静态工作点的目的是为了使放大电路工作稳定 。 43 如图一(a)是 NPN 管共射放大电路。 若其输出波形如图一(b)、 (c)所示， 则图一(b)是 饱和 失真，解决办法是将基极偏置电流调小 ；图一(c)是 截止 失真，解决办法是将基极偏置电阻调大 。 44 放大电路有两种工作状态，Ui=0 时的直流状态称为 静 态；当有交流信号 Ui输入时，放大电路的工作状态称为 动 态，此时，三极管各极电压、电流均有 直流 分量和 交流 分量两部分叠加

10、而成。 45 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的电容 和直流电源 视为短路。 46 交流放大电路的基本分析方法有图解法 和微变等效电路法 两种。 47 对于电压放大电路， 输入电阻越大 ， 就越能从前级信号源获得较大的电信号； 输出电阻越 小 ，放大电路带负载的能力越强。 图一 t UO 0 (c) (b) t UO 0 +UCC Rb RC RL UO Ui (a) 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 3 48 影响放大电路工作点稳定的主要因素是温度 的变化，稳定工作点常用的措施是在电路中引入直流负反馈 。 49 在单级共射放大电路中，如果静态工作点在负载线上设

11、置偏高，容易出现饱和 失真，常通过调整 基极偏置 元件来消除失真。 50 在单级共射放大电路中，无论是 NPN 型还是 PNP 型晶体三极管，当静态工作点在负载线上设置偏高时，容易出现 饱和 失真，过低时容易产生截止 失真。若采用基极上偏置电阻 Rb来消除失真，对于前者应使 Rb增大 ，对于后者应使 Rb减小 。 51 反映双极型晶体三极管（BJT 管）放大能力的参数是 ，反映场效应管（FET 管）放大能力的参数是 gm 。 52 BJT 管是 电流 控制器件，而 FET 管则是电压 控制器件。 53 当 BJT 管发射结正偏，集电结反偏时，放大电路工作在放大 区；当 BJT 管发射结和集电结

12、均正偏时，放大电路工作在饱和 区；当 BJT 管发射结和集电结均反偏时，放大电路工作在截止 区。 54 双极型晶体三极管放大电路有 共基 、共射 和共集 三种接法，其中电压、电流放大倍数都比较大的是 共射 接法。所谓共射放大电路，是指在电路的交流通路中，以发射 极作为输入输出信号的共同参考点。 55 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中， 共射 放大电路既有电压放大，又有电流放大；共集 放大电路只有电流放大，而无电压放大；共基 放大电路只有电压放大，而无电流放大。 56 在共射、共基和共集三种组态的单管放大电路中，欲要带负载能力强的应选 共集 电路；欲要电压放大且频率响应好的应选 共基 电路

13、。 57 共集电极电路的特点是：输入电阻大 ，输出电阻 小 ，电压放大倍数 1 ，动态范围较大 。 58 在共射、共基和共集三种组态的放大电路中，共集 放大电路的输入电阻最高；共集 放大电路的输出电阻最低。 59 在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，共基 共集 电路输入输出电压同相， 共射 电路输入输出电压反相。 60 在共射、共基和共集三种组态单管放大电路中，当待处理的信号是电流时，可采用 共基 放大电路，利用的是该电路的 频率特性最好 的特点。 61 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路比较， 存在着三个主要特殊问题是： 、 和 。 62 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 温度 ，

14、因此，集成运放的第一级通常采用 差分放大电路 。 63 零点漂移一般都是折合到 输入 端来衡量的。若 Au=1000，输出端最大漂移为 50mV，则该放大电路的漂移为 50v 。 64 多级放大器的耦合方式有：直接耦合、 阻容耦合 和 变压器耦合 三种。 65 多级交流放大电路的极间耦合方式有直接耦合、 阻容耦合 和 变压器耦合 三种。三种，在低频电压放大电路中常采用阻容 耦合方式，直接 耦合电路存在零点漂移问题。 66 多级放大电路中， 第一级电压增益为 40dB， 第二级电压增益为 20dB， 则总电压增益为60dB ，折算为电压放大倍数为1000 倍。 67 多级放大电路中，第一级电压放

