2022年微机原理习题解答： 2.pdf

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1、习题六试说明半导体存储器的分类。解：按存储信息的特性分为：随机读写存储器RAM 和只读存储器ROM 两大类。 RAM 分类：主要有双极型和MOS型两类。MOS 型存储器又可分为静态RAM（简称 SRAM）和动态RAM(简称 DRAM)。 ROM 分类掩膜式 ROM：用户不可对其编程，其内容已由厂家设定好，不能更改；可编程 ROM：用户只能对其进行一次编程，写入后不能更改；可擦除的PROM：其内容可用紫外线擦除，用户可对其进行多次编程；电擦除的 PROM，简称 EEPROM或 E2PROM) ，能以字节为单位擦除和改写。试说明CMOS静态存储器基本存储电路数据读、写的原理。解：存储单元六只NMO

2、S 管（ T1T6）组成。见教材中图67。T1 与 T2 构成一个反相器， T3 与 T4 构成另一个反相器，两个反相器的输入与输出交叉连接，构成基本触发器，作为数据存储单元。T1 导通、 T3 截止为 0 状态， T3导通、 T1 截止为 1 状态。 T5、T6 是门控管，由Xi 线控制其导通或截止，他们用来控制触发器输出端与位线之间的连接状态。T7、T8 也是门控管，其导通与截止受Yj 线控制，他们是用来控制位线与数据线之间连接状态的，工作情况与T5、T6 类似。只有当存储单元所在的行、列对应的Xi、Yj 线均为 1 时，该单元才与数据线接通，才能对它进行读或写，这种情况称为选中状态。写操

3、作如下 :（1）将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）在选片信号CS端加上有效电平，使RAM 选通；（3）将待写入的数据加到数据输入端；（4）在线上加入低电平，进入写工作状态；（5）使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。读操作与写操作基本相同仅使线上加入高电平。试说明单管DRAM 基本存储电路数据读、写的原理。解：单管 DRAM 基本存储电路只有一个电容和一个MOS管，是最简单的存储元件结构，R/WR/W 半导体存储器可擦除、可再编程 ROM随即读写存储器 RAM只读存储器 ROM不可编程掩膜 ROM可编程ROM紫外线擦除的EPROM电擦除的E2PROM双极型MOS 型动态 RAM

4、静态 RAM名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 6 页 - - - - - - - - - 如教材中图6.11 所示（见下图） 。存放的信息是“1”还是“0”，取决于电容中有没有电荷。在保持状态下，行选择线为低电平，V 管截止，使电容C 基本没有放电回路(当然还有一定的泄漏 )，其上的电荷可暂存数毫秒或者维持无电荷的“0”状态。对存储矩阵进行读操作时，若某一行选择线为高电平，则位于同一行的所有基本存储电路中的 V 管都导通，于是刷新放大器读取对应电容C 上的电

5、压值，但只有列选择信号有效的基本存储电路才受到驱动，从而可以输出信息。 刷新放大器的灵敏度很高，放大倍数很大，并且能将读得的电容上的电压值转换为逻辑“0” 或者逻辑“ 1” 。在读出过程中，选中行上所有基本存储电路中的电容都受到了影响，为了在读出信息之后仍能保持原有的信息，刷新放大器在读取这些电容上的电压值之后又立即进行重写。在写操作时，行选择信号使V 管处于导通状态，如果列选择信号也为“1”，则此基本存储电路被选中，于是由数据输入/输出线送来的信息通过刷新放大器和T 管送到电容C。行 选 择 信 号VC刷 新放 大 器列 选 择 信 号数 据 输 入 / 输 出 线试说明如何对28C64 进

6、行字节编程，并说明怎样使用数据轮询的方法判断写操作完成。解： Intel 28C64 是 8K8 位的 E2PROM 芯片。先进行字节擦除操作，地址线送入相应的地址，当CE =0，OE =1，数据线（I/O0 I/O7）都加高电平且VPP加幅度为 +21V、宽度为 915mS 的脉冲时， 28C64将选中的字节擦除。再进行字节编程操作，地址保持不变， CE =0，OE =1，VPP加幅度为 21V、宽度为 915 mS的脉冲时，来自数据线（I/O0 I/O7）的数据字节可写入28C64的存储单元中。接着使用数据轮询的方法判断写操作完成，即采用与读出基本相同的方式，只是VPP+21V。在编程后，

