2022年材料物理性能半导体材料试卷与答案_材料物理性能.docx

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1、2022年材料物理性能半导体材料试卷与答案_材料物理性能1、 最通常的半导体材料是什么？该材料运用最普遍的缘由是什么？ 2、 砷化镓相对于硅的优点是什么？ 3、 描述在硅片厂中运用的去离子水的概念。 4、 例举出硅片厂中运用的五种通用气体。 5、 对净化间做一般性描述。 6、 什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？ 7、 例举硅片制造厂房中的7种玷污源。 8、 说明空气质量净化级别。 9、 描述净化间的舞厅式布局。 10、 说明水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？ 11、 按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成电路分为哪些类型？每种类型各有什么特征？ 1

2、2、 什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。 13、 什么是CMOS技术？什么是ASIC？ 14、 例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？ 15、 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片须要哪些工艺流程？ 16、 什么是外延层？为什么硅片上要运用外延层？ 17、 给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。 18、 硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？ 19、 说明投射电子能显微镜。 20、 给出访用初级泵和真空泵的理由。 21、 什么是IC牢靠性？什么是老化测试？ 22、 例举在线参数测试的4个主要子系统。 23、

3、 例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章） 24、 什么是印刷电路板？ 25、 例举出传统装配的4个步骤。 26、 例举出两种最广泛运用的集成电路封装材料。 27、 例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？ 28、 例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简洁描述。 29、 离子注入前一般须要先生长氧化层，其目的是什么？ 30、 离子注入后为什么要进行退火？ 31、 光刻和刻蚀的目的是什么？ 32、 为什么要采纳LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？ 33、 为什么晶体管栅结构的形成是特别关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？ 34、 描述

4、金属复合层中用到的材料？ 35、 STI隔离技术中，为什么采纳干法离子刻蚀形成槽？ 36、 二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？ 37、 说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？ 38、 描述热氧化过程。 39、 影响氧化速度的因素有哪些？ 40、 例举并描述热生长SiO2Si系统中的电荷有哪些？ 41、 立式炉系统的五部分是什么？例举并简洁描述？ 42、 什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。 43、 例举并描述薄膜生长的三个阶段。 44、 互连 45、 接触 46、 通孔 47、 填充薄膜 48、 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。 49、 说

5、明铝已经被选择作为微芯片互连金属的缘由。 50、 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？ 51、 什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的缘由是什么？ 52、 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。 53、 说明什么是暗场掩模板。 54、 例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要说明。 55、 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 56、 例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。 57、 描述曝光波长和图像辨别率之间的关系。 58、 例举并描述光刻中运用的两种曝光光源。 59、 说明扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？ 60、 光刻中

6、采纳步进扫描技术获得了什么好处？ 61、 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区分是什么？ 62、 说明光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？ 63、 说明光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 64、 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。 65、 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？ 66、 哪种化学气体常常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。 67、 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。 68、 什么是结深？ 69、 例举并说明硅中固态杂质扩散的三个步骤。 70、 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 71、 例举离子注入设备的5个主要子系统。 72、 离子源的目的是什么？最常用的离子源是什