最新十四章节核磁共振波谱法精品课件.ppt
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1、十四章节核磁共振波谱法十四章节核磁共振波谱法 利用核磁共振光谱进行结构测定,定利用核磁共振光谱进行结构测定,定性与定量分析的方法称为核磁共振波谱性与定量分析的方法称为核磁共振波谱法。简称法。简称 NMR。 将磁性原子核放入强磁场后,用适将磁性原子核放入强磁场后,用适宜频率的电磁波照射,它们会吸收能量,宜频率的电磁波照射,它们会吸收能量,发生发生原子核能级跃迁,同时产生核磁共原子核能级跃迁,同时产生核磁共振信号,得到核磁共振。振信号,得到核磁共振。 在有机化合物中,经常研究的是在有机化合物中,经常研究的是1H和和13C的共振吸收谱,重点介绍的共振吸收谱,重点介绍H核共核共振的原理及应用。振的原理
2、及应用。I = 1/2I = 1I = 2m = 1/2m = +1/2m = 1m = +1m = m = 2m = 1m = m = m = zzzB0与外磁场平行,能量较低,与外磁场平行,能量较低,m=+1/2, E 1/2= H0与外磁场方向相反与外磁场方向相反, 能量较高能量较高, m= -1/2, E -1/2= H0I=1/2的氢核的氢核 Pz为自旋角动量在为自旋角动量在Z轴上的分量轴上的分量 核磁矩在磁场方向上的分量核磁矩在磁场方向上的分量 核磁矩与外磁场相互作用而产生的核磁场作用能核磁矩与外磁场相互作用而产生的核磁场作用能E, 即各能级的能量为即各能级的能量为 E= ZH02
3、hmPZ2hmZ E 1/2= H0E-1/2= H0I=1/2的核自旋能级裂分与的核自旋能级裂分与H0的关系的关系 由式由式 E = ZH0及图可知及图可知1H核在磁场核在磁场 中中,由低能由低能级级E1向高能级向高能级E2跃迁跃迁,所需能量为所需能量为 E=E2E1= H0 ( H0) = 2 H0 E与核磁矩及外磁场强度成正比与核磁矩及外磁场强度成正比, H0越大越大,能能级分裂越大级分裂越大, E越大越大无磁场无磁场H0外加磁场外加磁场E1= H0E2= H0E=2 H0m= -1/2m= +1/2(二二)原子核的共振吸收原子核的共振吸收 如果以一定频率的电磁波照射处于磁场如果以一定频
4、率的电磁波照射处于磁场B0中的中的核,且射频频率核,且射频频率 恰好满足下列关系时:恰好满足下列关系时: h =E E=2 B0 (核磁共振条件式)(核磁共振条件式)h02 n处于低能态的核将吸收射频能量而跃迁至高处于低能态的核将吸收射频能量而跃迁至高能态,这种现象叫做核磁共振现象。能态,这种现象叫做核磁共振现象。2hm I=1/2 的核发生核磁共振吸收射频的核发生核磁共振吸收射频的频率,即共振频率。的频率,即共振频率。 自旋核的跃迁能量自旋核的跃迁能量 磁性核磁性核h =E高能级低能级 (1)对自旋量子数)对自旋量子数I=1/2的同一核来说的同一核来说,,因磁矩为一定值,因磁矩为一定值, 为
5、常数为常数,所以发生,所以发生共振时,照射频率的大小取决于外磁场共振时,照射频率的大小取决于外磁场强度的大小。外磁场强度增加时,为使强度的大小。外磁场强度增加时,为使核发生共振,照射频率也相应增加;反核发生共振,照射频率也相应增加;反之,则减小。之,则减小。20得代入hBh02221产生核磁共振光谱的条件 例:外磁场例:外磁场B0=4.69T(特斯拉,法定计量单位)(特斯拉,法定计量单位) 1H 的共振频率为的共振频率为 )11 (15.200100015. 214. 3269. 41068. 221181180HzsMHzssHn放在外磁场 B0=2.35T =100MHz (2)对自旋量子