7、可将28C64 中的信息读出，与写入的内容进行比较，以验证写入内容是否正确，数据线为输出状态。试使用 62512 和 27256，在 8088 系统（最小模式） 中设计具有128KB 的 RAM、64KB的 EPROM的存储体， RAM 的地址从00000000H 开始、 EPROM的地址从F0000000H 开始。解： 62512 的起始地址：00000H，27256 的起始地址： F0000H地址分配表如下：名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 6 页 -

8、- - - - - - - - 62512 是 64K8 容量的芯片，组成128KB需要两片62512。地址范围从：00000H 1FFFFH27256 是 32K8 容量的芯片，组成64KB需要两片27256。地址范围从：F0000H FFFFFH8088 最小模式下存储器扩展接线电路图如下： 试使用 62512 和 27512， 在 8088 系统最大模式中设计具有256KB RAM、 64KB EPROM的存储体， RAM 的地址从 00000000H 开始、 EPROM的地址从 0F0000000H 开始。解： 62512 是 64K8 容量的芯片，组成256KB需要四片62512，起

9、始地址为： 00000H，地址范围为：00000H 3FFFFH 。27512 是 64K8 容量的芯片，组成64KB需要 1 片 27512，起始地址为： 0F0000H，地址范围为：0F0000H 0FFFFFH 。地址分配表如下：A19 A18 A17 A16A15 A14 A13 A12A11 A0地 址 范 围对 应 芯 片0 0 0 00 0 0 00 0 0 01 1 1 10 01 100000 H0FFFFH625121U10 0 0 10 0 0 10 0 0 01 1 1 10 01 110000 H1FFFFH625122U21 1 1 11 1 1 10 0 0 00

10、 1 1 10 01 1F0000 HF7FFFH272561U31 1 1 11 1 1 11 0 0 01 1 1 10 01 1F8000 HFFFFFH272562U4WRD7D0A15A0OEWECSU2D7D0A14A0OECSU3RDD7D0A14A0OECSU48D7D0A15A0OEWECSU1D7D0A15A0A15A19A0A14A015Y0G2AG2BABCG1Y1M/IOY6G2AG2BABCG1Y7151616A19VCCA18A17A16A16A17A18A1974HC13874HC138名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - -

11、 - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 6 页 - - - - - - - - - 8088 最小模式下存储器扩展接线电路图如下： 8086 系统中存储器偶地址体及奇地址之间应该用什么信号区分？怎样区分？解：8086CPU的数据总线有16 根，其中高 8 位数据线 D15 D8接存储器的高位库（奇地址库），低 8 位数据线D7 D0接存储器的低位库（偶地址库），根据（选择奇地址库）和 A0（选择偶地址库）的不同状态组合决定对存储器做字操作还是字节操作。如下图所示： 6116A10 A0OEWECED7 D0 6116A10 A0OEWEC

12、ED15 D8A11 A1RDWRA0BHEA19 A18 A17 A16A15 A14 A13 A12A11 A0地 址 范 围对 应 芯 片0 0 0 00 0 0 00 0 0 01 1 1 10 01 100000 H0FFFFH625121U10 0 0 10 0 0 10 0 0 01 1 1 10 01 110000 H1FFFFH625122U20 0 1 00 0 1 00 0 0 01 1 1 10 01 120000 H2FFFFH625123U30 0 1 10 0 1 10 0 0 01 1 1 10 01 130000 H3FFFFH625124U41 1 1 11

