CMOS模拟集成电路设计-ch11带隙基准up.ppt
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电流镜2022-7-52电流镜2022-7-53电流镜2022-7-54电流镜2022-7-55VGS1VGS2电流镜2022-7-56电流镜2022-7-57例，例，VBE 750mV，T=300K时，时， VBE/ T -1.5mV/Km -3/2， VT=kT/q，硅带隙能量硅带隙能量Eg 1.12eV电流镜2022-7-58电流镜2022-7-59电流镜2022-7-510IC2IC2电流镜2022-7-511电流镜2022-7-512电流镜2022-7-513电流镜2022-7-514=0电流镜2022-7-515电流镜2022-7-516=(CSfCK)-1电流镜2022-7-517
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