2022年模电各章重点内容及总复习2 .pdf
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1、学习必备欢迎下载模电第一章重点掌握内容Powered by: Lyman 一、概念1、 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。2、 半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。3、 本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。4、 本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。5、 P 型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P 型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。6、 N 型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N 型半导体,使导电能
2、力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。7、 PN 结具有单向导电性:P 接正、 N 接负时(称正偏) ,PN 结正向导通,P 接负、 N 接正时(称反偏) ,PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。8、 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管 (Ge管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。9、 二极管由一个PN 结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。其死区电压:Si管约 0。5V ,Ge管约为 0。 1 V ,其死区电压: Si管约 0.5V,Ge管约为 0.1
3、V 。其导通压降: Si管约 0.7V,Ge管约为 0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。10、稳压管是工作在反向击穿状态的:加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V, )加反向电压时截止,相当断开。加反向电压并击穿(即满足UUZ)时便稳压为UZ。11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。二、应用举例: (判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。三极管复习完第二章再判)参考答案: a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。f 、因 V 的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通, (将二极管短路)使输出电压为U0
4、=3V 。G、因 V1 正向电压为10V,V2 正向电压13V,使 V2 先导通,(将 V2 短路)使输出电压U0=3V,而使 V1 反偏截止。 h 、同理,因V1正向电压10V、V2 正向电压为7V,所以 V1 先导通(将V1 短路) ,输出电压U0=0V ,使 V2 反偏截止。(当输入同时为0V 或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。)三、书 P31习题: 1-3、1-4、 1-6、1-8、1-13、1-16精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 7 页学习必备欢迎下载模电第二章重点掌握内容一、概念1、 三极管由两个PN
5、 结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。(参考 P40)三个区:发射区掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。基区掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。集电区掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。两个结:集电区基区形成的PN 结。叫集电结。 (JC)基区发射区形成的PN 结。叫发射结。 (Je)三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E 和集电极 C(或用 a、 b、c)对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC。并有: IE =IB+ IC2、 三极管也有硅管和锗管,型号有NPN 型和 PNP 型。 (参考图 A。注意电路符号的区别。
6、可用二极管等效来分析。 ) 3、 三极管的输入电压电流用UBE、IB表示,输出电压电流用UCE、IC表示。即基极发射极间的电压为输入电压UBE,集电极发射间的电压为输出电压UCE。 (参考图 B)三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数 =IC / IB (或 IC= IB)和开关作用 . 4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为0.5V, 锗管约为 0.1V 。导通压降:硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。 (这两组数也是判材料的依据)5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性 )有三个区 : 饱和区 : 特点
7、是 UCE0.3V,无放大作用 ,C-E 间相当闭合 .其偏置条件JC, Je都正偏 . 截止区 : 特点是 UBE 0, IB=0, IC=0,无放大 . C-E 间相当断开 .其偏置条件JC, Je都反偏 . 放大区 : 特点是 UBE大于死区电压, UCE1V, IC= IB. 其偏置条件Je正偏 JC反偏 .所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态. 6、当输入信号Ii很微弱时 ,三极管可用H 参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图 B) 7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:先画出直流通路(方
8、法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路),求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。画交流通路,H 参数小信号等效电路求电压放大倍数AU输入输出电阻RI和 R0。(参考 P58图 2.2.5)图解法:是在输入回路求出IB后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的IBQ、UBEQ而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的ICQ、 UCEQ 加入待放大信号ui从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。 若工作点 Q 点设得合适, (在放大区)则波形就不会发生失真。(参考 P52图 2.2.2)8、失真有三种情况: 截止失真:原因是IB、IC太小, Q 点过低,使输出
9、波形后半周(正半周)失真。消除办法是调小RB,以增大IB、IC,使 Q 点上移。饱和失真:原因是IB、IC太大, Q 点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。消除办法是调大RB,以减小IB、IC,使 Q 点下移。信号源 US过大而引起输出的正负波形都失真,消除办法是调小信号源。应用举例 : 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 7 页学习必备欢迎下载说明:图 A:三极管有NPN 型和 PNP 型,分析三极管的工作状态时可用二极管电路来等效分析。图 B:三极管从BE 看进去为输入端,从CE 看进去输出端。可用小信号等效电路来等效
10、。其三极管的输入电阻用下式计算:rbe =200+(1+ )26/ IEQ=200+26/ IBQIC= IB. 图 C 的图 1 因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大;图2 因发射结电压为3 伏,所以管烧;图3 因发射结集电结都正偏,所以是饱和;图4 因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大。图 D:a 图为固定偏置电路,b 图为直流通路,c 图为 H 参数小信号等效电路。 (其计算在下一章)二、习题: P81 2-1、2-2、2-4abc、2-9 模电第三章重点掌握内容一、概念1、 放大电路有共射、共集、 共基三种基本组态。 (固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极
11、电路) 。共射电路的输出电压U0与输入电压UI反相,所以又称反相器。共集电路的输出电压U0与输入电压UI同相,所以又称同相器。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 7 页学习必备欢迎下载2、 差模输入电压Uid=Ui1-Ui2指两个大小相等,相位相反的输入电压。(是待放大的信号)共模输入电压UiC= Ui1=Ui2指两个大小相等,相位相同的输入电压。(是干扰信号)差模输出电压U0d 是指在 Uid作用下的输出电压。共模输出电压U0C是指在UiC作用下的输出电压。差模电压放大倍数Aud= U0d / /Uid是指差模输出与输入电
12、压的比值。共模放大倍数Auc =U0C /UiC是指共模输出与输入电压的比值。(电路完全对称时Auc =0)共模抑制比KCRM=Aud /Auc是指差模共模放大倍数的比值,电路越对称KCRM越大,电路的抑制能力越强。3、 差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电路的用途:用于直接耦合放大器中抑制零点漂移。 (即以达到UI =0,U0=0 的目的)4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数AU和输入输出电阻Ri ,R0 。功率放大器的主要指标要求是(1)输出功率大,且不失真;(2)效率要高,管耗要小,所以功率放大电路通常工作在甲乙类(或乙类)工作状态,同时为减小失真,采用
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