大学物理静电场习题集标准答案.doc

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编号:2596694    类型:共享资源    大小:561.02KB    格式:DOC    上传时间:2020-04-23
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大学物理 静电场 习题集 标准答案
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^. 第12章 静电场 P35. E2 E E1 q2 A C q1 B θ 图13.1 12.3 如图所示,在直角三角形ABCD的A点处,有点电荷q1 = 1.810-9C,B点处有点电荷q2 = -4.810-9C,AC = 3cm,BC = 4cm,试求C点的场强. [解答]根据点电荷的场强大小的公式 , 其中1/(4πε0) = k = 9.0109Nm2C-2. 点电荷q1在C点产生的场强大小为 , 方向向下. 点电荷q2在C点产生的场强大小为 , 方向向右. C处的总场强大小为 , 总场强与分场强E2的夹角为 . 12.4 半径为R的一段圆弧,圆心角为60,一半均匀带正电,另一半均匀带负电,其电线密度分别为+λ和-λ,求圆心处的场强. Ex x E θ R ds Ey O y [解答]在带正电的圆弧上取一弧元 ds = Rdθ, 电荷元为dq = λds, 在O点产生的场强大小为 , 场强的分量为dEx = dEcosθ,dEy = dEsinθ. ds Ex x E θ R Ey O y 对于带负电的圆弧,同样可得在O点的场强的两个分量.由于弧形是对称的,x方向的合场强为零,总场强沿着y轴正方向,大小为 . 12.5 均匀带电细棒,棒长a = 20cm,电荷线密度为λ = 310-8Cm-1,求: (1)棒的延长线上与棒的近端d1 = 8cm处的场强; (2)棒的垂直平分线上与棒的中点相距d2 = 8cm处的场强. [解答](1)建立坐标系,其中L = a/2 = 0.1(m),x = L+d1 = 0.18(m). o lx x dl y P1 r -L L d1 在细棒上取一线元dl,所带的电量为dq = λdl, 根据点电荷的场强公式,电荷元在P1点产生的场强的大小为 场强的方向沿x轴正向.因此P1点的总场强大小通过积分得 . ① 将数值代入公式得P1点的场强为 = 2.41103(NC-1), 方向沿着x轴正向. o lx x dl r -L L y P2 dEy dE2 dEx d2 θ θ (2)建立坐标系,y = d2. 在细棒上取一线元dl,所带的电量为 dq = λdl, 在棒的垂直平分线上的P2点产生的场强的大小为 , 由于棒是对称的,x方向的合场强为零,y分量为 dEy = dE2sinθ. 由图可知:r = d2/sinθ,l = d2cotθ, 所以 dl = -d2dθ/sin2θ, 因此 , 总场强大小为 . ② 将数值代入公式得P2点的场强为 = 5.27103(NC-1). 方向沿着y轴正向. [讨论](1)由于L = a/2,x = L+d1,代入①式,化简得 , 保持d1不变,当a→∞时,可得 , ③ 这就是半无限长带电直线在相距为d1的延长线上产生的场强大小. (2)由②式得 , 当a→∞时,得 , ④ 这就是无限长带电直线在线外产生的场强公式. 如果d1=d2,则有大小关系Ey = 2E1. θ R O 图13.4 12.6 一均匀带电无限长细棒被弯成如图所示的对称形状,试问θ为何值时,圆心O点处的场强为零. [解答]设电荷线密度为λ,先计算圆弧的电荷在圆心产生的场强. θ R O x dφ dE φ 在圆弧上取一弧元 ds =R dφ, 所带的电量为 dq = λds, 在圆心处产生的场强的大小为 , 由于弧是对称的,场强只剩x分量,取x轴方向为正,场强为 dEx = -dEcosφ. 总场强为 , 方向沿着x轴正向. θ O E` E`` x R 再计算两根半无限长带电直线在圆心产生的场强. 根据上一题的公式③可得半无限长带电直线在延长上O点产生的场强大小为 , 由于两根半无限长带电直线对称放置,它们在O点产生的合场强为 , 方向沿着x轴负向. 当O点合场强为零时,必有,可得 tanθ/2 = 1, 因此 θ/2 = π/4, 所以 θ = π/2. P b a Q d 图13.5 12.7 一宽为b的无限长均匀带电平面薄板,其电荷密度为σ,如图所示.试求: (1)平板所在平面内,距薄板边缘为a处的场强. (2)通过薄板几何中心的垂直线上与薄板距离为d处的场强. P b a O x dx y [解答](1)建立坐标系.