2022年模电试卷题库 .pdf
《2022年模电试卷题库 .pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《2022年模电试卷题库 .pdf(20页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、1. 某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压为 6.5V,输入电压为 15mV 时,输出电压为 7V(以上均为直流电压) ,它的电压增益为(C )a、700 b、650 c、100 d、-100 2. 当输入信号频率为f L或 f H时,电压增益的幅值约下降为中频时的(B )a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3. 当输入信号频率为fL 或 fH 时, 电压增系下降了 ( B )。A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接 3K的负载电阻后输出电压降为3V, 这说明放大电路的输出电阻为( C )a、10Kb、2K
2、c、1 Kd、0.5K5. 用两个 AU相同的放大电路 A 和 B 分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大,测试结果输出电压VOAVOB,由此可知 A 比 B(B )a、一样b、差c、好d、无法判别6. 用两个放大电路A 和 B 分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB ,都接入负载 RL时,测得 VOAVOB,由此必须 A 比 B( C )a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7. 在线性区内,分析理想运放二输入间的电压时可采用(A )精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 20
3、页a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8. 如图示,运放 A 为理想器件,则其输出电压V0 为( A )a、0V b、3V c、6V d、9V 9. 如图示,运放 A 为理想器件,则其输出电压VO为(C )a、9V b、6V c、0V d、3V 10. 设 VN、VP和 V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则 V0与 VN、VP分别成(D )a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11. 若要将幅度为 Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体12. N 型半导体是在本征半导体中加入
4、以下物质后形成的(D ) 。a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13. 半导体中有两种载流子,它们分别是(C )a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(B )a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 20 页15. 在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C )a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子16. 温度升高后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为(A )a、自由电子和
5、空穴数目都增多,且增量相同b、空穴增多,自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管17. PN 结不加外部电压时, PN 结中的电流为(B )a、只从 P 区流向 N 区b、等于零c、只从 N 区流向 P区d、无法判别18. 流过二极管的电流一定,而温度升高时,二极管的正向电压(A )a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19. 当 PN 结外加正向电压时,耗尽层将(C )a、不变b、变宽c、变窄d、无法判别20. 二极管正向电压从0.7V 增大 5%时,流过的电流增大为(B )a、5% b、大于 5% c、小于 5% d、不确定21. 温度升高时,二极
6、管的反向伏安特性曲线应(A )a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能22. 利用二极管组成整流电路,是应用二极管的(D )a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性23. PN 结形成后, PN 结中含有(D )精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 20 页a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子24. PN 结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应(A )a、相等b、大于c、小于d、无法确定25. 稳压管能够稳定电压,它必须工作在(D )a、正向状态b、反向状态c、单向导电状态d、反向击穿状态26. 以下四种半
7、导体器件中,为硅稳压管的是(C )a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP10 27. 在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为(C ) 。A、理想模型B、恒压降模型C、折线模型D、小信号模型三极管28. 放大电路的静态是指(A )a、输入端短路b、输入端开路c、交流信号短路d、交流信号为零29. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度(C )a、低b、中c、高d、以上均可30. 三极管工作在饱和区时,b-e极间, b-c 极间分别为(D )a、反偏,反偏b、反偏,正偏c、正偏,反偏d、正偏,正偏31. 三极管工
8、作在放大区时,b-e极间、 b-c 极间分别为(D )a、正编、正编b、反编、反编c、反编、正编d、正编、反编32. NPN 型和 PNP型三极管的区别是(C )a 由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 20 页c、P区和 N 区的位置不同d、以上均否33. 温度升高时,三极管的输出特性曲线将(A )a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能34. 温度升高时,三极管极间反向电流将(A )a、增大b、减小c、不变d、无法确定35. 某三极管的极限参数PcM=150mW,IcM=100m
