教学课件第14章 单结晶体管与场效应管.ppt

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2、子技术基础与技能主编：王扬帆 主审：新世纪高职高专教材编审委员会 组编大连理工大学出版社 单结晶体管与场效应管的基础知识单结晶体管与场效应管的基础知识单结晶体管与场效应管的标识单结晶体管与场效应管的标识单结晶体管与场效应管的检测单结晶体管与场效应管的检测14.114.314.2第14章 单结晶体管与场效应管大连理工大学出版社学习单结晶体管和场效应管的电路符号、结构与分类。学习单结晶体管和场效应管的电路符号、结构与分类。了解单结晶体管和场效应管的性能指标，了解它们的特点和主要应用。了解单结晶体管和场效应管的性能指标，了解它们的特点和主要应用。掌握单结晶体管和场效应管的标识。掌握单结晶体管和场效应

3、管的标识。掌握用万用表检测单结晶体管和场效应晶体管的引脚排列及好坏判断的技能。掌握用万用表检测单结晶体管和场效应晶体管的引脚排列及好坏判断的技能。能用单结晶体管、场效应晶体管完成简单功能的电路。能用单结晶体管、场效应晶体管完成简单功能的电路。第14章 单结晶体管与场效应管大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识14.1.1 单结晶体管单结晶体管大连理工大学出版社图14-114.1 单结晶体管与场效应管的基础知识大连理工大学出版社单结晶体管可分为单结晶体管可分为N型基极单结晶体管和型基极单结晶体管和P型基极单结晶型基极单结晶体管两大类，具有陶瓷封装和金属壳封装等形式，常见单结体

4、管两大类，具有陶瓷封装和金属壳封装等形式，常见单结晶体管外形如图晶体管外形如图14-2所示。单结晶体管的文字符号为所示。单结晶体管的文字符号为“V”，电路图形符号如图电路图形符号如图14-3所示。所示。1单结晶体管的种类单结晶体管的种类14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识大连理工大学出版社图图14-2图图14-314.1 单结晶体管与场效应管的基础知识大连理工大学出版社2单结晶体管的主要性能指标单结晶体管的主要性能指标（1）分压比分压比（2）峰点电压与电流峰点电压与电流（3）谷点电压与电流谷点电压与电流（4）调制电流调制电流（5）耗散功率耗散功率14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识大连

5、理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识3单结晶体管的特点和工作原理单结晶体管的特点和工作原理单结晶体管最重要的特点是具有负阻特性。单结晶体管最重要的特点是具有负阻特性。单结晶体管的工作原理如下单结晶体管的工作原理如下:以以N型基极单结晶体管为例，当发射极电压型基极单结晶体管为例，当发射极电压UE大于峰点电压大于峰点电压UP时，时，PN结正向偏置，单结晶体管随着发射极电流结正向偏置，单结晶体管随着发射极电流I IE的增加，大量空穴从发射极注的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减入硅晶体，导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小，其间

6、的电位也就减小，呈现出负阻特性。小，呈现出负阻特性。大连理工大学出版社单结晶体管的基本作用是组成脉冲产生电路，包括张弛振单结晶体管的基本作用是组成脉冲产生电路，包括张弛振荡波形发生器等，并可使电路结构大为简化。此外，单结晶体荡波形发生器等，并可使电路结构大为简化。此外，单结晶体管还可用作延时电路和触发电路。管还可用作延时电路和触发电路。14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识4单结晶体管的作用单结晶体管的作用大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识14.1.2 场效应管场效应管场效应晶体管通常简称场效应管，是一种利用场效应原理场效应晶体管通常简称场效应管，是一种利用场效应原理

7、工作的半导体器件，外形如图工作的半导体器件，外形如图14-4所示。和普通双极型晶体管所示。和普通双极型晶体管相比较，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功相比较，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，得到了越来越广泛的应用。耗小、易于集成等特点，得到了越来越广泛的应用。大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识图图14-4大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识1场效应管的分类场效应管的分类场效应管的种类很多，场效应管主要分为结型场效应管和绝缘栅型场效应场效应管的种类很多，场效应管主要分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大

8、类。管两大类。按沟道材料分按沟道材料分:结型和绝缘栅型场效应管又各分为结型和绝缘栅型场效应管又各分为N沟道和沟道和P沟道两种。沟道两种。绝缘栅型场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为绝缘栅型场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为MOS场效应场效应管，而管，而MOS场效应晶体管又分为场效应晶体管又分为N沟道耗尽型沟道耗尽型,N沟道增强型沟道增强型,P沟道耗尽型和沟道耗尽型和P沟沟道增强型四大类。道增强型四大类。场效应管还有单栅极管和双栅极管之分。双栅场效应管与单栅场效应管相场效应管还有单栅极管和双栅极管之分。双栅场效应管与单栅场效应管相比，具有两个互相独立的栅极比，具有两个互相独