6、数对自旋量子数I=1/2的不同核来说,若同时的不同核来说,若同时放入一固定磁场中,放入一固定磁场中,共振频率取决于核本身磁共振频率取决于核本身磁矩的大小矩的大小, 大的核,发生共振所需的照射频率大的核,发生共振所需的照射频率也大;反之,则小。例:也大;反之,则小。例:13C的共振频率为的共振频率为: MHzssc26.5010026. 514. 3269. 41073. 62171170MHzssH1520010001521432694106822181180.三、自旋驰豫三、自旋驰豫(一一)核自旋能级分布核自旋能级分布1H核在磁场作用下核在磁场作用下,被分裂为被分裂为m=+1/2和和m=-1
7、/2两个能级两个能级,处在低能态核和处于高能态核的分处在低能态核和处于高能态核的分布服从波尔兹曼分布定律布服从波尔兹曼分布定律kTBhkThkTEeeeNN2)21()21(0 当B0 = 1.409 T,温度为300K时,高能态和低能态的1H核数之比为KKJTsTsJeNN3001038. 114. 32409. 11068. 21063. 6)21()21(12311834n处于低能级的核数比高能态核数多十万分之一处于低能级的核数比高能态核数多十万分之一,而而NMR信号就是靠这极弱过量的低能态核产生信号就是靠这极弱过量的低能态核产生的。的。= 0.99999 若以合适的射频照射处于磁场的核
8、若以合适的射频照射处于磁场的核,核吸核吸收能量后收能量后,由低能态跃迁到高能态由低能态跃迁到高能态,其净效其净效应是吸收应是吸收,产生共振信号产生共振信号. 若高能态核不能通过有效途径释放能量回若高能态核不能通过有效途径释放能量回到低能态到低能态,低能态的核数越来越少低能态的核数越来越少,一定时一定时间后间后,N(-1/2)=N(+1/2),这时不再吸收这时不再吸收,核磁核磁共振信号消失共振信号消失,这种现象为这种现象为“饱和饱和” 据波尔兹曼定律据波尔兹曼定律,提高外磁场强度提高外磁场强度,降低工降低工作温度作温度,可减少可减少 N(-1/2) / N(+1/2)值值, 提高提高观察观察NM
9、R信号的灵敏度信号的灵敏度(二)核自旋驰豫 驰豫过程是核磁共振现象发生后得以保持的必驰豫过程是核磁共振现象发生后得以保持的必要条件要条件 高能态核高能态核 低能态核低能态核自发辐射的概率近似为零自发辐射的概率近似为零通过一些非辐射途径回到通过一些非辐射途径回到将自身的能量传递给周围环境或其它低能级态将自身的能量传递给周围环境或其它低能级态这种过程叫核自旋驰豫这种过程叫核自旋驰豫 激发到高能态的核必须通过适当的途径将其激发到高能态的核必须通过适当的途径将其获得的能量释放到周围环境中去获得的能量释放到周围环境中去,使核从高能态回使核从高能态回到原来的低能态到原来的低能态,这一过程称为这一过程称为振
10、动驰豫振动驰豫。第二节第二节 核磁共振波谱仪核磁共振波谱仪 核磁共振波谱仪按扫描方式不同分为两大类:核磁共振波谱仪按扫描方式不同分为两大类: 连续波核磁共振仪连续波核磁共振仪 脉冲傅里叶变换核磁共振仪脉冲傅里叶变换核磁共振仪一、连续波核磁共振仪一、连续波核磁共振仪2200BhB或n核磁共振仪可设计为两种方法:核磁共振仪可设计为两种方法: 固定磁场固定磁场B0,改变射频频率,改变射频频率扫频法。较困难扫频法。较困难 固定射频频率,改变磁场固定射频频率,改变磁场B0扫场法。通常用扫场法。通常用主要有磁铁、探头、射主要有磁铁、探头、射频发生器、扫描发生器、频发生器、扫描发生器、信号放大及记录系统信号
