电力电子技术试题.docx
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1、精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括信息电子技术 和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为:沟通变直流、 直流变直流、 直流变沟通和 沟通变沟通 。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结0000002、为削减自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在的工作频率较高时,开关 损耗会成为主要的损耗。 开关 状态。 当器件可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结0000001、电力变换通常分为四大类,即沟通变直流、
2、 直流变直流、 直流变沟通、 沟通变沟通。0100004、过电压产生的缘由操作过电压、 雷击过电压,可实行 RC 过电压抑制电路、压敏电阻等措施进行爱护。0100002、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 GTR 。可关断晶闸管 GTO。功率场效应晶体管 MOSFET 。绝缘栅双极型晶体管 IGBT 。 IGBT 是 MOSFET和 GTR 的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管牢靠导通 、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、温度稳固性及与主电路的电气隔离 。(可作简答题)0100003
3、、多个晶闸管相并联时必需考虑均流的问题,解决的方法是选择特性参数尽量一样的器件和采纳均流电抗器。0100004、抑制过电压的方法之一是用电容吸取可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。0100001、型号为KP100-8 的晶闸管表示其额定电压为800伏、额定有效电流为100安。0100003、在电力晶闸管电路中,常用的过电压爱护有 避雷器 。 RC 过电压抑制电路 / 阻容吸取 。 硒堆 。 压敏电阻 等几种。(写出 2 种即可)0100001、目前常用的具有自关断才能的电力电子元件有GTR 、GTO 、MOSFET、IGBT几种。0100003、一般晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极
4、A , 阴极 K 和 门极 G 晶闸管的导通条件是晶闸管承担正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 1 页,共 49 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -者 UAK 0 且 UGK0 。关断条件是使流过晶闸管的阳极电流降到维护电流以下。0100002、可关断晶闸管的图形符号是。电力场效应晶体管的图形符号是,绝缘栅双极晶体管的图形符号是。电力晶体管的图形符
5、号是。0100003、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极, 以 电力晶体管发射极和集电极作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为KK200 9,请说明 KK快速晶闸管。200 表示表示额定电流 200A, 9 表示额定电压900V。0100004、一个单相全控桥式整流电路,沟通电压有效值为220V,流过晶闸管的电流有效值为 15A,就这个电路中晶闸管的额定电压可选为( 1.5 2) 1.414 220。晶闸管的额定电流可选为(1.5 2) 15/1.57。0100003、常用的过电流爱护措施有电子电路、快速熔断器、直流快速熔断器、过电流继电器。(写出 2
6、种即可)0100003、给晶闸管阳极加上肯定的正向电压。在门极加上正向门极电压,并形成足够的 门极触发电流,晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于擎住电流之前, 如去掉触发脉冲,晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR 。可关断晶闸管GTO 。功率场效应晶体管MOSFET。绝缘栅双极型晶体管IGBT。 IGBT 是 MOSFET和 GTR 的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必需考虑均流的问题,解决的方法是首要措施是选择特性参数尽量一样的器件、采纳均流电抗器。0100003、由波形系数可知, 晶闸管在额定情形下
7、的有效值电流 I T 等于 1.57 倍 I T( AV),假如 I T( AV) =100 安培, 就它答应的有效电流为 157 安培。 通常在选择晶闸管时仍要留出 1.5 2 倍的裕量。0100001、晶闸管的维护电流I H 是指在40 度以下温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 2 页,共 49 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -通态电流下降到刚好能保持
8、导通所必需的最小阳极电流。0100001、一般晶闸管内部有PN 结, ,外部有三个电极,分别是极 极和极。1、两个、阳极A、阴极 K、门极 G。0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为KP50 7 的,其中KP 表示该器件的名称为,50 表示,7 表示。4、一般晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。0100001、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。5、维护电流。0100003、在晶闸管两端并
9、联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。15、(关断)过电压。0100002、GTO的全称是,图形符号为。 GTR的全称是,图形符号为。P-MOSFET的全称是 ,图形符号为。IGBT 的全称是,图形符号为。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、GTO的关断是靠门极加显现门极来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称。34、 GTR。0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件,缺点是和 。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在 GTR、GTO、 IGBT 与 MOSFET中,开关速度最快的是_MOSFET
10、,_ 单管输出功率最大的是 _GTO_,应用最为广泛的是 IGBT 。0100003、 GTR 存在二次击穿现象,IGBT 存在擎住现象。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 3 页,共 49 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -0100003、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R 是 均压 措施。0100003、同一晶闸管,维护电流I H与掣住电流I L 在数值大小上有I L_ 大于 _
11、I H。0100003、常用的过电流爱护措施有电子电路、快速熔断器。(写出二种即可)0100001、晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有螺栓型与 平板型。0100002、选用晶闸管的额定电流时,依据实际最大电流运算后至少仍要乘以1.5 2 。0100003、晶闸管的导通条件是晶闸管承担正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者 UAK 0 且 UGK0 。0100004、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为,UDSM IH。0100003、某晶闸管的型号为KP200-5,其中 200 表示额定电流为200A ,5 表示额定电压为 500V 。010000
12、4、晶闸管串联时,给每只管子并联相同的RC电路是均压措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是阳极 A 、 阴极 K 、 门极 G 。0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大1.5 2 倍,使其有肯定可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 4 页,共 49 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向阳极电压后,门极加上适当的正向触发电流
13、,使晶闸管导通的过程,称为触发。0100003、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R 是 均压措施。0100003、由波形系数可知,晶闸管在额定情形下的有效值电流为I Tn 等于 1.57倍 I T( AV),假如I T( AV) =100 安培,就它答应的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时仍要留出1.5 2 倍的裕量。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是 显现换相重叠角,整流输出电压平均值可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结降低 _ 、 整流电路的工作状态增多、 使电网电压显现缺口,称为干扰源。02000
14、01、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载 打算。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是给负载并联续流二极管。0200004、单相全控桥电阻性负载时,电路的移相范畴0 180或180 。三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范畴0 150或 150 。三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范畴0 120或 120 。0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由同步环节、 锯齿波形成环节、 脉冲形成与脉冲移相及其它环节成。0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的导通角。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承担的最大正向电压UFM 等于2
15、U 2 (设 U2 为相电压有效值) 。0200004、三相桥式全控整流电路,电阻性负载,当掌握角 /2 ,同时 |E d| |Ud| 。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间,两个相邻的晶闸管同时导可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结学习资料 名师精选 - - - - - - - - - -第 5 页,共 49 页 - - - - - - - - - -可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结资料word 精心总结归纳 - - - - - - - - - - - -通,对应的电角度称为换相重叠角。0200003、在三相全控桥中,接在同一相的两个晶闸
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