材料科学基础 复习题及部分答案..pdf
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1、单项选择题:第 1 章 原子结构与键合1.高分子材料中的 C-H 化学键属于。(A)氢键(B)离子键(C)共价键2.属于物理键的是。(A)共价键(B)范德华力(C)离子键3.化学键中通过共用电子对形成的是。(A)共价键(B)离子键(C)金属键第 2 章 固体结构4.以下不具有多晶型性的金属是。(A)铜(B)锰(C)铁5.fcc、bcc、hcp 三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。(A)fcc(B)bcc(C)hcp6.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。(A)氮(B)碳(C)硼7.面心立方晶体的孪晶面是。(A)112(B)110(C)1118.以下属于正常价化合物的是。(A)Mg
2、2Pb(B)Cu5Sn(C)Fe3C第 3 章 晶体缺陷9.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷10. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。(A)肖脱基缺陷(B)Frank 缺陷(C)堆垛层错11. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?(A)垂直(B)平行(C)交叉12. 能进行攀移的位错必然是。(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错13. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金14. 大角度晶界具有_个自由度。(A)3(B)4(C)5第 4 章 固体中原子及分子的运
3、动15. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。(A)距离(B)时间(C)温度16. 在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制17. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制18. 原子扩散的驱动力是。(4.2 非授课内容)(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度1319. A 和 A-B 合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A 试样方向移动,则。(A)A 组元的扩散速率大于B 组元(B)B 组元的扩散速率大于A 组元(C)A、B 两组元的扩散速率相同20.
4、下述有关自扩散的描述中正确的为。(A)自扩散系数由浓度梯度引起(B)自扩散又称为化学扩散(C)自扩散系数随温度升高而增加第 5 章 材料的形变和再结晶21. 在弹性极限e 范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后22. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向23. bcc、fcc、hcp 三种典型晶体结构中,_具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。(A)bcc(B)fcc(C)hcp24.,位错
5、滑移的派-纳力越小。(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C) 相邻位错的距离越大25. Cottrell 气团理论对应变时效现象的解释是:(A)溶质原子再扩散到位错周围 (B)位错增殖的结果(C) 位错密度降低的结果26. 已知 Cu 的 Tm=1083C,则 Cu 的最低再结晶温度约为。(A)200C(B)270C(C)350C27. 已知 Fe 的 Tm=1538C,则 Fe 的最低再结晶温度约为。(A)350C(B)450C(C)550C28. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶段。(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大29. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,
6、则点缺陷浓度下降明显发生在。(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段30. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。(A)点缺陷的明显下降(B)形成亚晶界(C)位错重新运动和分布31. 由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在_部位不易形核。(A)大角度晶界和孪晶界(B)相界面(C)外表面32. 纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面33. 对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为。(A)晶界合并(B)晶界迁移(C)晶界弓出34. 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向
7、着13_方向移动(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直35. 开始发生再结晶的标志是:(A)产生多变化(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织(C)晶粒尺寸显著增大36. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化37. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化38. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。(A)复合强化(B)晶粒细化(C)固溶强化第 6 章 单组元相图及纯晶体的凝固39. 凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,
8、体系的自由能变化。(A)大于零(B)等于零(C)小于零40. 以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是。(A)金属锗(B)透明环己烷(C)氧化硅41. 以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长的是。(A)金属锗(B)铜镍合金(C)金属铅42. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的。(A)1/3(B)2/3(C)1/443. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为。(A)树枝晶(B)柱状晶(C)胞状晶44. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)对液相实施搅拌第 7 章 二元系相图及其合金的凝固45. 对离异共
