X射线光电子能谱分析.ppt
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1、表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (OCH 4个碳元素所处化学环境不同;与氧化态关系 7.2.1 光电子能谱仪的结构 电子能谱仪主要由激发源、电子能量分析器、探测电子的监测器和真空系统等几个部分组成。电子能谱仪通常采用的电子能谱仪通常采用的激发源激发源有三种:有三种:X射线源射线源、真空紫真空紫外灯外灯和和电子枪电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。电子能谱常用激发源电子能谱常
2、用激发源XPS采用能量为10001500ev 的射线源,能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的,因此可以用来鉴别化学元素;UPS采用 1641ev的真空光电子作激发源。 与X射线相比能量较低,只能使原子的价电子电离,用于研究价电子和能带结构的特征。 AES大都用电子作激发源,因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。1射线激发源 XPS中最常用的X射线源主要由灯丝、栅极和阳极靶构成。 X射线源的主要指标是强度和线宽,一般采用K线,因为它是X射线发射谱中强度最大的。在X射线光电子能谱中最重要的两个X射线源是Mg和Al的特征K射线. 双阳极双阳极X射线射线源示意图源示意图 要获得高分辨谱
3、图和减少伴峰的干扰,可以采用射线单色器来实现。即用球面弯曲的石英晶体制成,能够使来自X射线源的光线产生衍射和“聚焦”,从而去掉伴线等,并降低能量宽度,提高谱仪的分辨率。2. 电子能量分析器(1)作用:探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作,压力要低于10-5帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。(2)类型 半球型电子能量分析器半球型电子能量分析器 改变两球面间的电位差,不同能量的电子依次通过分析器,分辨率高;n分辨率 -光电子能谱的半高宽即绝对分辨率 Ek-通过分析器电子的额动能 W-狭缝宽度%100/分辨率kEE2/)2/(/2rWEEk筒镜式电子
4、能量分析器筒镜式电子能量分析器 同轴圆筒,外筒接负压、内筒接地,两筒之间形成静电场; 灵敏度高、分辨率低;3. 检测器 用电子倍增器检测电子数目。电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面的静电器件,内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增,增益可达 109 1、减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度。2、降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内,残留气体会吸附到样品表面上,甚至有可能和样品发生化学反应,从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。298K吸附一层气体分子所需时间10-4Pa时为1秒;10-7Pa时为1000秒4.真空系统真空系统7.2.2
5、 样品的制备7.2.3 XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标:动能或结合能,单位是eV,一般以结合能 为横坐标。 纵坐标:相对强度(CPS)。 结合能为横坐标的优点:结合能比动能更能反应电子的壳层结构(能级结构), 结合能与激发光源的能量无关 2. 谱峰、背底或伴峰(1)谱峰:X射线光电子入射,激发出的弹性散 射的光电子形成的谱峰,谱峰明显而尖锐。(2)背底或伴峰:如光电子(从产生处向表面)输 送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的 能量损失峰,X射线源的强伴线产生的伴 峰,俄歇电子峰等。XPS谱图的背底随结合能值的变化关系 (3)背底峰的特点 在谱图中随着结合能的增加,背底电子
6、的强度逐渐上升 。 3. XPS峰强度的经验规律(1)主量子数小的壳层 的峰比主量子数大 的峰强;(2)同一壳层,角量子 数大者峰强; (3)n和l都相同者,j大 者峰强。7.2.4 XPS的能量校正1. 静电效应 在样品测试过程中,光电子不断从表面发射,造成表面电子“亏空”,对金属样品,通过传导来补偿。对绝缘体,会在表面带正电,导致光电子的动能降低,结合能升高。严重时可偏离达10几个电子伏特,一般情况下都偏高35个电子伏特。这种现象称为“静电效应 ”,也称为“荷电效应”。2. 校正方法 (1) 外标法(最常用) C 1s结合能:284.6 eV 若荷电效应在实验过程中不稳定,则实验前后各扫一
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