《半导体材料物理课程设计》课程教学大纲.doc

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1、半导体薄膜材料设计和制备课程设计课程教学大纲课课程程编编号号 ：16212004 总总学学时时数数 ：一周 总总学学分分数数 ：1 课课程程性性质质 ：专业必修课 适适用用专专业业 ：应用物理学一、课程的任务和基本要求：一、课程的任务和基本要求： （一）课程设置目的 本课程根据半导体薄膜材料生长的物理机制，设计半导体薄膜材料生长工艺，并制备相关 材料，是半导体材料制备的基础课程设计。 （二）教学基本要求 1、掌握制备 ICPCVD 法薄膜材料的工艺和方法； 2、掌握磁控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法； 3、掌握溶胶-凝胶法制备薄膜材料的工艺和方法； 4、掌握半导体材料基本表征技术。二、基本内容

2、和要求：二、基本内容和要求：本课程分三部分，由学生任选一部分内容。第一部分 ICPCVD 法薄膜材料的工艺和方法 ICPCVD 等离子体的形成； ICPCVD 制备硅薄膜的化学动力学； 硅薄膜生长的动力学过程控制； 硅薄膜 XRD 表征。 设计后，应能达到以下要求： 1、熟悉电感耦合产生等离子体的机制; 2、掌握 CVD 法制备薄膜材料的工艺和方法; 3、掌握薄膜材料的 XRD 表征方法。第二部分 次控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法 用 X 射线衍射仪对制备的薄膜进行测试，观察上述实验条件改变对薄膜晶体结构的影响； 用原子力显微镜对制备的薄膜材料表面进行测试，分析不同实验条件对薄膜形貌的影响；

3、 对实验过程和结果进行总结。 设计后，应能达到以下要求： 1. 掌握磁控溅射设备的使用方法；2在溅射时保持功率不变，掌握溅射气压对溅射辉光变化的影响关系；3在溅射时保持气压不变，掌握溅射功率对溅射辉光变化的影响关系。第三部分 导电氧化物 LaNiO3 薄膜的制备和表征 1、LaNiO3 (LNO)先体溶液的配置。2、通过旋转甩胶法（Spin-coating）制备 LNO 湿膜，在通过快速热处理的方法进行预 处理和退火，最后制备出 LNO 薄膜。3使用四探针测试仪测试 LNO 薄膜的表面电阻率。 设计后，应能达到以下要求： 1、掌握化学溶液方法制备导电氧化物 LaNiO3 的薄膜。 2、掌握导电

4、氧化物 LaNiO3 薄膜的导电性能测试方法。三、实践环节和要求：三、实践环节和要求： 本课程主要为实践环节，即采用不同方法制备半导体薄膜。四、教学时数分配：四、教学时数分配： 第一部分 ICPCVD 法薄膜材料的工艺和方法 40 学时 第二部分 磁控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法 40 学时 第三部分 导电氧化物 LaNiO3 薄膜的制备和表征 40 学时 五、其它项目：无六、有关说明：六、有关说明： 1、教学和考核方式： 本课程为实践课，考核方式为设计报告（含结果） 。 2、能力培养要求： 3、与其它课程和教学环节的联系： 先修课程和教学环节：半导体材料物理，薄膜生长。 后续课程和教学环节： 平行开设课程和教学环节： 5、教材和主要参考书目： （1）教材：自编讲义 （2）主要参考书目：半导体制造技术 Michael Quirk 著 电子工业出版社