最新半导体集成电路第6章单沟道MOS逻辑集成电路ppt课件.ppt
( 4.5 )《最新半导体集成电路第6章单沟道MOS逻辑集成电路ppt课件.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《最新半导体集成电路第6章单沟道MOS逻辑集成电路ppt课件.ppt（63页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、LDSDSDDL1()IIVVR 2DSGST()IK VV2iT()K VViTOVVV2DSiToo2()IKVV VViTOVVV2()IODDTLLKVVVViVTK222LDDOTLIiTOOKVVVKVVVV2212OiTOOROHOHOHOHVVVVVVVVV22DDTLOLRiTVVVVV212DSLLDDTLmLDDTLIKVVgVV1122mLOLmLDDTLIDDTLmIgVgVVRVVg2OHmLOLmIVgVgRNMLILOLNMHOHIHVVVVVVOCLdViCdt 2OIiTLdVKVVCdT 22OIiTOOLdVKVVVVCdT 12()()LOHiTfIi
2、TC VVVtK VV2()2()ln()OHiTiTOLLfmIiTOLVVVVVVCtgVVV222()ln2()iTOLLfIiTOLVVVCtK VVV3.43.7fftLfmICg21,ffOHOLOHTttVVVV2lnOHffOLVtV18rrt2OLLDDOTLdVCKVVVdT0.929OHOLVLOLrVLOHLDDOTLC dVCtK VKVVV2LrLOHCK VCO ND D12PIVDDTTVVV3222TDOLDDTEEDVVVVKKRR1OidVdV 1TDILTERRVVV1243TDIHTERVVVRRTDSWTERVVV12TDSWTEDDRVVVV122
3、0.920.1ln20.1rrrLDDTDLTDDDD TDD TDDDtttCVVCVVK VK VVrt五电路优值五电路优值RCONDD12PIV2DTDDD12K VVR平均静态功耗：平均静态功耗： 与与KD，VTD 有关，设计中，由于有关，设计中，由于VTD 受多因素受多因素的限制（工艺，速度等），往往通过改变的限制（工艺，速度等），往往通过改变KD，而不是改变而不是改变VTD来调节功耗，而来调节功耗，而KD的改变则是的改变则是调节调节 的问题了。的问题了。 2pdLOHOLDDLOHOL11()()42tPC VVVC VV2LDD34C Vpd12rtt1max1()rfrfttt2tLOHOL() /rPC VVtCtPPPTDILTERR(1)VVVTDRVRRRABABLRRRRFABRFABCFA B B A A B B A ABFABABABABAB AB()()ABABAAABBABBABABABAB
- 配套讲稿：
如PPT文件的首页显示word图标，表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制：
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片，仅作为作品整体效果示例展示，禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词：
- 最新 半导体 集成电路 沟道 MOS 逻辑 ppt 课件
淘文阁 - 分享文档赚钱的网站所有资源均是用户自行上传分享，仅供网友学习交流，未经上传用户书面授权，请勿作他用。
限制150内