2022年模电试卷题库.docx
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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 1. 某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压为 6.5V,输入电压为 15mV 时,输出电压为 7V(以上均为直流电压),它的电压增益为(C )a、700 b、650 c、100 d、-100 2. 当输入信号频率为 f L 或 f H 时,电压增益的幅值约下降为中频时的(B )a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3. 当输入信号频率为 fL 或 fH 时, 电压增系下降了 B ;A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接 3K 的负载电阻后输出电压降为3V,这说
2、明放大电路的输出电阻为( C )a、10Kb、2Kc、1 Kd、0.5K5. 用两个 AU 相同的放大电路 A 和 B 分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大,测试结果输出电压 V OAV OB,由此可知 A 比 B(B )a、一样 b、差 c、好 d、无法判别6. 用两个放大电路 A 和 B 分别对同一电压信号进行放大;当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载 RL 时,测得 V OAV OB ,由此必需 A 比 B( C )a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低抱负运放名师归纳总结 7. 在线性区内,分析抱负运放二输入间的电压时可采纳(A )第 1 页,共
3、 20 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8. 如图示,运放 A 为抱负器件,就其输出电压a、0V b、3V c、6V d、9V V0 为( A )9. 如图示,运放 A 为抱负器件,就其输出电压VO 为(C )a、9V b、6V c、0V d、3V 10. 设 V N、V P 和 V 0 分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,就 V 0 与 V N、V P 分别成(D )a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相11. 如要将幅度为Um的矩形波转变为三角波,就应选用( D ) A 、反相比例
4、运算电路 B 、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体名师归纳总结 12. N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(D );第 2 页,共 20 页a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素13. 半导体中有两种载流子,它们分别是(C )a、电子和受主离子b、空穴和施主离子c、电子和空穴d、受主离子和施主离子14. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(B )a、温度b、杂质浓度c、掺杂工艺d、晶体缺陷- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 15. 在室温邻近,当温度上升时,杂质半导体中浓度明显增加是(C )a、载流子
5、b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子16. 温度上升后,在纯半导体中,其电子、空穴变化为(A )a、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同b、空穴增多,自由电子数目不变c、自由电子增多,空穴数目不变d、自由电子和空穴数目都不变二极管名师归纳总结 17. PN 结不加外部电压时, PN 结中的电流为(B )第 3 页,共 20 页a、只从 P 区流向 N 区b、等于零c、只从 N 区流向 P 区d、无法判别18. 流过二极管的电流肯定,而温度上升时,二极管的正向电压(A )a、减小b、增大c、基本不变d、无法确定19. 当 PN 结外加正向电压时,耗尽层将(C )a、不变b、变宽c、变窄d
6、、无法判别20. 二极管正向电压从0.7V 增大 5%时,流过的电流增大为(B )a、5% b、大于 5% c、小于 5% d、不确定21. 温度上升时,二极管的反向伏安特性曲线应(A )a、上移b、下移c、不变d、以上均有可能22. 利用二极管组成整流电路,是应用二极管的(D )a、反向击穿特性b、正向特性c、反向特性d、单向导电性23. PN 结形成后, PN 结中含有(D )- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - a、电子b、空穴c、电子和空穴d、杂质离子24. PN 结不加外部电压时,扩散电流与漂移电流应(A )a、相等 b、大于 c、小于 d、无法
7、确定25. 稳压管能够稳固电压,它必需工作在(D )a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态26. 以下四种半导体器件中,为硅稳压管的是(C )a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP10 27. 在一般电路分析计祘时,常将二极管简化为抱负模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型;如下列图符号为(C );A、抱负模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小信号模型三极管28. 放大电路的静态是指(A )a、输入端短路 b、输入端开路 c、沟通信号短路 d、沟通信号为零29. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度(C )a、低 b、中 c、高 d、以
8、上均可30. 三极管工作在饱和区时,b-e 极间, b-c 极间分别为(D )a、反偏,反偏 b、反偏,正偏 c、正偏,反偏 d、正偏,正偏31. 三极管工作在放大区时,b-e 极间、 b-c 极间分别为(D )a、正编、正编 b、反编、反编 c、反编、正编 d、正编、反编32. NPN 型和 PNP 型三极管的区分是(C )a 由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - c、P 区和 N 区的位置不同 d、以上均否33. 温度上升时,三极管的输出特性曲线将(A )a、上移 b、下