9、立的栅极G1和和G2，从结构上看相当于两个单栅场效应管串，从结构上看相当于两个单栅场效应管串联而成，其输出电流的变化受到两个栅极电压的控制。双栅场效应管的这种特联而成，其输出电流的变化受到两个栅极电压的控制。双栅场效应管的这种特性，为其用作高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器带来很大方便。性，为其用作高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器带来很大方便。场效应管的文字符号为场效应管的文字符号为“VT”，电路图形符号如图，电路图形符号如图14-5所示。所示。大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识图图14-5大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识2.

10、 场效应管的主要性能指标场效应管的主要性能指标（1）饱和漏源电流）饱和漏源电流（2）夹断电压）夹断电压（3）开启电压）开启电压（4）跨导）跨导大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识3. 场效应管的工作原理场效应管的工作原理场效应管的基本工作原理如图场效应管的基本工作原理如图14-6所所示示(以结型以结型N沟道管为例沟道管为例)。由于栅极。由于栅极G接接有负偏压有负偏压(UG) ，在，在U附近形成耗尽层。附近形成耗尽层。 (1)当负偏压当负偏压(UG)的绝对值增大时，的绝对值增大时，耗尽层增大，沟道减小，漏极电流耗尽层增大，沟道减小，漏极电流D减减小。小。 (2)当负偏压当负

11、偏压(UG)的绝对值减小时，的绝对值减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流耗尽层减小，沟道增大，漏极电流D增增大。大。(3)场效应管的偏置电压场效应管的偏置电压图图14-6大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识和双极型晶体管一样，场效应管用于放大等电路时，其栅极也和双极型晶体管一样，场效应管用于放大等电路时，其栅极也应加偏置电压。应加偏置电压。结型场效应管的栅极应加反向偏置电压，即结型场效应管的栅极应加反向偏置电压，即N沟道管加负向栅压，沟道管加负向栅压，P沟道管加正向栅压沟道管加正向栅压;增强型绝缘栅场效应管应加正向栅压增强型绝缘栅场效应管应加正向栅压;耗尽型绝耗尽型绝缘

12、栅场效应管的栅压可正可负可为缘栅场效应管的栅压可正可负可为“”，如表，如表14-1所示。加偏置的所示。加偏置的方法有固定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。方法有固定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识4. 场效应管的工作原理场效应管的工作原理场效应管的特点是山栅极电压场效应管的特点是山栅极电压UG控制其漏极电流控制其漏极电流D。和普通双。和普通双极型晶体管相比较，具有输入电阻高极型晶体管相比较，具有输入电阻高(108 109)、噪声小、功耗、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没

13、有二次击穿现象、安全工作区域宽低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竟争者。等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竟争者。(1) 场效应管的特点场效应管的特点大连理工大学出版社14.1 单结晶体管与场效应管的基础知识(2) 场效应管的应用场效应管的应用场效应管可应用于放大电路。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，场效应管可应用于放大电路。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器场效

14、应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。场效应管可以用作电子开关。大连理工大学出版社14.2 单结晶体管与场效应管的标识14.2.1 单结晶体管与场效应管的命名单结晶体管与场效应管的命名第一部分第一部分:用字母用字母“B”表示半导体管表示半导体管;第二部分第二部分:用字母用字母“T，表示特种管，表示特种管;第二部分第二部分:用数字用数字“3”表示有表示有3个电极个电极第四部分第四部分:用数字表示耗散功率用

15、数字表示耗散功率;第五部分第五部分:用字母表示特性参数分类。用字母表示特性参数分类。1.单结晶体管的命名方法单结晶体管的命名方法国产单结晶体管的型号命名由国产单结晶体管的型号命名由5部分组成部分组成: BT3数字字母数字字母大连理工大学出版社14.2 单结晶体管与场效应管的标识2.单结晶体管的引脚单结晶体管的引脚单结晶体管共有单结晶体管共有3只引脚，分别是发射极只引脚，分别是发射极E、第一基极、第一基极B1，第二基极，第二基极B2。两种典型单结晶体管的引脚排列如图两种典型单结晶体管的引脚排列如图14-7所示。但是，需要说明的是，不同厂家、所示。但是，需要说明的是，不同厂家、不同型号的单结晶体管