9、A,V(BR)CEo=30V,若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流 Ic 不得超过(C )a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA 36. 某三极管的极限参数PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)c EO=30V,若它的工作电压VCE=1V,则工作电流不得超过(D )a、1mA b、15 mA c、40 mA d、100 mA 37. 某三极管的极限参数PCM=150mw , ICM=100mA , V(BR)CE0=30V , 若工作电流 IC=1mA , 则工作电压不得超过(A )a、30V b、15V c、10V d、1V 38. 用两个 Au 相同放大电
10、路 A 和 B 分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大,测试结果为VoAVoB,这是由于 ( C ) a、输出电阻小b、输出电阻高c、输入电阻高d、输入电阻小39. 三极管输入电阻rbe与静态电流 I E的大小有关,因而rbe是( C ) a、交、直流电阻b、直流电阻c、交流电阻d、以上均否40. 如图示 Us2=0,从集电极输出,则该电路属于(C )a、无法确定b、共集c、其基d、共发41. 检修某台无使用说明书的电子设备时,测得三极管各电极对地电压数据为精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 20 页VB=-0.2V, VC
11、=-5V, VE=0, 则该三极管为(B )a、NPN 型,锗管b、PNP 型,锗管 c、NPN 型,硅管d、PNP型,硅管42. 某放大电路, IA=1.5mA,IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ,则 A,B,C 中极性分别是(D )a、 (e、b、c)b、 (b、c、e)c、 (c、e、b)d、 (c、b、e)43. 有二只半导体三极管, A 管子的=200,IcEo=240A,B 管子的=100,IcEo =20A 其他参数一样,则管子的好坏为(C )a、均一样b、A 管好c、B 管好d、无法判别44. 三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度(A )a、窄b、中c、宽d、
12、以上均可45. 在单管共射极电路中,换上减小的管子, VCEQ将(C )a、不变b、减小c、增大d、无法确定46. 三极管放大电路的三种组态(D )a、都有电压放大b、都有电流放大c、只有共射极才有功率放大d、都有功率放大47. 如图示, US1=0,US20 从集电极输出,则该电路属于()a 共射b、共基c、共集d、无法判别48. 如图所示, US1=0,US20,从发射极输出,则该电路属于(C )a、共射b、共基c、共集d、无法判别49. 检修某台无使用说明书的电子设备时,VB=2.73V,VC=2.3V, VE=2V,则该三管类型为(D )a、NPN 型,锗管b、PNP型,硅管c、PNP
13、 型锗管d、NPN 型硅管精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 20 页50. 某放大电路, IA=-1.8mA ,IB=-0.06mA ,Ic=1.86mA,则 A、B、C 中极性分别为(A )a、 (c、b、e )b、 (b、e、c )c、 (c、e、b)d、 (e、c、b )51. 三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积(C )a、小b、一样c、大d、无法确定52. 三极管工作在放大区时,流过发射结电流和流过集电结的电流主要是(D )a、均为扩散电流b、均为漂移电流c、漂移电流、扩散电流d、扩散电流、漂
14、移电流53. 温度升高时, VBE随温度上升而发生(A )a、减小b、增大c、不变d、无法确定54. 某三极管各极对地的电压为VB= -0.3V,VC= -5.1V,VE= -0.1V,则该三极管结构及工作状态为(D )a、NPN 型放大b、PNP型饱和 c、NPN 型饱和 d、PNP型放大55. 晶体三极管的关系式iB = f (uBE)VCE , 它代表三极管(D )a、共基极输入特性b、共集电极输入特性c、共射极输出特性d、共射极输入特性56. 对于基本共射放大电路,当RC增大时,其输出电阻(C )a、不变b、减小c、增大d、无法确定57. 单管共射极电路中,输入f = 1KHZ 的正弦
15、电压信号后,分别用示波器观察输入信号和输出信号,则二者波形应该是(A )a、相差 180b、相差 90c、相差 45d、同相精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页,共 20 页58. 对于基本共射放大电路,负载RL减小时,输出电阻(C )a、增大b、减小c、不变d、无法确定59. 在单管射极放大电路, Rb、Rc分别是基极和集电极偏置电阻,用直流电压表测出VCEQVCC,有可能因为(B )a、Rb短路b、Rb开路c、 RC开路d、过大场效应管60. 场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的(A )a、电场b、磁场c、电流d、以
16、上均否61. 场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成,这种载流子是(B )a、少子b、多子c、两种载流子d、正负离子62. 三极管和场效应管应分别是(A )a 电流和电压控制器件b、电压和电流控制器件c、均为电流控制器件d、均为电压控制器件63. N 沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的,这种载流子是(D )a、正负离子b、电子和空穴c、空穴d、电子64. 一场效应管的转移特性曲线如图示,则它属于类型为(A )a、N 沟道结型管b、P沟道结型管c、P沟道 MOS 管d、N 沟道 MOS 管65. 一场效应管的转移特性曲线如上图,则它的 VT或 VP、DSS分别为(B )a、VP=-4V
17、 ,IDSS=0 b、VT=-4V, IDSS=0 c、VP=-4V, IDSS=3mA d、VT=-4V, IDSS=3mA 66. 结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 20 页电压为(B )a、正向b、反向c、以上均可d、以上均否67. MOS 管中的漏极电流(C )a、穿过 PN 结和衬底b、穿过衬底c、不穿过 PN 结d、穿过 PN 结功率放大电路68. 在甲类、乙类、甲乙类放大电路,效率最低的是(B )a、一样b、甲类c、乙类d、甲乙类69. 在甲类、乙类、甲乙类放大
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 2022年模电试卷题库 2022 年模电 试卷 题库
限制150内