15、大倍数为 100 倍，第二级电压放大倍数为 1000 倍，则总电压放大倍数为100000 倍，折算为电压增益为100 dB。 68 一般而言， 多级放大电路的输入电阻等于 第一极输入 ； 输出电阻等于 最后一级输出 。 69 某多级放大器中各级电压增益为：第一级 20、第二级 50、第三级 50、第四级 20，总的放大倍数为1000000倍。放大器的总增益为 120 dB。 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 4 70 放大器的幅频响特性的通频带 BW= fHfL ； 通频带过宽会导致信噪比差， 通频带小于信号带宽，会产生 失真 。 71 在如图二所示的电路中，VT1、VT

16、2组成两级阻容 耦合放大电路。其中 VT1管组成共射 电路，VT2管组成 共集 电路，又称 射级输出器 电路；电路中 C1、C3、C4称为隔直耦合 电容，其作用是隔断直流 ，C2称为旁路 电容，其作用是使发射极电阻只有直流负反馈无交流 。 72 场效应管从结构上可分为结 和绝缘 两大类；从其导电沟道上可分为 N 沟道和P 沟道两大类。 73 场效应管放大电路中，其输入电阻特别高 ，故栅流 IG 0 。 74 在晶体三极管放大电路中，当 f=f时，值为0（低频时的数值）的 2 倍；当 f=fT时，值为 1 ，fT称为 特征频率 ，f称为 共射截止频率 。 75 为了使输出电流稳定，应引入电流 负

17、 反馈，其输出电阻将 大 。 76 为了使输出电压稳定，应引入电压负 反馈，其输出电阻将小 。 77 电压负反馈稳定的输出量是 电压 ，使输出电阻 小 ，电流负反馈稳定的输出量是 电流 ，使输出电阻 大 。 78 若希望负载变化时，放大器的输出电压稳定，应引入 电压负 反馈，此时输出电阻将 小 。 79 为了使放大器的输入电阻提高，应引入串联负 反馈。 80 为了使放大器的静态工作点稳定，应引入直流负 反馈。 81 若要减小放大器从信号源索取电流，应引入串联负 反馈。 82 若要提高放大器的带负载能力，应引入电压负 反馈。 83 若信号源的内阻大，应引入 并联 反馈，效果才显著。 84 交流串

18、联负反馈只有信号源内阻 较小 时，效果才显著。 85 电路引入负反馈可以改善放大电路的性能，如降低电路产生的非线性失真，提高电路的稳定性，提高电路的通频带，降低电路噪音等等。 86 某放大器无反馈时，输入信号为 20mV，输出电压为 10V。而引入负反馈后，欲使输出电压不变，则输入信号应增大为 200mV，故所引入的反馈深度为10 。 87 在低频功率放大器中，集电极电流的导通角= 180 为甲类；导通角= 90 为乙类；90 0，UBC0 B. UBE0，UBC0 C. UBE0 D. UBE0，UBCICM时，下列说法正确的是( )。C A. 晶体管一定被烧毁 B. 晶体管的 PC=PCM

19、 C. 晶体管的 一定减小 D. 晶体管的 一定增大 39. 温度升高 。B A. uBE减小，输入特性曲线右移 B. uBE减小，输入特性曲线左移 C. uBE增大，输入特性曲线右移 D. uBE增大，输入特性曲线左移 40. 当温度升高时，晶体管的 、ICEO、UBE的变化情况是( )。B 3 2 1 （+3V） （+9V） （+3.2V） 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 8 A. 增加、ICEO和UBE减小 B. 和 ICEO增加、UBE减小 C. 和 UBE减小，ICEO增加 D. 、ICEO和 UBE都增加 41. 对于 N 沟道 JFET 作放大作用时，场效