16、的引脚排列方式不同，所以，我们不能靠简单的记忆来判定单不同型号的单结晶体管的引脚排列方式不同，所以，我们不能靠简单的记忆来判定单结晶体管的引脚排列。结晶体管的引脚排列。图图14-7大连理工大学出版社14.2 单结晶体管与场效应管的标识3.单结晶体管的引脚单结晶体管的引脚 (1)场效应管的命名场效应管的命名我国现行场效应管的命名方法有两种我国现行场效应管的命名方法有两种:第一种命名方法与双极型二极管相同，第二位字母第一种命名方法与双极型二极管相同，第二位字母J代表结型场代表结型场效应管效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是是P型硅，型硅，反

17、型层是反型层是N沟道沟道;C是是N型硅型硅P沟道。例如，沟道。例如，3DJ6D是结型是结型N沟道场效应沟道场效应三极管，三极管，3DO6C是绝缘栅型是绝缘栅型N沟道场效应三极管。沟道场效应三极管。第二种命名方法是第二种命名方法是CSXX #,CS代表场效应管代表场效应管,XX以数字代表型号的以数字代表型号的序号，序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。等。大连理工大学出版社14.2 单结晶体管与场效应管的标识 (2)场效应管的识别场效应管的识别场效应管一般具有场效应管一般具有3只引脚只引脚(双栅管有双栅管有4只引脚只引脚)，分别

18、是栅极，分别是栅极G、源极、源极S和漏极和漏极D,它们的功能分别对应于双极型晶体管的基极它们的功能分别对应于双极型晶体管的基极B、发射极、发射极E和集电极和集电极C。场效应管的源极场效应管的源极S和漏极和漏极D是对称的，实际使用中可以互换。常用场效是对称的，实际使用中可以互换。常用场效应管的引脚如图应管的引脚如图14-8所示，使用中应注意识别。所示，使用中应注意识别。同样需要说明的是，不同厂家、不同型号的场效应晶体管的引脚排列同样需要说明的是，不同厂家、不同型号的场效应晶体管的引脚排列方式不同，所以，我们不能靠简单的记忆来判定场效应晶体管的引脚排列，方式不同，所以，我们不能靠简单的记忆来判定场

19、效应晶体管的引脚排列，要学会用万用表判别场效应三极管引脚的方法。要学会用万用表判别场效应三极管引脚的方法。大连理工大学出版社14.2 单结晶体管与场效应管的标识图图14-8大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测14.3.1 单结晶体管的检测单结晶体管的检测判断单结晶体管发射极判断单结晶体管发射极E的方法是的方法是:把万用表置于把万用表置于“RX 100”挡或挡或“RX 1k”挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔分别接另外两极，当出现挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。单

20、结晶体管单结晶体管B1和和B2的判断方法是的判断方法是:把万用表置于把万用表置于R X 100”挡或挡或“RX 1k”挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是阻大的一次，红表笔接的就是B1极，如图极，如图14-9所示。所示。1.单结晶体管各管脚的判别方法单结晶体管各管脚的判别方法大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-9大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测2.单结晶体管性能好坏的判断单结晶体管性能好坏的判断双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电

21、阻值是否正常来双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表判断。用万用表“RX1k挡，将黑表笔接发射极挡，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极，红表笔依次接两个基极(B1和和B2) ，正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值，再将红表笔接发射，正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值，再将红表笔接发射极极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大，如图，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大，如图14-10所示。所示。双基极二极管两个基极双基极二极管两个基极(B1和和B2)之间的正、反向电阻值均在之间的正、反向电阻值均在2k10k范围内，若测得某两极之间的电阻值与

22、上述正常值相差较大时，则说明该范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则说明该二极管已损坏。二极管已损坏。大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-10大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测14.3.2 场效应管的检测场效应管的检测MOS场效应管的输人电阻高，栅极场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅

23、极击穿。到栅极，引起栅极击穿。大连理工大学出版社根据场效应管的根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。别出结型场效应管的三个电极。具体方法具体方法:将万用表拨在将万用表拨在“RX 1k”挡上，任选两个电极，分别挡上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，如图且为几千欧姆时，如图14-11所示，则该两个电极分别是漏极所示，则该两个电极分别是漏极D和和源极源极S。14.3 单结晶体管与场效应管的检测1. 用指针式万

