第1章 常用半导体器件.ppt

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2、CE)|IB=ICEO（1）ICBO ICM ICM （2）集电极集电极发射极反向击穿电压发射极反向击穿电压U（BR）CEO U（BR）CEO是指当基极开路时，集电极与发射极之间的反是指当基极开路时，集电极与发射极之间的反向击穿电压。向击穿电压。 （3）集电极最大允许）集电极最大允许功率损耗功率损耗PCMPCM是指三极管正常工是指三极管正常工作时最大允许消耗的作时最大允许消耗的功率。功率。 （1）温度对）温度对UBE的影响：当温度升高时，三极管的输入的影响：当温度升高时，三极管的输入特性曲线向左移，在特性曲线向左移，在IB相同的条件下，相同的条件下，UBE将会减小将会减小。（2）温度对）温度对

3、ICBO的影响：当温度升高时的影响：当温度升高时，ICBO及及ICEO会增大，从而使三极管的输出特性曲线上移。场效应管场效应管 当当UGS0时时，如图（如图（a）所示。）所示。PN结不承受反向电压，结不承受反向电压，此时漏极电流最大，称之为漏极饱和电流此时漏极电流最大，称之为漏极饱和电流IDSS 。当当UGS0时，时，如图（如图（b）所示。）所示。PN结承受反向电压，此时，耗尽结承受反向电压，此时，耗尽层变宽，导电沟道变窄，漏极电流变小。栅源极间的负电层变宽，导电沟道变窄，漏极电流变小。栅源极间的负电压压UGS越大，耗尽层越宽，导电沟道越窄，漏极电流越小。越大，耗尽层越宽，导电沟道越窄，漏极电

4、流越小。图（图（c）为栅源极间的负电压）为栅源极间的负电压UGS大到某一定程度时，两大到某一定程度时，两边的耗尽层相遇，导电沟道被夹断，漏极电子流趋向于零，边的耗尽层相遇，导电沟道被夹断，漏极电子流趋向于零，此时的栅源间电压称为夹断电压，用此时的栅源间电压称为夹断电压，用UGS（off)表示。表示。UGS对漏对漏电极电流电极电流ID的控制关系曲线。的控制关系曲线。漏电极电流漏电极电流ID与与之间的关系。之间的关系。（1）夹断电压夹断电压UGS（off）（2）饱和漏电流）饱和漏电流IDSS（3）漏源击穿电压漏源击穿电压U（BR）DS （4）直流输入电阻）直流输入电阻RGS（5）低频跨导）低频跨导

5、g gm m（6）最大耗散功率最大耗散功率PDM 。 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图1-30（a）所示。其输出特性曲线如图所示。其输出特性曲线如图1-30（b）所示。这种所示。这种管子的管子的UGS不论是正、负或零，都可以控制不论是正、负或零，都可以控制ID，这是耗尽这是耗尽型绝缘栅场效应管的一个重要特点。型绝缘栅场效应管的一个重要特点。 UZ2稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数（1）稳定工作电压）稳定工作电压UZ （2）稳定工作电流）稳定工作电流IZ （3）最大稳定电流）最大稳定电流IZmax（4）最大耗散功率）最大耗散功率PZm（5）动态电阻）动态电阻