2022年2022年晶体管伏安特性曲线 .pdf

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1、2.4晶体管伏安特性曲线各极电压与电流之间的关系- 外部特性各极电压： VBE、VCB、VCE，由于 VBE + VCB = VCE，所以两个是独立的。各极电流： IE、IB、IC。由于 IB + IC = IE，所以两个是独立的。一、 共 E 输入特性曲线共 E：输入： IB、VBE。输出： IC、VCE。共 E 输入特性曲线： 当 VCE维持不同的定值， 输入电流IB随输入电压 VBE变化的特性1()CEBEBEVIfV定值VBE是自变量IB是因变量VCE是参变量测试原理图：是一族曲线，每根都类似二极管的伏安特性曲线。特点：（1）当 VCE = 0 时，两 PN 结并联，IB较大（2） 当

2、 VCE从 00.3V 时，曲线右移。（3）当 VCE0.3V 后，曲线基本重合（VCE的影响很小），不完全重合的原因：基区宽度调制效应。当 VCE，集电结空间电荷区宽度，基区宽度，复合几率，IB。实际影响很小，所以一般只画一根。（4）存在发射结正向导通电压VBE(on) ,类似二极管正向导通电压VD(on)。即发射结正向导通时，不管IB多大， VBE = VBE(on) 基本不变（分析外电路时）。()0.60.7:(0.60.7)BE onVNPNSiVVPNP例：如右上图求IB。等效电路如右下图()BBBE onBBVVIR（5）反向特性VBE 0 (NPN) 发射结反偏，集电结反偏反向电

3、流IB=（ IEBO + ICBO）很小IEBO：发射结反向饱和电流VVIIBECEBC+-IIVVBECEBC+-AAVVIVVVVVBECECECEB=0=0.3V=10V0(BR)BEOIBBCBBCCRRVVIBBBBBE(o n)RVV名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 4 页 - - - - - - - - - （6）击穿特性当反向电压大到V（BR）BEO时，反向电流二、共 E 输出特性曲线（P59）当 IB维持不同的定值，输出电流IC随输出电压V

4、CE变化的特性2()CECEIfVBI 定值分四个区：放大区、饱和区、截止区、击穿区1、 放大区：发射结正偏，集电结反偏0,0BECBVV()CBCEBECEBEBE onVVVVVV特点：（1）满足CBCEOBIIII，IB对 IC有正向控制作用（2）当 IB是等间隔时，曲线是平行等距的。定义：CBII，共 E 交流电流传输系数（放大倍数）则 为常数，和IC基本无关。一般，以后就不区分和。例上图中在2CImA，10CEVV附近，32500.060.04CBII，2500.04CBII（3）0EI为放大区的下边界，这时BCBOII，CCBOII，即在BCBOII以上区域为放大区。实际上为方便起

5、见，一般以0BI为放大区的下边界。（4）曲线与横轴基本平行，即当CEV变时，CI基本不变。不完全平行（CEV时CI）的原因：基区宽度调制效应。当VCE，集电结空间电荷区宽度，基区宽度，基区中非平衡少子的分布梯度，CI（5）各特性曲线的负向延长线交CEV轴上同一点A，相应的电压AV：厄尔利电压UCE / V5101501234饱和区截止区IB80 A60 A放大区IC / mA40 A20 A0 A名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 4 页 - - - - -

6、- - - - 如定义BCEceICVrI常数，则AceCQVrICQI为静态时的CI（6）在大范围内，当CI很大或很小时，曲线较密，2、 饱和区发射结正偏，集电结反偏0,0BECBVV，即()CEBEBE onVVV特点：（1）不满足直流电流传输关系，CBII，IB对 IC无正向控制作用，IB变化时 IC基本不变。（2）IC随 VCE的变化大。（3）饱和时的VCE称饱和压降VCE（sat）。VCE（sat） 0.3V，很小，类似开关闭合（4）从放大到饱和的过程如三极管开始是工作在放大区，应如何调节W 会让三极管进入饱和区？要让三极管从放大区进入饱和区，必须CEV，由于CECCCCVVIR，C

7、I，CBII，BI，()BBBE onBBVVIWR，W3、 截止区发射结反偏，集电结反偏。0BI（严格上0EI）以下区域特点：（1）不满足直流电流传输关系（2）0ECII，类似开关断开4、 击穿区当()CEBR CEOVV时，CI特点：（1）主要是雪崩击穿（2）不满足直流电流传输关系（3）BI较小时，击穿电压较大。（4）穿通击穿CEV，基区宽度，集电结和发射结重叠，集电结电场作用到发射结，使EI和CI。IVCECA0IVCCECIRRVVBBCCBLW(BR)CEOCEBCVVII =0名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - -

8、- - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 4 页 - - - - - - - - - 三、晶体管极限参数1、集电极最大允许工作电流CMI当CCMII时，。要求最大工作电流cmCMII，否则性能变坏，引起失真。2、反向击穿电压，实际的最大工作电压应小于击穿电压。（1）0BI时，击穿电压为()BR CEOV（2）0EI时，击穿电压为()BR CBOV（3）B、E 间接有电阻R 时，击穿电压为()BR CERV（4）B、E 间短路时，击穿电压为()BR CESV一般()()()()BR CEOBR CESBR CERBR CBOVVVV，所以()BR CEOV是选管的依据。3、集电极最大耗散功率CMP集电极实际的耗散功率CCCEPIV应小于允许的最大耗散功率CMP。CMP与散热条件有关，散热好，CMP就可以大。4、安全工作区CC MII，()CEBR CEOVV，CCECMIVP以及横轴、纵轴围起的区域(BR)CEOCECCCMVVVIIICE.=PCM(1)(2)(3)(4)名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 4 页 - - - - - - - - -