11、放大及记录系统 射频振荡线圈安装在探头中,产生一定频率的射频射频振荡线圈安装在探头中,产生一定频率的射频辐射,用来激发核。它所产生的射频场须与磁场方辐射,用来激发核。它所产生的射频场须与磁场方向垂直,射频接受圈也安装在探头中,用来探测核向垂直,射频接受圈也安装在探头中,用来探测核磁共振时的吸收信号,一组扫描线圈安装在磁铁两磁共振时的吸收信号,一组扫描线圈安装在磁铁两极上,在磁场方向极上,在磁场方向B0上叠加小磁场上叠加小磁场B0,改变改变B0的大的大小小, 以达扫场的目的。以达扫场的目的。用磁铁产生强而稳定、均匀用磁铁产生强而稳定、均匀的磁场的磁场B0, 在两磁极中间安装在两磁极中间安装1个探
12、头个探头, 在探头中央插入试在探头中央插入试样管样管; 试样管在压缩空气推试样管在压缩空气推动下动下, 匀速而平稳地旋转匀速而平稳地旋转1永久磁铁:永久磁铁:提供外磁场,要求稳定性好,均匀。提供外磁场,要求稳定性好,均匀。扫场线圈。扫场线圈。2 射频振荡器:射频振荡器:线圈垂直于外磁场,发射一定频线圈垂直于外磁场,发射一定频率的电磁辐射信号。率的电磁辐射信号。3 射频信号接受器射频信号接受器(检测器):当质子的进动频(检测器):当质子的进动频率与辐射频率相匹配时,发生能级跃迁,吸收能量,率与辐射频率相匹配时,发生能级跃迁,吸收能量,在感应线圈中产生毫伏级信号。在感应线圈中产生毫伏级信号。4样品
13、管:样品管:外径外径5mm的玻璃管的玻璃管,测量过程中旋转测量过程中旋转, 磁场作用均匀。磁场作用均匀。超导核磁共振仪一般在超导核磁共振仪一般在200400MHz最高达最高达600MHz。 核磁共振波谱仪结构核磁共振波谱仪结构R.F.transmitterMAGNETR-F receiverand detectorRecorderSweep generator (1) Magnet 251 (2) Sweep generator 310mG/min 全程0.2Gauss (3) (射频发生器 ) RF transmitter (4) (射频接收器和检测器) RF receiver and de
14、tector (5) (样品支架 , 探头) Sample holder ,probe (6) (记录仪) RecorderMAGNET二、脉冲傅里叶变换核磁共振仪二、脉冲傅里叶变换核磁共振仪富里叶变换Pw1T1TPWPWTransmitterReceiver PW=1050s T=4s Freq.range PW12=200,000400,000Hz T1=41=0.25HzFTtimefrequency脉冲脉冲弛豫弛豫H0第三节 化学位移 核磁共振波谱中用于结构分析的主要参核磁共振波谱中用于结构分析的主要参数有数有化学位移化学位移,自旋偶合常数自旋偶合常数,信号强度信号强度(峰面积峰面积)
15、和驰豫时间和驰豫时间.一、屏蔽效应一、屏蔽效应1H核的共振频率由外部磁场强度和核的磁矩表核的共振频率由外部磁场强度和核的磁矩表示示, 在在B0=4.69的磁场中,其共振频率为的磁场中,其共振频率为200.15 MHz,即在核磁共振谱图上共振吸收峰为单峰。,即在核磁共振谱图上共振吸收峰为单峰。实际上各种化合物中的氢核的化学环境或结合实际上各种化合物中的氢核的化学环境或结合情况不同,所产生的共振吸收峰频率不同情况不同,所产生的共振吸收峰频率不同. 任何原子核都被电子云所包围任何原子核都被电子云所包围,当当1H核自旋时核自旋时,核周核周围的电子云也随之转动,在外磁场作用下,会感围的电子云也随之转动,