9、移 c、不变 d、以上均有可能34. 温度上升时,三极管极间反向电流将(A )a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定35. 某三极管的极限参数 PcM=150mW,IcM=100mA,V( BR)CEo=30V,如它的工作电压 VcE=10V, 就工作电流 Ic 不得超过(C )a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA 36. 某三极管的极限参数 PCM=150mw,ICM=100mA,V(BR)c EO=30V,如它的工作电压 VCE=1V,就工作电流不得超过(D )a、1mA b、15 mA c、40 mA d、100 mA 37. 某三极管的极限参数 PCM=150mw
10、 , ICM=100mA , V BRCE0=30V , 如工作电流 IC=1mA , 就工作电压不得超过(A )a、30V b、15V c、10V d、1V 38. 用两个 Au 相同放大电路 A 和 B 分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大,测试结果为 VoAVoB,这是由于 C a、输出电阻小 b、输出电阻高 c、输入电阻高 d、输入电阻小39. 三极管输入电阻 rbe 与静态电流 I E 的大小有关,因而 rbe 是 C a、交、直流电阻 b、直流电阻 c、沟通电阻 d、以上均否40. 如图示 Us2=0,从集电极输出,就该电路属于(C )a、无法确定 b、共集 c、其基 d、共发4
11、1. 检修某台无使用说明书的电子设备时,测得三极管各电极对地电压数据为名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 20 页精选学习资料 - - - - - - - - - V B=-0.2V, V C=-5V, V E=0, 就该三极管为(B )a、NPN 型,锗管b、PNP 型,锗管 c、NPN 型,硅管d、PNP 型,硅管42. 某放大电路, IA=1.5mA,IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ,就 A,B,C 中极性分别是(D )b、(b、c、e)c、(c、e、b)d、(c、b、e)a、(e、b、c)43. 有二只半导体三极管, A 管子的 =200,IcEo=2
12、40 A,B 管子的 =100,IcEo =20 A 其他参数一样,就管子的好坏为(C )a、均一样 b、A 管好 c、B 管好 d、无法判别44. 三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度(A )a、窄 b、中 c、宽 d、以上均可45. 在单管共射极电路中,换上 减小的管子, V CEQ 将(C )a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定46. 三极管放大电路的三种组态(D )a、都有电压放大 b、都有电流放大c、只有共射极才有功率放大 d、都有功率放大47. 如图示, US1=0,US2 0 从集电极输出,就该电路属于()a 共射 b、共基 c、共集 d、无法判别48. 如下列图,
13、US1=0,US2 0,从发射极输出,就该电路属于(C )a、共射 b、共基 c、共集 d、无法判别49. 检修某台无使用说明书的电子设备时,V E=2V,就该三管类型为(D )V B=2.73V,VC=2.3V, 名师归纳总结 a、NPN 型,锗管b、PNP型,硅管c、PNP 型锗管d、NPN 型硅管第 6 页,共 20 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 50. 某放大电路, I A=-1.8mA ,IB=-0.06mA ,Ic=1.86mA,就 A、B、C 中极性分别为(A )a、(c、b、e )b、(b、e、c )c、(c、e、b)d、(e、c
14、、b )51. 三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积(C )a、小 b、一样 c、大 d、无法确定52. 三极管工作在放大区时,流过发射结电流和流过集电结的电流主要是(D )b、均为漂移电流a、均为扩散电流c、漂移电流、扩散电流d、扩散电流、漂移电流53. 温度上升时, V BE 随温度上升而发生(A )a、减小 b、增大 c、不变 d、无法确定54. 某三极管各极对地的电压为V B= -0.3V,V C= -5.1V,V E= -0.1V,就该三极管结构及工作状态为(D )a、NPN 型放大 b、PNP 型饱和 c、NPN 型饱和 d、PNP 型放大55. 晶体三极管的关
15、系式 i B = f uBEV CE , 它代表三极管(D )a、共基极输入特性 b、共集电极输入特性c、共射极输出特性 d、共射极输入特性56. 对于基本共射放大电路,当 RC 增大时,其输出电阻(C )a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定57. 单管共射极电路中,输入f = 1KHZ 的正弦电压信号后,分名师归纳总结 别用示波器观看输入信号和输出信号,就二者波形应当是(A )第 7 页,共 20 页a、相差 180b、相差 90c、相差 45d、同相- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 58. 对于基本共射放大电路,负载RL 减小时,输出电阻(C
16、 )a、增大b、减小c、不变d、无法确定59. 在单管射极放大电路, Rb、Rc 分别是基极和集电极偏置电阻,用直流电压表测出V CEQV CC,有可能由于(B )a、Rb 短路b、Rb 开路c、 RC 开路d、 过大场效应管60. 场效应管掌握漏极电流的大小是利用外加电压产生的(A )B )a、电场b、磁场c、电流d、以上均否61. 场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成,这种载流子是(a、少子b、多子c、两种载流子d、正负离子62. 三极管和场效应管应分别是(A )a 电流和电压掌握器件 c、均为电流掌握器件b、电压和电流掌握器件 d、均为电压掌握器件63. N 沟道场效应管的漏极电流是由
17、载流子的漂移形成的,这种载流子是(D )B )a、正负离子b、电子和空穴c、空穴d、电子64. 一场效应管的转移特性曲线如图示,就它属于类型为(A )a、N 沟道结型管b、P 沟道结型管c、P 沟道 MOS 管d、N 沟道 MOS 管65. 一场效应管的转移特性曲线如上图,就它的 VT 或 VP、DSS 分别为(a、VP=-4V ,IDSS=0 b、VT=-4V, IDSS=0 c、V P=-4V, IDSS=3mA d、V T=-4V, IDSS=3mA 66. 结型场效应管转变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 20 页精选学习资料 -
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