9、晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是。(A)离异共晶只能经非平衡凝固获得(B)伪共晶只能经非平衡凝固获得(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分46. 在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法则用于。(A)单相区中(B)两相区中(C)三相平衡水平线上47. 二元系合金中两组元部分互溶时,不可能发生。(A)共晶转变(B)匀晶转变(C)包晶转变48. 任一合金的有序结构形成温度无序结构形成温度。(A)低于(B)高于(C)可能低于或高于49. fcc、bcc、hcp 三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。(A)fcc(B)bcc(C)hcp50. 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素
10、是。(A)氮(B)碳(C)硼51. 面心立方晶体的孪晶面是。(A)112(B)110(C)11152. 以下属于正常价化合物的是。13(A)Mg2Pb(B)Cu5Sn(C)Fe3C53. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷54. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。(A)肖脱基缺陷(B)Frank 缺陷(C)堆垛层错55. 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?(A)垂直(B)平行(C)交叉56. 能进行攀移的位错必然是。(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错57. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是(A)
11、孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金58. 大角度晶界具有_个自由度。(A)3(B)4(C)559. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。(A)距离(B)时间(C)温度60. 在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制61. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制62. 原子扩散的驱动力是。(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度63. A 和 A-B 合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A 试样方向移动,则。(A)A 组元的扩散速率大于B 组元(B)B
12、组元的扩散速率大于A 组元(C)A、B 两组元的扩散速率相同64. 下述有关自扩散的描述中正确的为。(A)自扩散系数由浓度梯度引起(B)自扩散又称为化学扩散(C)自扩散系数随温度升高而增加65. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向66. bcc、fcc、hcp 三种典型晶体结构中,_具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。(A)bcc(B)fcc(C)hcp67.,位错滑移的派-纳力越小。(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C) 相
13、邻位错的距离越大68. Cottrell 气团理论对应变时效现象的解释是:(A)溶质原子再扩散到位错周围 (B)位错增殖的结果(C) 位错密度降低的结果69. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶段。(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大70. 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在。(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段71. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。(A)点缺陷的明显下降13(B)形成亚晶界(C)位错重新运动和分布72. 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着_方向移动(A)
14、曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直73. 开始发生再结晶的标志是:(A)产生多变化(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织(C)晶粒尺寸显著增大74. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化75. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化76. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。(A)复合强化(B)晶粒细化(C)固溶强化77. 凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,体系的自由能变化。(A)大于零(B)等于零(C)小于零78
15、. 以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是。(A)金属锗(B)透明环己烷(C)氧化硅79. 以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长的是。(A)金属锗(B)铜镍合金(C)金属铅80. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的。(A)1/3(B)2/3(C)1/481. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为。(A)树枝晶(B)柱状晶(C)胞状晶82. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)对液相实施搅拌83. 对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是。(A)离异共晶只能经非平衡凝固获得(B)伪共晶只能经非
