《模拟电子技术基础》模拟试卷4.doc

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1、Four short words sum up what has lifted most successful individuals above the crowd: a little bit more.-author-date模拟电子技术基础模拟试卷4模拟电子技术基础模拟试卷4模拟电子技术基础模拟试卷4参考答案一、填空（30分，每空1分）1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N型半导体 和 P型半导体 。2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正

2、偏 ；而集电结 反偏 。3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈

3、则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分）1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N型半导体。(D)A、含四价元素的杂质 B、含空穴的杂质C、三价元素镓 D、五价元素磷2、在三极管的基本组态电路中(B)A、共集组态的电压增益最大 B、共集组态的电压增益最小C、共发组态的电压增益最小 D、共基组态的电压增益最小3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D)A、只能放大直流信号 B、只能放大交流信号C、不能放大交流信号 D、可以抑制共模信号4、在

4、实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C)A、发射极电阻 B、集电极电阻C、基极电阻 D、三极管的值5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C）A、负反馈深度较大的两级放大电路； B、环路增益的幅值 ； C、环路增益的相位裕度 m 0； D、 环路增益的幅值裕度 Gm 0 dB；三 、电路分析（20分）1、判断图3.1.1，图3.2.2电路的反馈极性与组态（10分）图3.1.1 图3.2.2（瞬时极性标图1上） （瞬时极性标图2上） 电流并联负 反馈 电压并联负反馈和电压串联正反馈2、判断电路工作状况（10分）（1）图1电路如下图示，请回答问题： 图3.2.1图1电路 无（填有或

5、无）放大作用。简单说明理由：因三极管电路基极无偏置电流，晶体管工作在截止区，所以对交流信号无放大作用。（2）图2电路如下图示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并说明理由。-10V-1.3V-5.3V+0.7V0V+5V-1V+6V0V图3.2.2解：A图因发射结正偏、集成结反偏而处于放大区；B图因发射结反偏而处于截止区；C图因发射结正偏、集电结反偏而处于放大区。四、电路分析和计算（30分）1、如图4.1所示,设运放为理想运放，而且开环增益，设电路满足深负反馈条件，试求：（10分）1)估算反馈系数和反馈深度； 2)估算闭环放大倍数； +UoUi+ 图 4.1解：该电路为电压并联

6、负反馈，在深度负反馈条件下可得。反馈系数为西门子反馈深度为根据理想运放工作在线性区时“虚断”和“虚短”的特点，可认为其反相输入端的电压等于零，则由电路分别求得和为；由于，可得则闭环电压放大倍数为2、如图4.2所示电路中，设，。(12分)（1）求静态工作点；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求电压放大倍数、输入电阻和输出阻；+Vcc(+12V)Uo+Ui 图4.2解：（1）静态工作点：（2）微变等效电路（略）（3） 3、试推导图4.3同相输入求和电路的求和表达式。（8分） 图4.3解：设过的电流为，过的电流为。根据“虚断”可以得到同相端的电压为：整理可得其中 根据“虚短”，即，则输出电压为-