16、在外磁场作用下,会感应产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场,实应产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场,实际上会使外磁场减弱,这种对抗外磁场的作用称际上会使外磁场减弱,这种对抗外磁场的作用称为为屏蔽效应屏蔽效应.n如图如图133所示。所示。1H核由核由于在化合物中所处的于在化合物中所处的化学环化学环境不同境不同,核外电子云的密度,核外电子云的密度也不同,受到的屏蔽作用的也不同,受到的屏蔽作用的大小亦不同,大小亦不同,所以在同一磁所以在同一磁场强度场强度B0 下,不同下,不同 1H核的核的共振吸收峰频率不同。共振吸收峰频率不同。 原子实际上受到的磁场强度原子实际上受到的磁场强度B等于外加磁等于外加
17、磁场强度场强度B0 减去外围电子产生的次级磁场强减去外围电子产生的次级磁场强度(度(B0) B= B0-B0=B0(1-) 为屏蔽常数,为屏蔽常数, B0为感应产生的次级磁为感应产生的次级磁场强度,场强度,H为氢核真正受到的有效外磁场为氢核真正受到的有效外磁场强度强度 外电子云产生感应磁场外电子云产生感应磁场,抵消一部分磁场抵消一部分磁场,产生共振向高场方向移动产生共振向高场方向移动)代入得把1220(BBBhBhB)(120210)( B)1 (20hB)1 (20B由于氢核具有不同的屏蔽常数由于氢核具有不同的屏蔽常数,引起外磁场或,引起外磁场或共振频率的移动,这种现象称为化学位移共振频率的
18、移动,这种现象称为化学位移。固定。固定照射频率照射频率, 大的原子出现在高磁场处大的原子出现在高磁场处, 小的原子小的原子出现在低磁场处出现在低磁场处 由于化学环境不同引起氢核化学位移的变化很小,由于化学环境不同引起氢核化学位移的变化很小,只有只有百万分之十左右百万分之十左右,要精确测量其绝对值较困难,要精确测量其绝对值较困难,并且在不同强磁场中仪器测量的数据存在一定的差并且在不同强磁场中仪器测量的数据存在一定的差别,故采用别,故采用相对化学位移相对化学位移来表示。来表示。 实际中用一种参考物质作标准,以试样与标准的共实际中用一种参考物质作标准,以试样与标准的共振频率振频率(vx与与vs) 或
19、磁场强度或磁场强度(BS与与BX)的差值同所用的差值同所用仪器的频率仪器的频率v0 或磁场强度或磁场强度 B0 的比值的比值 来表示来表示. 表表示相对位移。因其值极小,故相对差值再乘以示相对位移。因其值极小,故相对差值再乘以 106 相对位移相对位移 60601010BBBxssx或二、化学位移二、化学位移 故采用故采用相对化学位移相对化学位移来表示。来表示。 实际中用一种参考物质作标准,以试样与标准的共实际中用一种参考物质作标准,以试样与标准的共振频率振频率(vx与与vs) 或磁场强度或磁场强度(BS与与BX)的差值同所用的差值同所用仪器的频率仪器的频率v0 或磁场强度或磁场强度 B0 的
20、比值的比值 来表示来表示. 表示表示相对位移。因其值极小,故相对差值再乘以相对位移。因其值极小,故相对差值再乘以 106 相对位移相对位移 60601010BBBxssx或 人为的找一个标准人为的找一个标准,每个物质都与它比较每个物质都与它比较低场高场0TMSCH3OCH3TMS化学位移四甲基硅烷四甲基硅烷 (CH3)4Si ,TMS 核磁共振测量化学位移选用的标准物质是核磁共振测量化学位移选用的标准物质是四甲基四甲基硅烷硅烷 (CH3)4Si ,TMS, 它具有下列优点:它具有下列优点: TMS分子中有分子中有12个氢核个氢核,所处的化学环境完全相同,所处的化学环境完全相同,在谱图上是一个尖