16、平衡凝固获得(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分多项选择题:第 1 章1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是。(A)共价键(B)离子键(C)氢键(D)金属键 (E)范德华力第 2 章2.晶体区别于其它固体结构的基本特征有。(A)原子呈周期性重复排列(B)长程有序(C) 具有固定的熔点 (D) 各向同性(E)各向异性3.具有相同配位数和致密度的晶体结构是。(A)面心立方(B)体心立方(C)简单立方(D)底心立方(E)密排六方4.以下具有多晶型性的金属是。13(A)铜(B)铁(C)锰(D)钛(E)钴5.以下等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。(A)镁(B)锌(C)镉(D)铬(E)铍
17、6.铁具有多晶型性,在不同温度下会形成等晶体结构。(A)面心立方(B)体心立方(C)简单立方(D)底心立方(E)密排六方第 3 章 晶体缺陷7.晶体中点缺陷的形成原因有。(A)(B)(C)(D)(E)温度起伏,高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照8.晶体缺陷中属于面缺陷的有。(A)层错(B)外表面(C)孪晶界(D)相界(E)空位第 4 章 固体中原子及分子运动9.影响扩散的主要因素有。(A)温度(B)固溶体类型 (C)晶体结构(D)晶体缺陷(E)化学成分第 6 章10. 关于均匀形核,以下说法正确的是。(A)体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二(B)非均匀形核比均匀形核难度
18、更大(C)结构起伏是促成均匀形核的必要因素(D)能量起伏是促成均匀形核的必要因素(E)过冷度T 越大,则临界半径越大11. 以下说法中,说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。(A)非均匀形核所需过冷度更小(B)均匀形核比非均匀形核难度更大(C)一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大(D)均匀形核试非均匀形核的一种特例(E)实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核12. 晶体的长大方式有。(A)连续长大(B)不连续长大 (C)平面生长(D)二维形核生长(E)螺型位错生长13. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有。(A)加入形核剂 (B)减小液相过冷度 (C)增大液相过冷度(D)
19、增加保温时间(E)施加机械振动第 7 章14. 二元相图中,属于共晶方式的相转变有。(A)共晶转变(B)共析转变(C)偏晶转变(D)熔晶转变15. 二元相图中,属于包晶方式的相转变有。13(E)合晶转变(A)包晶转变(B)包析转变(C)合晶转变(D)偏晶转变(E)熔晶转变16. 二元相图必须遵循以下几何规律:。(A)相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分(B)两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开,而不能以一条线接界(C)两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开(D)二元相图中的三相平衡必为一条水平线(E)两相区与单相区的分界线与等温线相交时,其延长线应进入另一两相区内1
20、7. 构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件:。(A)具有相同的晶体结构,晶格常数相近(B)具有相同的熔点(C)具有相同的原子价(D)具有相似的电负性(E)原子半径差小于 15%18. 固溶体的平衡凝固包括等几个阶段。(A)液相内的扩散过程(B)固相内的扩散过程(C)液相的长大(D) 固相的继续长大(E)液固界面的运动(A)(B)(C)(D)(E)判断题:第一章1.离子键的正负离子相间排列,具有方向性,无饱和性。2.共价键通过共用电子对而成,具有方向性和饱和性。3.同位素的原子具有相同的质子数和中子数。第二章4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.复杂
21、晶胞与简单晶胞的区别是,除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。(对)晶体结构的原子呈周期性重复排列,即存在短程有序。(错)立方晶系中,晶面族111表示正八面体的面。(对)立方晶系中,晶面族110表示正十二面体的面。(对)晶向指数和晶面指数 ( h k l )中的数字相同时,对应的晶向和晶面相互垂直。(对)晶向所指方向相反,则晶向指数的数字相同,但符号相反。(对)bcc 的间隙不是正多面体,四面体间隙包含于八面体间隙之中。(对)溶质与溶剂晶体结构相同是置换固溶体形成无限固溶体的必要条件。(对)非金属和金属的原子半径比值rx/rm0.59 时,形成间隙化合物,如氢化物、氮化物。(错)晶体中的原子
22、在空间呈有规则的周期性重复排列; 而非晶体中的原子则是无规则排列的。(对)选取晶胞时,所选取的正方体应与宏观晶体具有同样的对称性。(错)空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,只有14 种类型,而实际存在的晶体结构是无限的。 (对)形成置换固溶体的元素之间能无限互溶,形成间隙固溶体的元素之间只能有限互溶。(错)只有置换型固溶体的元素间有可能无限互溶,形成间隙固溶体的元素之间只能有限互溶。(对)间隙固溶体的溶解度不仅与溶质原子大小有关,还与晶体结构中间隙的形状、大小等有关。 (对)(错)(对)(错)第三章1319. 弗兰克缺陷是原子迁移到间隙中形成的空位-间隙对。(对)20. 位错线只能终止在晶体
23、表面或界面上, 而不能中止于晶体内部。(对)21. 滑移时,刃型位错的运动方向始终平行于位错线,而垂直于柏氏矢量。(错)22. 晶体表面一般为原子密度最大的面,其表面能与曲率有关:曲率越大,表面能越大。第四章23. 菲克定律描述了固体中存在浓度梯度时发生的扩散,即化学扩散。(对)24. 温度越高,原子热激活能越大,扩散系数越大。(对)25. 置换固溶体中溶质原子要高于间隙固溶体中的溶质原子的扩散速度。(错)26. 由于晶体缺陷处点阵畸变较大,原子处于较高的能量状态,易于跃迁,故扩散激活能较小。 (对)第五章27. 滑移面和滑移方向总是晶体中原子密度最大的面和方向。(对)28. 再结晶过程中显微
24、组织重新改组,形成新的晶体结构,因此属于相变过程。29. 晶界本身的强度对多晶体的加工硬化贡献不大,而多晶体加工硬化的主要原因来自晶界两侧晶粒的位向差。(对)30. 聚合型合金的抗变形能力取决于两相的体积分数。(错)31. 塑性变形会使金属的导电性升高,抗腐蚀性下降。(错)32. 原子密度最小的晶面上面间距最大、点阵阻力最小。(错)33. 孪生临界切应力比滑移的大得多,只有在滑移很难进行的条件下才会发生。(对)34. 变形孪晶的生长过程分为形核、长大两个阶段,一般形核容易,长大比较难。(错)35. 再结晶晶粒长大的驱动力是来自晶界移动后体系总的自由能的降低。(对)36. 塑性加工产生硬化与位错
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