最新单晶生长操作规程讲解幻灯片.ppt

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1、单晶生长操作规程讲解2.抽真空，检漏： a.各处密封圈务必清理洁净. b.真空泵正确的关闭与开启. c.炉子漏气率的关键性. Q=(P1-P2)XV/TR3.拉晶的实践过程： 早先： 真空拉晶-常压拉晶-减压拉晶 对目前的炉内拉晶压力要求在8-15turo2700单晶生长操作规程讲解 b 停水后水压恢复 冷却水恢复供应时，立即检查（自动打开的）或关闭事故水阀门，监控水压，有异常及时报告。 水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未结晶或已结晶但液面结晶小于10分钟且石英坩埚未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。 启动埚转，设定为2转/分，打开埚转前，确保埚转电位器处于零位。 熔化结晶面，在此期

2、间应密切炉内有无严重单晶生长操作规程讲解 氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并报告。 晶体处理同晶变单晶一致，待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后开始引晶。 c 停水后水压无法恢复，或恢复时结晶大于10分钟 快速提升晶体或籽晶，距液面150mm。 待熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚并顶起导流筒100mm。 停炉，充分冷却后拆炉。单晶生长操作规程讲解B 停电 a 若炉子工作时，加热部分停电： 把复位控制柜面板上的单晶生长控制器调到手动， 降低埚位到熔料埚位， 关闭埚转， 加热部分恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， 启动埚转为2转/分并确保电

3、位器处于零位， 熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶，单晶生长操作规程讲解 加热部分恢复时，停电时间较长且结晶大于10分钟 或坩埚破裂，就快速提升晶体或籽晶距液面150mm。 在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒100mm。 停炉，冷却后拆炉。 b 若炉子工作时，加热电源、控制电源同时断电 立即关闭抽空阀门，关闭所有升降转动开关， 手动摇手柄降低埚位到熔料埚位， 同时将氩气流量调大充至-0.05MPa左右关闭氩气， 电源恢复时开真空泵使氩气流量恢复正常，单晶生长操作规程讲解 若恢复且时间较短（如停水）则升功率熔料， 启动埚转为2转/分并确保电位器处于零位，若晶体或籽晶与液面结晶在一起需等其结晶面熔化脱离， 熔化结晶面时应密切注意液面情况，有问题及时上报 晶体处理同晶变单晶一样，全熔后降温引晶， 停电时间较长且结晶大于10分钟或坩埚破裂，就快速提升晶体或籽晶距液面150mm. 在熔体结晶15分钟时，快速升坩埚并顶起导流筒100mm并停炉，待冷却后拆炉. 单晶生长操作规程讲解 C 石英坩埚裂开或漏料。 D 石墨坩埚裂开。 E 炉内漏水或观察窗玻璃裂开。