Gd掺杂的多铁性陶瓷BiFeO_多铁性材料.docx

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1、Gd掺杂的多铁性陶瓷BiFeO_多铁性材料 论文导读:：Gd掺杂的多铁性陶瓷BiFeO，多铁性材料。论文关键词：铁酸铋，多铁性材料，掺杂 1 引 言 BiFeO3是一种具有扭曲钙钛矿结构(R3c空间群)的单相磁电材料，室温下同时具有铁电(TC=830)与G型反铁磁(TN=370)有序，是少数在室温下同时具有铁电性和铁磁性的多铁性材料之一。BiFeO3中铁电性和铁磁性的共存使其在信息存储、磁电传感器等领域具有广袤的应用前景。科学家虽然很早就发觉了BiFeO3中铁电与铁磁性的共存态，但在传统固相反应法制备的样品中易出现Bi2Fe4O9和Bi25FeO39等杂相，致使样品的漏导增大，铁电性能降低,大

2、大限制了其应用前景。此外，从磁性与晶体对称性关系考虑，BiFeO3特有的自旋螺旋G型反铁磁结构，只允许弱铁磁性的产生,而同时具有较强的铁电性与铁磁性是作为新型记忆材料和电容电感一体化的关键所在，纯的BiFeO3明显不能满意这一要求，因此要BiFeO3走向应用，就必需增加其铁电性与铁磁性，同时削减其高漏导。 为了改善BiFeO3陶瓷的多铁性能,学者们主要从两个方面进行了探讨:一是将BiFeO3陶瓷与其他具有强铁电性的钙钛矿材料复合（与PbTiO3、BaTiO3等1-3复合，形成二元或三元固溶体体系）,从而破坏其特有的自旋螺旋反铁磁结构，增加其多铁性；二是用稀土元素对A、B位进行离子掺杂,用La3

3、+，Nd3+，Sm3+ 等4-6离子替代晶体中的A位Bi3+离子,或用Co3+，Ti4+，Zr4+等7-9磁性或非磁性离子替代B位Fe3+以抑制氧空位的生成,同时破坏其反铁磁结构,改善多铁性能。关于Gd掺杂的BiFeO3陶瓷探讨已有报道，Khomchenko等10-13探讨发觉随着掺杂量的增大，其发生了由三角钙钛矿结构向正交钙钛矿结构的转变，并给出了Bi1-xGdxFeO3陶瓷随着掺杂量改变的磁电相图。Uniyal等14探讨了Bi1- xGdxFeO3陶瓷在低掺杂(x=0,0.05, 0.1）下的磁、介电及铁电性，发觉随着掺杂量的增大，Bi1-xGdxFeO3陶瓷的铁磁性与铁电性在不断增加。而

4、通过快速升温及退火法来制备样品，且对其Raman图谱的探讨却未有报道。本文主要采纳快速升温与退火法对BiFeO3陶瓷进行了A位Gd取代，并对取代后的Bi1-xGdxFeO3陶瓷结构、磁性能进行了系统探讨论文开题报告。 2 实 验 21样品制备 Bi1-xGdxFeO3(x=0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2)陶瓷样品通过固相反应法制备多铁性材料，将Bi2O3（99%）与Fe2O3（99%）粉末按化学计量比混合（3%的Bi2O3过量），加入无水乙醇，在研钵内研磨1小时，烘干后800下预烧1小时，再加入少量聚乙烯醇研磨，造粒，烘干后压成直径为10mm，厚度为1mm左右圆片样品。将压片后

5、样品分别干脆放入840 (x=0), 845(x=0.05), 850(x=0.1), 855(x=0.15, 0.2)的高温炉中，烧结1小时，并快速取出冷却至室温，制成陶瓷样品。 22样品的性能及表征 本试验结构分析采纳日本理学株氏会社Rigaku生产的DLMAX-2200 X射线衍射仪(Cu Kα,λ=1.79026?)；Raman测试采纳英国RenishawR1000型共焦显微Raman光谱仪；磁性能测试利用PPMS-9型物理性质测试系统(Quantum Design公司,美国)。 3 结果与探讨 3.1Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品XRD图谱探讨 图1为Bi