24、用表对场效应管进行判别用指针式万用表对场效应管进行判别（ 1）用测电阻法判别结型场效应管的电极）用测电阻法判别结型场效应管的电极大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-11大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极栅极G。也可以将万用表的黑表笔。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行红表笔也行)任意接触一个电极，另一任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当

25、出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反结的反向，即都是反向电阻，可以判定是向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出若两次测出的电阻值均很小，说明是正向的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为结，即是正向电阻，判定为P沟道场效沟道场效应管，如图应管，如图14-12所示。黑表笔接的也是栅极。所示。黑表笔接的也是栅极。大连理工

26、大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-12大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测（2）测电阻法判别场效应管的好坏）测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极极G1与栅极与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。将万用表置于将万用表置于“R 10”或或“R 100”挡，测量源极挡，测量源极S与漏极与漏极D之间的电阻，阻之间的电阻，阻值通常在几十欧到

27、几千欧范围值通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷如果测得阻值是无穷大，可能是内部电极断了。大，可能是内部电极断了。把万用表置于把万用表置于“R 10k”挡，再测栅极挡，再测栅极G1与与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各若测得上述

28、各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行阻值太小或为通路，则说明管是坏的。若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。检测。大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测2.用感应信号输人法估测场效应管的放大能力用感应信号输人法估测场效应管的放大能力(1)用万用表电阻的用万用表电阻的“R 100”挡，红表笔接源极挡，红表笔接源极S，黑表笔接漏极，黑表笔接漏极D，给场，给场效应管加上效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。(2)然后用手捏住结型场效应管的栅极然后用手捏住结型场效应管

29、的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于场效应管的放大作用，漏源电压上。这样，由于场效应管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流和漏极电流I Ib都要发生变化，都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如图图14-13所示。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差所示。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动表针摆动较大，表明管的放大能力大较大，表明管的放大能力大;若表针不动，说明管是坏的。若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法

30、，我们用万用表的根据上述方法，我们用万用表的“R 100挡，测结型场效应管挡，测结型场效应管3DJ2F。先将管的先将管的G极开路，测得漏源电阻极开路，测得漏源电阻RDS为为600，用手捏住，用手捏住G极后，表针向左摆动，极后，表针向左摆动，指示的电阻指示的电阻RDS为为12k，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。放大能力。大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-13大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测运用这种方法时要说明几点运用这种方法时要说明几点:第一，在测试场效应管用手捏住栅极时，

31、万用表针有可能向右摆第一，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针有可能向右摆动动(电阻值减小电阻值减小)，也可能向左摆动，也可能向左摆动(电阻值增加电阻值增加)。这是由于人体感应的。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻挡测量时的工作点可能不同交流电压较高，而不同的场效应管用电阻挡测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致，试验表明，多数场效应管所致，试验表明，多数场效应管的的RDS增大，即表针向左摆动增大，即表针向左摆动;少数场效应管的少数场效应管的RDS减小，使表针向右摆减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆

32、动幅度较大，就说明管有动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。较大的放大能力。大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测第二，此方法对第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，场效应管也适用。但要注意，MOS场效应场效应管的输入电阻高，栅极管的输入电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。如图以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿

33、。如图14-14所示。所示。第三，每次测量完毕，应当第三，每次测量完毕，应当GS极间短路一下。这是因为极间短路一下。这是因为GS结电容上会充有少量电荷，建立起结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将可能不动，只有将GS极间短路放掉电荷才行。极间短路放掉电荷才行。大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测图图14-14大连理工大学出版社14.3 单结晶体管与场效应管的检测3.测电阻法判别无标识的场效应管测电阻法判别无标识的场效应管用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也

34、就是源极S和漏极和漏极D,余下余下两个脚为第一栅极两个脚为第一栅极G1，和第二栅极，和第二栅极G2。把先用两表笔测得的源极。把先用两表笔测得的源极S与漏极与漏极D之间之间的电阻值记下来，对调表笔，再测量一次，把其测得电阻值记下来。两次测得的电阻值记下来，对调表笔，再测量一次，把其测得电阻值记下来。两次测得阻值较大的一次中，黑表笔所接的电极为漏极阻值较大的一次中，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极极;红表笔所接的是红表笔所接的是S极，两种方法检极，两种方法检测结果应一样。测结果应一样。当确定了漏极当确定了漏极D、源极、源极S的位置后，按的位置后，按D、S的对应位置装入电路，一般的对应位置装入电路，一般 G1 、 G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1 、 G2的位置，从而就确定了的位置，从而就确定了D、S、 G1 和和G2管脚的顺序。管脚的顺序。大连理工大学出版社