CMOS模拟集成电路设计-ch4差分放大器.ppt
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1、23456Vin1比比Vin2更负,更负,M1截止,截止,M2导通,导通,ID2=ISS,因此,因此Vout1=VDD, Vout2=VDD-RDISS当当Vin1比比Vin2更正时,差动对两侧情况正更正时,差动对两侧情况正好与上述情况相反。好与上述情况相反。Vin1逐渐增大,逐渐增大,M1开始导通,开始导通,ID1增大,增大,Vout1减小;由于减小;由于ID1+ID2=ISS,ID2减小,减小,Vout2增大;增大;当当Vin1=Vin2 时,时,Vout1=Vout2=VDD-RDISS/27只要在只要在ICMR范围内范围内101213非理想性包括:非理想性包括: 尾电流源尾电流源ISS
2、的内阻的内阻RSS不是无穷大不是无穷大 RD1和和RD2之间有失配之间有失配 M1和和M2之间有失配(之间有失配(W/L、VTH等)等)差动电路对共模扰动影响具有抑制作用,理想差动电路差动电路对共模扰动影响具有抑制作用,理想差动电路的共模增益为零;但是实际上有以下一些非理想的因素的共模增益为零;但是实际上有以下一些非理想的因素,/ 21 / (2)2Dv CMmSSDSSRAgRRR VXVin,CMgm12gmRSSRDVYVin,CMgm12gmRSS(RDRD) 1212()12mmCMDMDmmSSmDmSSggARggRgRgR 1212-(-)-(-)()()XminCMPDYminCMPDmminCMPSSPVgVV RVgVV RggVV RV18共模抑制比共模抑制比DMCMDMAACMRR用来用来CMRR来综合反映差分放大能力和共模抑制能力来综合反映差分放大能力和共模抑制能力192021练练 习习 1练练 习习 22425练练 习习 3
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- CMOS 模拟 集成电路设计 ch4 差分放大器
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