20、应管应该工作在( )。A A.恒流区 B.可变电阻区 C.夹断区 C.截止区 42. 场效应管属于（ ）控制型器件。B A电流 B电压 C电感 D电容 43. 对于 N 沟道 JFET 作放大作用时，场效应管应该工作在 。 （A） A.恒流区 B.可变电阻区 C.夹断区 D不确定 44. 某晶体管的 PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V。若要工作在放大状态，在下列几种情况下，可能正常工作的是( )。D A. UCE=15V， IC=10mA B. UCE=2V， IC=40mA C. UCE=6V， IC=20mA D. UCE=8V， IC=10mA 45. 对于电

21、流放大，希望放大电路的输入电阻( )，对于电压放大，希望放大电路的输入电阻( )。D A. 越大越好，越大越好 B. 越小越好，越小越好 C. 越大越好，越小越好 D. 越小越好，越大越好 46. 在基本共射电路中，基极偏置电阻 Rb的作用是 。 A A. 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路 B. 把基极电流的变化转换为输入电压的变化 C. 保护信号源 D. 防止输出信号被短路 47. 在基本共射放大电路中，( )可以把放大的电流转换为电压输出。B A. Rb B.RC C.C1 D.C2 48. ( )是衡量放大电路对信号的放大能力。C A. Ri B.RO C. Au

22、 D.BW 49. 若要实现小信号的放大，需将静态工作点设置在（ ）B A. 导通区 B. 受控区 C. 截止区 D. 任意位置 50. 画直流通路时（ ）A A. 交流电压源短路，电容开路 B. 交流电流源短路，电感开路 C. 交流电流源短路，电容开路 D. 交流电压源短路，电感开路 51. 放大电路直流通路的画法是( )。C A. 电容视为短路，电感视为短路 B. 电容视为短路，电感视为开路 C. 电容视为开路，电感视为短路 D. 电容视为开路，电感视为开路 52. 放大电路交流通路的画法是( )。D A. 理想直流电源开路，大容量电容开路 B. 理想直流电源开路，大容量电容短路 C. 理

23、想直流电源短路，大容量电容开路 D. 理想直流电源短路，大容量电容短路 53. 源电压放大倍数与电压放大倍数的关系是( )。B A.uSiSusARRRA B. uSiiusARRRA C. uOSSusARRRA D. uOiiusARRRA 54. 一个共集电极组态的基本放大电路，它具有如下那些特点 。 （B） A.输出与输入同相，电压增益略大于 1； B.输出与输入同相，电压增益稍小于 1； C.输出与输入反相，电压增益略大于 1 D.输出与输入反相，电压增益稍小于 1 55. 输出电阻是衡量电压放大电路带负载能力的一项指标。输出电阻越小，则当负载变动时，放大电模拟电子技术 广西师范大学

24、 电子工程学院 201605 9 路输出电压( )。A A.变动越小 B.变动越大 C.不变 D. 上述情况皆有可能发生 56. ( )是衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。D A.Ri B.RO C.Au D.BW 57. 由于放大电路是交直流共存的，则下列表达式正确的是( )。D A. UBE=uBE+ube B. uBE=UBE+Ube C. ube=UBE+uBE D. uBE=UBE+ube 58. 在如图所示的交流通路中，输出电压可表示为( )。D A. uo=-iCRC B. uo=-iCRL C. uo=iC(RC/RL) D. uo=-iC(RC/RL) 59. BJT 放

25、大电路中，最有可能用于宽带的放大电路组态是（ ）C A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 都可以 60. 晶体三极管工作时，当环境温度升高时，则UBE（ ） 。B A 增大 B 减小 C 基本不变 D 由于与温度无关，故无法判断 61. 对于单管共射放大电路，若输出电压出现饱和失真，消除它应使（ ） 。A A Rb B Rb C 选大的管 D RL 62. 由输出特性分析单级 PNP 型管组成的放大电路， 若从示波器上看输出电压波形的顶部被削波这属于（ ）失真。B A 截止 B 饱和 C 线性 D 交越 63. 为使放大器输出电压动态范围最大，应调整工作点 Q 位于（ ） 。C A 直流负