21、峰。在谱图上是一个尖峰。 TMS的氢核所受的屏蔽效应比大多数化合物中氢的氢核所受的屏蔽效应比大多数化合物中氢核大,共振频率最小,核大,共振频率最小,吸收峰在磁场强度高场吸收峰在磁场强度高场 TMS对大多数有机化合物氢核吸收峰不产生干扰。对大多数有机化合物氢核吸收峰不产生干扰。规定规定TMS氢核的氢核的 =0,其它氢核的其它氢核的 一般在一般在TMS的的一侧。一侧。 TMS具有具有化学惰性化学惰性。 TMS 易溶于大多数有机溶剂中。采用易溶于大多数有机溶剂中。采用TMS标准标准,测量化学位移,对于给定核磁共振吸收峰,不管测量化学位移,对于给定核磁共振吸收峰,不管使用多少使用多少MHz的仪器的仪器
22、, 值都是相同的。值都是相同的。大多数质大多数质子峰的子峰的 在在112之间。之间。三、三、 影响化学位移的因素影响化学位移的因素 化学位移是由于核外电子云的化学位移是由于核外电子云的对抗磁场对抗磁场引引起的起的,凡是能使核外电子云密度改变的因素凡是能使核外电子云密度改变的因素都能影响化学位移都能影响化学位移影响因素影响因素内部内部 元素电负性元素电负性,磁的各向异性效应等磁的各向异性效应等外部外部 溶剂效应溶剂效应,氢键的形成等氢键的形成等 氢核与氢核与电负性的原子或基团电负性的原子或基团相连时相连时, 使氢使氢核周围电子云密度降低,产生去屏蔽效核周围电子云密度降低,产生去屏蔽效应。应。屏蔽
23、作用小屏蔽作用小,处在低场处在低场. 元素的电负性越大,或者取代基团的吸元素的电负性越大,或者取代基团的吸电子作用越强,电子作用越强,去屏蔽效应越大,氢核去屏蔽效应越大,氢核的化学位移的化学位移 值越大值越大;电负性大的元素;电负性大的元素距离氢核越远,去屏蔽效应越小,化学距离氢核越远,去屏蔽效应越小,化学位移值越小。位移值越小。1电负性电负性 与质子相连元素的电负性与质子相连元素的电负性越强,吸电子作用越强,价越强,吸电子作用越强,价电子偏离质子,屏蔽作用减电子偏离质子,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出现弱,信号峰在低场出现。-CH3 , =1.62.0,高场;高场;-CH2I, =3.0 3.
24、5,-O-H, -C-H, 较较大大 较较小小较低场较低场 较高场较高场化学化学式式CH3F CH3ClCH3BrCH3ICH4(CH3 )4Si电负电负性性化学化学位移位移4.04.263.13.052.82.682.52.162.10.231.80表表152列出了几种氢核化学位移与元素电负列出了几种氢核化学位移与元素电负性的关系。性的关系。Si的电负性最小的电负性最小,从质子中拉电子的能力最小从质子中拉电子的能力最小,电子提电子提供的屏蔽效应最大供的屏蔽效应最大,吸收峰在高场吸收峰在高场2 化学键的磁各向异性效应化学键的磁各向异性效应 在外磁场的作用下,分子中处于某一化在外磁场的作用下,分
25、子中处于某一化学键(单键学键(单键 , 双键双键, 三键和大三键和大 键)的键)的不不同空间位置的氢核,受到不同的屏蔽作同空间位置的氢核,受到不同的屏蔽作用用,这种现象称为化学键的,这种现象称为化学键的磁各向异性磁各向异性效应。效应。 原因原因: 电子构成的化学键,在外磁场作用电子构成的化学键,在外磁场作用下产生一个下产生一个各向异性各向异性的次级磁场,使得的次级磁场,使得某些位置上氢核受到屏蔽效应,而另一某些位置上氢核受到屏蔽效应,而另一些位置上的氢核受到去屏蔽效应。些位置上的氢核受到去屏蔽效应。影响化学位移的因素影响化学位移的因素 苯环上的苯环上的6 6个个 电子产生较电子产生较强的诱导磁
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