模拟电子技术基础学习知识(李国丽)第一章习题集内容规范标准答案.doc
|1半导体二极管自我检测题一选择和填空1纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体,掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是 电子 。2在本征半导体中,空穴浓度 C 电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度 B 电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度 A 电子浓度。(A大于,B小于,C等于)3. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。(A温度,B掺杂工艺,C杂质浓度)4. 当PN结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。 (A大于,B小于,C等于,D变宽,E变窄,F不变 )5二极管实际就是一个PN结,PN结具有 单向导电性 ,即处于正向偏置时,处于 导通 状态;反向偏置时,处于 截止 状态。6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。(A0.10.3V,B0.60.8V,C小于,D大于)7. 已知某二极管在温度为25时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25时,该二极管的死区电压为 0.5 伏,反向击穿电压为 160 伏,反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25。(大于、小于、等于)图选择题78PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ;稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。二判断题(正确的在括号内画,错误的画)1N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 ( )2在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 ( )3P型半导体带正电,N型半导体带负电。 ( )4PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 ( )5由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。( )6PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。( )7稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态( ),它不允许工作在正向导通状态()。习题1.1图题1.1各电路中,忽略D的导通压降和死区电压,画出各电路相应的输出电压波形。图题1.1解:(a)图中,vi0时,二极管截止,vo=0;vi0时,二极管导通,vo= vi。(b)图中,二极管导通,vo= vi +10。(c)图中,二极管截止,vo=0。1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。图题1.2解:(a) (b) 得 1.33电路如图题1.3所示,已知D1为锗二极管,其死区电压Vth0.2V,正向导通压降为0.3V;D2为硅二极管,其死区电压为Vth0.5V,正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。图题1.3解:由于D1的死区电压小于D2的死区电压,应该D1先导通。设D1通、D2截止,此时D2两端电压I11000.30.45V小于D2的开启电压,所以D2截止,因此I20 1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计,反向饱和电流为10A,反向击穿电压为 30V,并假设一旦击穿反向电压保持30V不变,不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。图题1.4解:(a)图中,两个二极管导通,(b)图中,由于D2反向截止,所以电流为反向饱和电流10A。(c)图中,D2反向击穿,保持击穿电压30V,所以(d)图中,D1导通,1.5试确定图题1.5(a)和图(b)中的二极管是否导通,并计算电压V1和V2的值(设二极管正向导通电压为 0.7V)图题1.5解:(a)图中,D导通,V10.7+V2=8.23V (b)D截止,I=0,V112V, V20V1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压,试判断图中二极管是否导通。图题1.6解:先将D断开,计算A、B点对地电压(a) ,所以D1导通(b) ,所以D2截止1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V,判断图中各二极管是否导通,并求出Vo的值。图题1.7解:先假设所有二极管都截止,看哪个二极管的正偏电压高,先导通。(a)图中,所以, D2先导通,导通后 VO3-0.7=2.3V, D1截止。(b)图中, 所以,D2D4先导通,则,D1截止,VO1.4V1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V,求二极管上流过的电流ID的值。图题1.8解:将二极管以外的电路进行戴维宁等效所以 1.9已知图题1.9电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V,求电压VO的值。图题1.9解:(a)图中DZ1 、DZ2均工作于稳压状态, (b)DZ1工作于稳压状态,DZ2工作于反向截止区,所以DZ2支路的电流近似为零, 1.10已知图题1.10所示电路中,稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V、3V,正向导通压降均为0.7V。试画出vO的波形。图题1.10解:正半周时,DZ1承受正向压降,DZ2承受反向压降,在VDZ2=3V之前,DZ2反向截止,iD=0,vO=vi;上升到VDZ2=3V之后,DZ2击穿,vO=3.7V;负半周时,DZ2承受正向压降,DZ1承受反向压降,在VDZ1=5V之前,DZ1反向截止,iD=0,vO=vi;反向电压达到VDZ1=5V之后,DZ1击穿,vO=5.7V;
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李国丽
第一章
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1半导体二极管