26、载线的中点 B 直流负载线的最低点 C 交流负载线的中点 D 交流负载线的最低点 64. 放大电路的图解分析方法（ ） 。B A 只能分析直流状态 B 既能分析直流状态，也能分析交流状态 C 只能分析交流状态 D 只能分析小信号交流状态 65. 在放大电路中，适当使 ICQ减小，则晶体管的（ ）将会明显增加。C A (hfe) B ICEO C rbe(hie) D BUCEO 66. 在放大电路中，适当使 ICQ增大，则放大器的（ ） 。D A Ri B Ro C fh D Au 67. 基本共射放大电路中，ICQ=1mA，当更换晶体三极管时，从 50 增大为 100，则该放大器的电压放大倍

27、数Au（ ） 。D A 约为原来的 1/2 B 约为原来的 2 倍 C 约为原来的 4 倍 D 基本不变 68. 对于电压放大电路的输入电阻、输出电阻，说法正确的是（ ）C A 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈小愈好 B 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈大愈好 C 输入电阻愈大愈好，输出电阻愈小愈好 D 输入电阻愈小愈好，输出电阻愈大愈好 69. 无反馈放大电路的增益带宽积比有反馈放大电路的增益带宽积（ ） 。C A 大 B 小 C 相等 D 不能确定 70. 某放大器输出端开路电压为 4V，接入 3k负载电阻后，输出电压为 3V，则放大器的输出电阻为（ ） 。C A 10 k B 2 k C 1 k

28、 D 0.5 k 71. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地匹配，可以在二者之间接入（ ） 。C A 共射放大电路 B 共基放大电路 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 10 C 共集放大电路 D 共射共基级联放大电路 72. 为了使信号电压能有效地放大，且带负载能力强，在信号源与负载间接入（ ） 。D A 共射放大电路 B 共基放大电路 C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路 73. 为了把一个内阻小的电压源转变为内阻尽可能大的电流源，可以在电压源后接入（ ） 。B A 共射放大电路 B 共基放大电路 C 共集放大电路 D 共射共集级联放大电路 74. 在放大电路中，

29、既要能放大电压，由要能放大电流，应选用（ ）B A 共集电路 B 共射电路 C 共基电路 D 不能确定 75. 对于单管共射放大，若输入耦合电容 C1增大，其他参数不变，则下限频率 fL（ ） 。B A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 76. 对于单管共射放大器，若发射极旁路电容 Ce增大，其他参数不变，则下限频率 fL（ ） 。B A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 77. 对于单管共射放大器，若集电极电阻 RC减小，其他参数不变，则上限频率 fH（ ） 。A A 变大 B 变小 C 基本不变 D 不能确定 78. 射极跟随器适合做多级放大电路的中间隔离级，是因为射随

30、器的（ ） 。C A输入电阻高，输出电阻高 B输入电阻低，输出电阻低 C输入电阻高，输出电阻低 D输入电阻低，输出电阻高 79. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应（ ）A A 好 B 差 C 差不多 D 从差到好 80. 在集成电路中经常采用的一种耦合方式是( )耦合。C A. 阻容 B. 变压器 C. 直接 D. 光电 81. 要求静态时负载两端电压不含直流成分，应选用（ ）耦合方式。D A. 阻容 B. 变压器 C. 直接 D. A 和 B 82. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ） 。C A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响

31、 D 电源电压不稳定 83. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ） 。C A 便于设计 B 放大交流信号 C 不易制作大容量电容 D 克服温漂 84. 直接耦合放大电路（ ） 。A A 既能放大直流信号也能放大交流信号 B 只能放大直流信号 C 只能放大小信号交流信号 D 只能放大交流信号 85. 一个多级放大器的电压放大倍数为（ ）B A 各级电压放大倍数之代数和 B 各级对数放大倍数之代数和 C 各级电压放大倍数之差 D 各级对数放大倍数之乘积 86. 两级级联放大电路，其后级的输入电阻是前级的（ ）D A 输出电阻 B 输入电阻 C 信号源内阻 D 负载电阻 87. 放大电路产生零

