最新双极型半导体器件习题精品课件.ppt

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1、 例例1-1 图图1-1所示的各电路中，二极管为理想二极管。试所示的各电路中，二极管为理想二极管。试分析其工作情况，求出流过二极管的电流。分析其工作情况，求出流过二极管的电流。 解解 这两个含二极管的电路中都只有一个电源，容易判断这两个含二极管的电路中都只有一个电源，容易判断出二极管是正向偏置还是反向偏置。对理想二极管，当判断出出二极管是正向偏置还是反向偏置。对理想二极管，当判断出二极管正向偏置时就将其视为短路，当判断出二极管反向偏置二极管正向偏置时就将其视为短路，当判断出二极管反向偏置时，就将其视为开路，然后用求解线性电路的方法求解。时，就将其视为开路，然后用求解线性电路的方法求解。图图1-

2、1 例例 1-1图图E1 20VR110VD1a)E28VR24VD2b)2) uiU2 ，而，而U2ui，所以，所以U1ui ，此时，此时VD1正向偏置，理想二极管正向偏置，理想二极管VD1可以视为短路。可以视为短路。VD1做短路处理做短路处理后后UBB=ui，这时，这时VD2的负极接的负极接ui ，VD2的正极经的正极经R2接接U2。由。由于于U2ui ，所以，所以VD2正向偏置，理想二极管正向偏置，理想二极管VD2亦可视为短亦可视为短路。路。VD1和和VD2均做短路处理后的均做短路处理后的等效电路如图等效电路如图1-8所示。所示。由图由图1-8可知：可知：uo=uiuoVD1VD2ABR

3、1R2uiU1U2BU1U2， ui2例例1.4 在图在图-所示的电路中，所示的电路中，5V、ui=10sint(V)、VD为理想二极管，试画出输出电压为理想二极管，试画出输出电压uo的波形。的波形。 解解 分析出分析出ui和和5V电源电源共同作用下，在哪个时间区段共同作用下，在哪个时间区段上上VD正向导通，在哪个时间正向导通，在哪个时间区段上区段上VD反向截止。画出等反向截止。画出等效电路最后在等效电路中求出效电路最后在等效电路中求出uo的波形。的波形。R5VuiuoVDE ）ui正半周，且正半周，且ui5V时。时。VD的正极经的正极经R接接ui，其负极电源，其负极电源E。由于。由于ui 5

4、V时。时。此时此时VD正向偏置，理想二极管正向偏置，理想二极管VD可视为短路（图可视为短路（图1-12）。）。R5VuiuoVDE 由图由图1-12知，知，uo5V。输出电。输出电压压uo在在ab段上是段上是uo5V ，平行于，平行于横轴的直线。横轴的直线。R5VuiuoVDE ）ui为负半周时。为负半周时。 ui为负半周时，其实际方向如为负半周时，其实际方向如图图1-13所示。所示。 此时此时VD反向偏置，理反向偏置，理想二极管想二极管VD可视为开路。可视为开路。由图由图1-13可知，可知， uo=ui ，即，即在在ui为负半周时为负半周时uo的波形与的波形与ui的波形是一致的。的波形是一致

5、的。输出电压输出电压uo的波形如图的波形如图1-10b所示。所示。uoR5VuiVDE先画出输入正弦电压的波形（图先画出输入正弦电压的波形（图1-10a）。）。 例例1.5 两个稳压管两个稳压管VSZ1和和VSZ2的稳压值分别为的稳压值分别为5.5V和和8.5V，正向压降均为正向压降均为0.5V，要得到，要得到6V和和14V电压，试画出稳压电路。电压，试画出稳压电路。 解解 稳压管工作在反向击穿特性上。稳压管工作在反向击穿特性上。它反向偏置时，管两它反向偏置时，管两端电压为其稳压值，稳压管正向偏置时，管两端电压为其正端电压为其稳压值，稳压管正向偏置时，管两端电压为其正向压降值。向压降值。根据上

6、面分析，可画出根据上面分析，可画出1-14两个稳压电路。两个稳压电路。R5.5VUiUo=6VVSZ2VSZ10.5VR5.5VUiUo=14VVSZ2VSZ18.5V例例1.6 某晶体管的集电极电流某晶体管的集电极电流ic为为1.6mA。穿。穿透电流透电流ICEO为为0.2mA，电流放大系数，电流放大系数40，求，求基极电流基极电流ib和发射极电流和发射极电流ie。解解 因为因为icib+ICEO所以所以 ib=ic-ICEO /=(1.6-0.2)mA/40=35A ie=ic+ib=1.6mA+0.035mA=1.635mA例例1-7 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电用直流电压表

7、测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图极对地的电压，其数值如图1-15所示。试指出每只晶所示。试指出每只晶体管的体管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管。三个极，并说明该管是硅管还是锗管。1231231236V6V0V-2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V1V2V3V)a)b)c图图1-15 例例1-7图图管的管的2VVVVUUUEBBE7 . 0)7 . 0(02V管是管是NPN型硅管型硅管三个极：三个极： 1为为B； 2为为E； 3为为C3V管的管的VVVUUUEBBE3 . 067 . 53V管是管是PNP型锗管型锗管三个极：三个极： 2为为B； 1为为E；

8、3为为C解解 在正常工作的情况下在正常工作的情况下NPN型硅管发射结的直流压降型硅管发射结的直流压降为为 =0.6到到0.8伏；伏；PNP型锗管型锗管 =-0.2到到-0.3。BEUBEU1V1V管的管的.7 . 0)3(3 . 2VVVUUUEBBE可见可见 是是NPN硅管。硅管。三个极：三个极： 2为为B； 3为为E；1为为C10VR5k3VVD2VD1图图1-19 题题1-17图图IDUDabcdE1.5VVDR图图1-19 题题1-18图图a)b)c)d)0000iDiDiDiDuDuDuDuD-+-24V12VRRVSZ2 VSZ1 VSZ1 VSZ2 U0U0图图1-21 题题1-

9、20图图图图1-22 题题1-21图图+-R10VVSZ1 VSZ2 U01-23 工作在放大区的某三极管工作在放大区的某三极管, 当当IB从从20 增大到增大到40 时时, Ic从从1mA变为变为2mA, 则它的则它的 值约为值约为( )a)10 b)50 c)100AA+UCC12V4k20k =100UBE=0.7VUCES=0.3V图图1-24 题题1-27图图1-28 测得三极管测得三极管IB=30 时时 IC=2.4mA, IB=40 时时IC=3mA,则该管则该管 的交流的交流 电流放大系数为电流放大系数为( )a)80 b)60 c)75 d)100AA1-30 当温度升高时当

10、温度升高时, 晶体管的参数和电流应按如下变化晶体管的参数和电流应按如下变化( )( )( )( ) b) c) d) e) f)CEOIBEUCIBEU1-34 某晶体管的发射极电流等于某晶体管的发射极电流等于 1mA , 基极电流等于基极电流等于20 , 则它的集电极电流等于则它的集电极电流等于( )mA.a)0.98 b)1.02 c)0.8 d)1.2A1-35 已知一个晶体管的已知一个晶体管的ICEO为为200 , 当基极电流为当基极电流为20时时, 集电极电流为集电极电流为1mA, 则该管的则该管的ICBO约等于约等于( )a)8mA b)10mA c)5 d)4 AAAAd1-37 图图1-25所示为三极管输出特性所示为三极管输出特性,该管在该管在UCE=6V, IC=3mA处的电流放大倍数处的电流放大倍数 为为( ).a) 60 b)80 c)100 d)10012iC /mAuCE / V8104624321iB=40A1020300