6、1-xGdxFeO3陶瓷样品的XRD图谱，由图可知，全部的样品均为ABO3型钙钛矿结构。对于掺杂为x=0, 0.05的样品在2θ为28°旁边有少量的杂峰存在，经分析此处杂质为Bi2Fe4O9与Bi25FeO40，这与其它文献中报道的状况相像15,16。且随着掺杂量的增大，杂峰渐渐消逝，说明Gd的取代可以有效抑制杂相的生成。单相BiFeO3室温下具有三角晶系钙钛矿结构，当半径更小的Gd3+（0.938?）取代半径较大的Bi3+（1.032?）后，将转变为正交晶系钙钛矿结构10-13，这在图中x=0.15, 0.20样品中已明显出现，在25°、33°等旁边，新的

7、衍射峰出现，且随着掺杂量的增大而增加。 图1 Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品的XRD图谱 3.2Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品Raman图谱探讨 图2为Bi1-xGdxFeO3陶瓷的Raman图谱，BiFeO3属于三角钙钛矿结构（R3c空间群），其结构的拉曼活性模可由不行约表示来概括17：Raman，R3c=4A1+9E，在这些活性模中，有11个模在100cm-1和700cm-1之间，部分活性模在常温下由于相对强度太弱而不能被完全视察到，Singh等18在BiFeO3薄膜样品中视察到了除E-5模外的10个活性模，Pandit等19在BiFeO3陶瓷样品中视察到了除E-1模外的10个活性模。

8、而在本试验中只视察到了4个A1模，4个E模，共8个活性模，其它活性模由于强度太弱而未能视察到。且与其它文献相比较，各个峰之间的位置略有差异，Minh等20认为这是由于制备方法的不同导致样品中氧含量的不同所造成的。此外，在180.6cm-1、561cm-1等处出现了其它的杂峰，这可能是由于样品中含有Bi2Fe4O9与Bi25FeO40等杂质所致，与前面XRD结果一样。 随着Gd掺杂量的增大A1-1、A1-3、E-2峰都有向高频率方向移动的趋势。Pandit等19在Bi0.9-xNdxLa0.1FeO3中出现了相像的现象，并认为这是由于质量更轻的稀土离子（Gd3+157.25g）取代A位Bi3+（

9、208.98g）所致。且对于A1-2峰，其强度随掺杂量增加而不断减小，这可能是由于随着掺杂量的增加，使Bi1-xGdxFeO3陶瓷由三角钙钛矿结构向正交钙钛矿结构发生转变所致。 图2 Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品的Raman图谱 3.3Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品的磁性能探讨 图3 Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品在300K与5K下的磁滞回线，5K至300K的M-T曲线及5K下Mr随Gd含量的改变曲线 BiFeO3陶瓷为空间调制的自旋螺旋G型反铁磁结构，即每一个Fe3+被六个反平行的其他Fe3+包围，但这种自旋并非严格的反平行结构，而是具有肯定的倾角。图3为Bi1-xGdxFeO3陶瓷

10、在5K、300K外加5T磁场下的磁滞回线，300K时BiFeO3陶瓷磁化强度与外加磁场具有好的线性关系，且在5T外场下仍未饱和，说明此时陶瓷样品呈现反铁磁性。对于Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品随着掺杂量的增加其剩磁分别为0.00379、0.0354、0.2605、0.54123、0.858emu.g-1；且随着掺杂量的增大，其饱和磁化强度也在不断增大，这是由于Gd掺杂破坏了BiFeO3原有的自旋螺旋反铁磁结构，即在111方向上氧八面体发生旋转而使Fe-O-Fe键角发生变更所致12。在室温下与La3+多铁性材料，Nd3+等21,22掺杂相比，在相同的掺杂量下Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品具有

11、更强的磁性，这是由于：一方面Gd3+（SGd3+=7/2）具有更活跃的磁性质，以及它本身具有更大的磁矩；另一方面与La3+，Nd3+等相比，Gd3+具有更小的离子半径，取代后更易对BiFeO3的自旋螺旋反铁磁结构产生影响论文开题报告。 同时，我们测试了Bi1-xGdxFeO3陶瓷样品在1kOe下的场冷M-T曲线（图3），由图知随着温度的降低，其磁性能渐渐增加，低温下掺杂样品在100K至5K之间其磁性快速增加，这可能源自于低温下Gd3+的磁矩渐渐增加。而对于BiFeO3陶瓷在1kOe下的场冷，在300K至130K之间磁化强度缓慢增加，这与其本身固有的反铁磁性随温度的改变有关，但在130K至5K之间出现了明显的反铁磁向弱铁磁转变。由于弱铁磁相的出现，磁化强度快速增加，这个转变过程主要是由低温下Fe3+的团簇或自旋重取向引起的。 第6页 共6页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页第 6 页 共 6 页