32、点漂移的原因，主要是由于温度变化对电路中的（ ）有影响。D A 电阻 B 电容 C 电感 D 晶体管参数 88. 甲乙类功率放大电路中晶体管的导通角是（ ） 。C A. =90 B. =180 C. 90 1 B. 1 C. 1 D. 1 135. 在深负反馈放大电路中，闭环放大倍数 Af （ ） 。C A. 1/ (1+FA) B. 1+FA C. 1/F D. F 136. 在深度串联负反馈放大电路中，其输入回路应具有（ ） 。C A If Ii B If I C Uf Ui D Uf U 注意：下标中“i”外加输入； “”净输入； “f”反馈。 （下同） 137. 在深度串联负反馈放大电

33、路中，其输入回路应具有（ ） 。A 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 14 A If Ii B If I C Uf Ui D Uf U 138. 对于给定的两个电路（a）和（b） ，以下说法正确的是（ ）C A. 图（a）有反馈，图（b）有反馈 B. 图（a）无反馈，图（b）无反馈 C. 图（a）有反馈，图（b）无反馈 D. 图（a）无反馈，图（b）有反馈 139. 如图所示电路引入的反馈类型是（ ）B A 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈 C 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈 140. 如图所示电路引入的反馈类型是（ ）D A 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈 C

34、 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈 141. 如图所示电路引入的反馈类型是（ ）A A 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈 C 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈 142. 在深负反馈放大电路中，理论上两级负反馈放大电路（ ）产生自激振荡。B A 很容易 B 较容易 C 不会 D 不能确定 143. 已知某放大电路的输出噪声电压是由电路内部产生的，为抑制这种噪声应（ ） 。D A. 减小开环增益 A B. 引入交流负反馈 C. 引入交流负反馈，并降低闭环增益 Auf D. 引入交流电压负反馈 144. 在多级放大电路中，经常采用功率放大电路作为（ ） 。C A. 输入级 B. 中间级 C.

35、输出级 D. 偏置电路 145. 集成运算放大电路一般分为( )两个工作区。A A. 线性与非线性 B. 开环与闭环 C. 正反馈与负反馈 D. 虚短与虚断 146. 集成运算放大电路在线性应用时， “虚短”和“虚断”的概念是根据理想运算放大电路满足（ ）条件推出的。B A. 共模抑制比 KCMR=，输出电阻 ro=0 B. 开环差模电压增益 Aod=，差模输入电阻 rid= (b) (a) 10k 1k 10k 1k 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 15 C. 差模输入电阻 rid=，输出电阻 ro=0 D. 开环差模电压增益 Aod=，输出电阻 ro=0 147.

36、为了工作在线性区，应使集成运放处于（ ）状态。B A. 正反馈 B. 负反馈 C. 正反馈或负反馈 D. 负反馈或无反馈 148. 与反相比例运算放大器相比，同相比例运算放大器的主要优点是（ ） 。A A 输入电阻高 B 电压增益大 C 零点漂移小 D 不易自激 149. 理想运算放大器应用电路中，若有 Uid=0，则运放（ ） 。B A 处于开环状态 B 引入了负反馈 C 有正反馈 D 不能确定 150. 在集成运放的同相跟随器中，引入了（ ） 。A A 串联电压负反馈 B 并联电压负反馈 C 串联电流负反馈 D 并联电流负反馈 151. 希望抑制 50Hz 的交流电源干扰，应选用中心频率为