在平面薄板上取一宽度为dx的带电直线,电荷的线密度为 dλ = σd x, 根据直线带电线的场强公式 , 得带电直线在P点产生的场强为 , 其方向沿x轴正向. 由于每条无限长直线在P点的产生的场强方向相同,所以总场强为 . ① 场强方向沿x轴正向. Q b d O z dx x y r dE θ (2)为了便于观察,将薄板旋转建立坐标系.仍然在平面薄板上取一宽度为dx的带电直线,电荷的线密度仍然为 dλ = σd x, 带电直线在Q点产生的场强为 , 沿z轴方向的分量为 , 设x = dtanθ,则dx = ddθ/cos2θ,因此 积分得 . ② 场强方向沿z轴正向. [讨论](1)薄板单位长度上电荷为 λ = σb, ①式的场强可化为 , 当b→0时,薄板就变成一根直线,应用罗必塔法则或泰勒展开式,场强公式变为 , ③ 这正是带电直线的场强公式. (2)②也可以化为 , 当b→0时,薄板就变成一根直线,应用罗必塔法则或泰勒展开式,场强公式变为 , 这也是带电直线的场强公式. 当b→∞时,可得 , ④ 这是无限大带电平面所产生的场强公式. 12.8 (1)点电荷q位于一个边长为a的立方体中心,试求在该点电荷电场中穿过立方体一面的电通量是多少? (2)如果将该场源点电荷移到立方体的的一个角上,这时通过立方体各面的电通量是多少? [解答]点电荷产生的电通量为 Φe = q/ε0. (1)当点电荷放在中心时,电通量要穿过6个面,通过每一面的电通量为 Φ1 = Φe/6 = q/6ε0. (2)当点电荷放在一个顶角时,电通量要穿过8个卦限,立方体的3个面在一个卦限中,通过每个面的电通量为 Φ1 = Φe/24 = q/24ε0; 立方体的另外3个面的法向与电力线垂直,通过每个面的电通量为零. 12.9 面电荷密度为σ的均匀无限大带电平板,以平板上的一点O为中心,R为半径作一半球面,如图所示.求通过此半球面的电通量. R O 图13.7 [解答]设想在平板下面补一个半球面,与上面的半球面合成一个球面.球面内包含的电荷为 q = πR2σ, 通过球面的电通量为 Φe = q/ε0, 通过半球面的电通量为 Φ`e = Φe/2 = πR2σ/2ε0. 12.10 两无限长同轴圆柱面,半径分别为R1和R2(R1 > R2),带有等量异号电荷,单位长度的电量为λ和-λ,求(1)r < R1;(2) R1 < r < R2;(3)r > R2处各点的场强. [解答]由于电荷分布具有轴对称性,所以电场分布也具有轴对称性. (1)在内圆柱面内做一同轴圆柱形高斯面,由于高斯内没有电荷,所以 E = 0,(r < R1). (2)在两个圆柱之间做一长度为l,半径为r的同轴圆柱形高斯面,高斯面内包含的电荷为 q = λl, 穿过高斯面的电通量为 , 根据高斯定理Φe = q/ε0,所以 , (R1 < r < R2). (3)在外圆柱面之外做一同轴圆柱形高斯面,由于高斯内电荷的代数和为零,所以 E = 0,(r > R2). 12.11 一厚度为d的均匀带电无限大平板,电荷体密度为ρ,求板内外各点的场强. [解答]方法一:高斯定理法. (1)由于平板具有面对称性,因此产生的场强的方向与平板垂直且对称于中心面:E = E`. S2 S1 E` S1 S2 E E d 2r S0 E` S0 在板内取一底面积为S,高为2r的圆柱面作为高斯面,场强与上下两表面的法线方向平等而与侧面垂直,通过高斯面的电通量为 , 高斯面内的体积为 V = 2rS, 包含的电量为 q =ρV = 2ρrS, 根据高斯定理 Φe = q/ε0, 可得场强为 E = ρr/ε0,(0≦r≦d/2).① (2)穿过平板作一底面积为S,高为2r的圆柱形高斯面,通过高斯面的电通量仍为 Φe = 2ES, 高斯面在板内的体积为V = Sd, 包含的电量为 q =ρV = ρSd, 根据高斯定理 Φe = q/ε0, 可得场强为 E = ρd/2ε0,(r≧d/2). ② 方法二:场强叠加法. E2 dy r y o E1 d (1)由于平板的可视很多薄板叠而成的,以r为界,下面平板产生的场强方向向上,上面平板产生的场强方向向下.在下面板中取一薄层dy,面电荷密度为 dσ = ρdy, 产生的场强为 dE1 = dσ/2ε0, 积分得 ,③ 同理,上面板产生的场强为 ,④ r处的总场强为E = E1-E2 = ρr/ε0. (2)在公式③和④中,令r = d/2,得 E2 = 0、E = E1 = ρd/2ε0, E就是平板表面的场强. 平板外的场强是无数个无限薄的带电平板产生的电场叠加的结果,是均强电场,方向与平板垂直,大小等于平板表面的场强,也能得出②式. 12.12 O R a R` O` 图13.10 12.13 一半径为R的均匀带电球体内的电荷体密度为ρ,若在球内挖去一块半径为R`
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