2022年晶体管放大器方案与制作 .pdf
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1、个人资料整理仅限学习使用百度大学文档学院晶体管放大器的设计与制作姓名: CT知道学号:专业:指导老师:2018年6月16日精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 8 页个人资料整理仅限学习使用一、设计要求设计并制作一个分立元件组成的放大器。主要技术指标为:电压放大倍数Au=100;输入阻抗 Ri47K ;带宽 BW=50Hz100KHz ;已知:输入信号电压=20mV,f=1KHZ ;负载电阻 RL=5.1K;工作温度范围 045。二、设计所需器件1)12V直流电源; 2)函数信号发生器; 3)双踪示波器; 4)交流毫伏表; 5
2、)直流电压表; 6)直流毫安表; 7)频率计; 8)万用电表;或9011 1、电阻器、电容器若干;其他工具:电烙铁等电路装配工具;电脑;投影仪等。三、总体设计1)课题分析根据设计要求,要实现电压放大倍数Au=100;输入阻抗 Ri47K ;采用单级双极型三极管放大电路是无法实现的,就本题而言,系统可分为二级:输入级和主放大级。总体结构如图1-1所示。图1-1 晶体管电压放大器方框图2)方案讨论输入级:主要完成阻抗变换,实现输入阻抗Ri 47K 的设计要求;主放大级:主要完成电压放大作用,实现电压放大倍数Au=100的设计要求。四、主放大级电路设计1)电路类型选择:为了实现电压放大倍数Au=10
3、0的设计要求,主放大级宜采用固定分压偏式共射大电路形式,工作稳定性最好。2)电路结构:如右图 2-1所示。确定电源电压 VCC 为保证放大输出信号幅度的动态范围内不会产生非线性失真,一般取VCC 2+UE+2UCES 由于输入信号电压幅值为则输出信号电压幅值为若取三极管馆和压降的临界值UCES 1V,则静态集一射压降设置在U CEQ +UCES=3.82V 又由于这种典型放大单元静点的工程(估算条件是: I1 I2 IB和UBUBE 一般取 I1=I2=(5-10IB和UB=(510VBE。硅管 UB=35V,锗管 UB=13V 若近似取 UB=4V,UE=UB-0.7=3.3V 再按VCC
4、2+UE+UCES=2 2.82+3.3+1=10V。考虑留有余量取 VCC=12V(标准等级电压 。计算和确定集电极电阻 RC 由放大电路的静、动态分析可知,RC是决定静态工作点和满足电压增益要求的一个关键元件。一般应从输入至输出逐步推算。先确定输入回路的动态范围:基极信号电流的幅值为,取若=1K ,则为了使输入动态信号不出现非线性失真,即信号动态工作不进入输入特性下面的弯曲部分,通常取最小基极电流。则静态基流取IB=40A再在输出回路进行静态计算:管子的电流放大作用有又由于,若取,则取标称值 2.2K计算确定射极电阻 Re 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 -
5、 - - - - - -第 3 页,共 8 页个人资料整理仅限学习使用取标称值 1.5K计算确定由I1 I2=(5 -10IB,取I1=I2=5IB=5 40=0.2mA 再按即为标称值取标称值 39K或43K实际电路中 Rb1用一个固定电阻与一个可调电阻串联来代替,方便工作点的调节。以上所确定的各电阻元件的阻值后,还要检验它们的额定功率,即取1/8W RJ1.8K 电阻取1/8W RJ1.5K电阻取1/16W RJ43K 电阻取1/16W RJ20K 电阻确定耦合电容和射极旁路电容C1、C2和Ce 工程计算式分别为:,式中下限频率 fL 20HZ ,信号源内阻 RS=几欧几十欧,输入电阻 R
6、irbe,输出电阻 RO RC,为与CE构成回路的等效电阻,且,。如放大电路是用于放大低频信号(f=20HZ200KHZ ,则耦合电容和射极旁路电容的容量可不必按上式计算,可直接取经验标称值:,校验由于符合指标要求。五、输入级电路设计图3-1共集电极电路精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 8 页个人资料整理仅限学习使用1)电路类型选择:为实现输入阻抗Ri47K 的设计要求,根据模拟电路知识,输入级宜选用共集电极电路射极输出器)。这种电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点。2)电路结构:射极跟随器的原理图如图3-1所示。它是一个
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