13、 1 1 10 0 0 01 1 1 10 01 10F0000 H0FFFFFH27512U5BHEMWTCMRDC8D7D0A15A0Y0G2AG2BABCG1Y1Y2Y7D7D0A15A0OEWECSU116A19A18A17A1674HC138Y3D7D0A15A0OEWECSU2D7D0A15A0OEWECSU3D7D0A15A0OEWECSU4D7D0A15A0OECSU511111VCC名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 6 页 - - - -

14、- - - - - 8086 系统中对外设端口的读/写操作时，信号和地址线A0如何起作用？解：大部分的外设为8 位 I/O 接口，当需用16 位 I/O 接口时， 8086 系统的数据总线中的高 8 位数据线D15 D8 接奇地址I/O 端口，而低8 位数据线D7 D0接偶地址I/O 端口，用和 A0分别作为奇地址I/O 端口体和偶地址I/O 端口体的体选择信号，根据和 A0 的不同状态组合决定对I/O 端口做字操作或字节操作。试使用62512 和 28512，在 8086 系统（最小模式）中设计具有256KB RAM、128KB E2PROM的存储体， RAM 的地址从0000 0000H

15、开始、E2PROM 的地址从40000000H 开始。解： 62512 是 64K8 容量的芯片，组成256KB需要四片62512，起始地址为： 00000H，地址范围为：00000H 3FFFFH 。28512 是 64k8 容量的芯片，组成128kb 需要 2 片 28512。起始地址为： 40000H，地址范围为：40000H 5FFFFH 。地址分配表如下：注： U1、U3、 U5 为偶地址存储体，U2、U4、U6 为奇地址存储体。8086 最小模式下存储器扩展接线电路图如下：10试使用 621024 和 28C256，在 8086 系统（最大模式） 中设计具有512KB RAM、64

16、KB A19 A18 A17 A16A15 A14 A13 A12A11 A0地 址 范 围对 应 芯 片0 0 0 00 0 0 10 0 0 01 1 1 10 01 100000 H1FFFFH625121、2U1、U20 0 1 00 0 1 10 0 0 01 1 1 10 01 120000 H3FFFFH625123、4U3、U40 1 0 00 1 0 00 0 0 01 1 1 10 01 140000 H5FFFFH285121、2U5、U6BHEBHE BHE A0WRRDA16A1Y0G2AG2BABCG1Y1Y2D7D0A15A0OEWECSU116A19A18A17

17、74HC138D7D0A15A0OECSU6D7D0A15A0OEWECSU4D7D0A15A0OEWECSU2D7D0A15A0OEWECSU38D7D08D15D8D7D0A15A0OECSU5M/IOBHE 111111名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 6 页 - - - - - - - - - E2PROM的存储体， RAM 的地址从00000000H 开始、E2PROM 的地址从F0000000H 开始。解： 621024 是 128K 8 容量的

18、芯片，组成512KB需要四片621024，起始地址为： 00000H，地址范围为：00000H 7FFFFH 。28C256 是 32K8 容量的芯片，组成64KB需要 2 片 28256。起始地址为： 0F0000，地址范围为：0F0000H 0FFFFFH 。地址分配表如下：注： U1、U3、 U5 为偶地址存储体，U2、U4、U6 为奇地址存储体。8086 最大模式下存储器扩展接线电路图如下：A19 A18A17 A16A15 A14 A13 A12A11 A0地 址 范 围对 应 芯 片0 0 0 00 0 1 10 0 0 01 1 1 10 01 100000 H3FFFFH621

19、0241、2U1、U20 1 0 00 1 1 10 0 0 01 1 1 10 01 140000 H7FFFFH6210243、4U3、U41 1 1 11 1 1 10 0 0 01 1 1 10 01 10F0000 H0FFFFFH28C2565、6U5、U6A0MWTCMRDCA17A1Y0G2AG2BABCG1Y1Y3D7D0A16A0OEWECSU117A19A1874HC138D7D0A14A0OECSU6D7D0A16A0OEWECSU4D7D0A16A0OEWECSU2D7D0A16A0OEWECSU38D7D08D15D8D7D0A14A0OECSU5BHE 1111A15A115VCCA17A161A17A161名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 6 页 - - - - - - - - -