自我检测题
一.选择和填空
1.纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体,掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是 电子 。
2.在本征半导体中,空穴浓度 C 电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度 B 电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度 A 电子浓度。
(A.大于,B.小于,C.等于)
3. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。
(A.温度,B.掺杂工艺,C.杂质浓度)
4. 当PN结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 B 漂移电流,耗尽层 D 。
(A.大于,B.小于,C.等于,D.变宽,E.变窄,F不变 )
5.二极管实际就是一个PN结,PN结具有 单向导电性 ,即处于正向偏置时,处于
导通 状态;反向偏置时,处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。
(A.0.1~0.3V,B.0.6~0.8V,C.小于,D.大于)
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为 T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管的死区电压为 0.5 伏,反向击穿电压为 160 伏,反向电流为 10-6 安培。温度T1 小于 25℃。(大于、小于、等于)
图选择题7
8.PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ;稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画)
1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 ( )
2.在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。 ( √ )
3.P型半导体带正电,N型半导体带负电。 ( )
4.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 ( √ )
5.由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。( )
6.PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。( )
7.稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态(√ ),它不允许工作在正向导通状态()。
习题
1.1图题1.1各电路中,,忽略D的导通压降和死区电压,画出各电路相应的输出电压波形。
图题1.1
解:
(a)图中,vi>0时,二极管截止,vo=0;vi<0时,二极管导通,vo= vi。
(b)图中,二极管导通,vo= vi +10。
(c)图中,二极管截止,vo=0。
1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。
图题1.2
解:(a)
(b)
得
1.33电路如图题1.3所示,已知D1为锗二极管,其死区电压Vth=0.2V,正向导通压降为0.3V;D2为硅二极管,其死区电压为Vth=0.5V,正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。
图题1.3
解:由于D1的死区电压小于D2的死区电压,应该D1先导通。设D1通、D2截止,此时
D2两端电压=I1100+0.3=0.45V
小于D2的开启电压,所以D2截止,因此
I2=0
1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计,反向饱和电流为10μA,反向击穿电压为 30V,并假设一旦击穿反向电压保持30V不变,不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。
图题1.4
解:
(a)图中,两个二极管导通,
(b)图中,由于D2反向截止,所以电流为反向饱和电流10μA。
(c)图中,D2反向击穿,保持击穿电压30V,所以
(d)图中,D1导通,
1.5试确定图题1.5(a)和图(b)中的二极管是否导通,并计算电压V1和V2的值(设二极管正向导通电压为 0.7V)
图题1.5
解:
(a)图中,D导通,
V1=0.7+V2=8.23V
(b)D截止,I=0,V1=12V, V2=0V
1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压,试判断图中二极管是否导通。
图题1.6
解:先将D断开,计算A、B点对地电压
(a)
,所以D1导通
(b)
,所以D2截止
1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V,判断图中各二极管是否导通,并求出Vo的值。
图题1.7
解:
先假设所有二极管都截止,看哪个二极管的正偏电压高,先导通。
(a)图中,
所以, D2先导通,导通后 VO=3-0.7=2.3V, D1截止。
(b)图中,
所以,D2~D4先导通,则,D1截止,
VO=-1.4V
1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V,求二极管上流过的电流ID的值。
图题1.8
解:将二极管以外的电路进行戴维宁等效
所以
1.9已知图题1.9电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V,求电压VO的值。
图题1.9
解:(a)图中DZ1 、DZ2均工作于稳压状态,
(b)DZ1工作于稳压状态,DZ2工作于反向截止区,所以DZ2支路的电流近似为零,
1.10已知图题1.10所示电路中,,稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V、3V,正向导通压降均为0.7V。试画出vO的波形。
图题1.10
解:正半周时,DZ1承受正向压降,DZ2承受反向压降,在VDZ2=3V之前,DZ2反向截止,iD=0,vO=vi;上升到VDZ2=3V之后,DZ2击穿,vO=3.7V;
负半周时,DZ2承受正向压降,DZ1承受反向压降,在VDZ1=5V之前,DZ1反向截止,iD=0,vO=vi;反向电压达到VDZ1=5V之后,DZ1击穿,vO=-5.7V;
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