37、 50Hz 的（ ）滤波电路 。D A高通 B低通 C带通 D带阻 152. 若希望获得 20Hz20kHz 的音频信号，应选用（ ） 滤波电路 。C A高通 B低通 C带通 D带阻 153. 希望抑制频率低于 100Hz 的干扰，应选用（ ）滤波电路 。A A高通 B低通 C带通 D带阻 154. 希望抑制频率高于 20MHz 的噪声，应选用（ ）滤波电路 。A A高通 B低通 C带通 D带阻 155. （ ）滤波电路在 f=0 和 f时的电压放大倍数都等于零。A A. 低通 B. 高通 C. 带通 D. 带阻 156. 在理想情况下， （ ）滤波电路在 f时的电压放大倍数就是它的通带电压放

38、大倍数。B A. 低通 B. 高通 C. 带通 D. 带阻 157. 与单限电压比较器相比，滞回电压比较器的抗干扰能力（ ） 。B A较弱 B较强 C与单限比较器相近 D与单限比较器无法比较 158. 下列关于电压比较器的说法，不正确的是（ ） 。D A. 电压比较器完成两个电压大小的比较，将模拟量转换为数字量 B. 构成电压比较器的集成运放工作在非线性区 C. 电压比较器的输出电压只有两种可能，即正的最大值或负的最大值 D. 电压比较器一定外加正反馈 159. 下列关于滞回电压比较器的说法，不正确的是（ ） 。A A. 构成滞回电压比较器的阈值电压可以是 1 个，也可以是 2 个 B. 滞回

39、电压比较器一定引入了正反馈 C. 滞回电压比较器的输出电压只有正的最大值和负的最大值两种可能 D. 构成滞回电压比较器的集成运放工作在非线性区 160. 电压比较器可以将正弦波变换为（ ）波。C A. 三角波 B. 锯齿波 C. 矩形波 D. 余弦波 161. 与单限电压比较器相比，滞回电压比较器的抗干扰能力（ ） 。B A. 较弱 B. 较强 C. 与单限比较器相近 D. 与单限比较器无法比较 162. 窗口电压比较器一般用于（ ） 。C A. 波形变换 B. 抑制干扰 C. 检测电路 D. 模拟电路与数字电路之间的接口电路 163. 在直流电源中整流的目的是（ ） 。A A. 将交流电压变

40、为单向脉动电压 模拟电子技术 广西师范大学 电子工程学院 201605 16 B. 将正弦波变为方波 C. 将高频信号变为低频信号 D. 变交流电压的输出幅度 164. 在直流电源中滤波的目的是（ ） 。C A. 将交流电压变为直流电压 B. 将高频电压变为低频电压 C. 滤除整流电路输出电压中的脉动成分 D. 将正弦波变为锯齿波 165. 在整流电路的后面接入电容滤波电路可以（ ） 。B A使输出直流电压 UO减小 B使输出直流电压 UO提高且使脉动成分减小 C使输出直流电压 UO不变 D将交流电压变成单向脉动电压 166. 设电源变压器次级电压有效值为 U2，则桥式整流电容滤波电路的输出电

41、压 Uo（ ） 。C A 0.45 U2 B 0.9 U2 C 1.2 U2 D 1.4 U2 167. 设电源变压器次级电压有效值为 U2，则纯阻负载时，桥式整流电路的输出电压 Uo（ ） 。B A 0.45 U2 B 0.9 U2 C 1.2 U2 D 1.4 U2 168. 设电源变压器次级电压有效值为 U2，则桥式整流电路中的二极管所承受的最大反向峰值电压UDRmax（ ） 。B A U2 B 2U2 C 22U2 D U2/2 169. 在整流电路的后面接入电容滤波电路可以（ ） 。B A 稳定 UO B 使 UO提高且使脉动成分减小 C 减小 UO D 将交流电压变成单向脉动电压 170. 在桥式整流电容滤波电路中，滤波电容 C 的选择可根据（ ） 。D A CRL1 (35)T/2 B CRL1 (35)T/2 C RLC (35)T/2 D RLC (35)T/2 156. 对于开关型稳压电路，当占空比 D 减小时，其输出电压将（ ） 。B A增大 B减小 C不变 D无法确定