电力电子技术第八章第九章部分课后习题答案(南航).doc


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1、【精品文档】如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流电力电子技术第八章第九章部分课后习题答案(南航).精品文档.补充题:SOA的构成?答:功率晶体管的SOA由四部分组成。1) 集电极最大允许电流IeM2) 基极开路,集电极发射极之间的最高允许电压U(BR)ceo3) 晶体管集电极最大允许功率损耗PCM4) 二次击穿电流水平IS/B功率场效应管的SOA由三部分组成1) 漏源击穿电压U(BR)DS2) 等功耗线PDM3) 最大允许漏极电流IDM8-5图8-5中晶体管的可在840间选择。RC=11,电源电压EC=200V,基极输入电压UB=10V。如果UCES=1.0V和UBES=1.5V。求:(a
2、)过驱动系数ODF=5时RB的值;(b)强制值;(c)晶体管功率损耗PC。解:8-9电路总电流为20A,用两个MOSFET管并联分担,一个管子的UDS1=2.5V,另一个是UDS2=3V。如用串联源极电阻(a)RS1=0.3,RS2=0.2及(b)RS1=RS2=0.5来均流,求每个晶体管电流和两管漏极电流之差。解:(1)(2)补充题:IGBT的SOA构成?答:IGBT的正偏安全工作区与场效应晶体管相似,由ICM、U(BR)ceo和等功耗线决定的。由于IGBT含有GTR的特性,在某些情况下也会出现二次击穿的问题。何为掣住效应,有何措施避免?答:当集电极电流在到一定程度,Rb上的压降使NPN晶体
3、管导通,从而进入正反馈状态而失去控制作用,成为晶闸管状态,这就是所谓掣住效应或栓锁效应。针对掣住效应的原因,有两种措施:在关断时,IGBT由导通转为截止,受到重加集电极电压上升率的限制。过大的电压上升率会引起掣住效应。措施:仔细设计缓冲电路,降低集电极电压上升率。在导通期间,负载发生短路,IGBT的集电极电流急剧增大,如不加限制,就可能进入掣住状态。措施:设计保护检测电路,检测集电极电压,若其升高,则减小UGE,抬高UCE,从而降低IC。拖尾现象如何产生?答:IGBT有两种载流子参与导电,少数载流子需要复合时间IGBT的开关速度就变慢了。同时,在关断时不能用加反向电压强迫少数载流子加快复合来缩
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- 电力 电子技术 第八 第九 部分 课后 习题 答案 南航

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